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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
ZXMN6A25GTA Diodes Incorporated Zxmn6a25gta 1.0400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZXMN6 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 4.8a (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 3.6a, 10v 1V @ 250 µA (min) 20.4 NC @ 10 V ± 20V 1063 pf @ 30 V - 2W (TA)
ES2D-13-F Diodes Incorporated ES2D-13-F 0.4600
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES2D Estándar SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 920 MV @ 2 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 25pf @ 4V, 1 MHz
DMP2079LCA3-7 Diodes Incorporated DMP2079LCA3-7 0.1027
RFQ
 ECAD 5282 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMP2079 Mosfet (Óxido de metal) X4-DSN1006-3 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMP2079LCA3-7DI EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 3.4a (TA) 1.8v, 8V 78mohm @ 500 mA, 8V 1.2V @ 250 µA 1.1 NC @ 4.5 V -12V 152 pf @ 10 V - 810MW
UDZ12B-7 Diodes Incorporated UDZ12B-7 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 UDZ12 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 100 na @ 9 V 12 V 30 ohmios
DMP31D1U-7 Diodes Incorporated Dmp31d1u-7 0.1900
RFQ
 ECAD 8963 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 620 Ma (TA) 1.8V, 4.5V 1ohm @ 400mA, 4.5V 1.1V @ 250 µA 1.6 NC @ 8 V ± 8V 54 pf @ 15 V - 460MW (TA)
DMG7401SFG-7 Diodes Incorporated DMG7401SFG-7 0.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMG7401 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 30 V 9.8a (TA) 4.5V, 20V 11mohm @ 12a, 20V 3V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 25V 2987 pf @ 15 V - 940MW (TA)
DMN3023L-7 Diodes Incorporated DMN3023L-7 0.3700
RFQ
 ECAD 305 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3023 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 6.2a (TA) 2.5V, 10V 25mohm @ 4a, 10v 1.8V @ 250 µA 18.4 NC @ 10 V ± 20V 873 pf @ 15 V - 900MW (TA)
BAS70-06-7-F Diodes Incorporated BAS70-06-7-F 0.2900
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 Schottky Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 5 ns 100 na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C
BAT54W-7 Diodes Incorporated BAT54W-7 0.5300
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAT54 Schottky Sot-323 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
ADTA114EUAQ-7 Diodes Incorporated ADTA114EUAQ-7 0.0347
RFQ
 ECAD 4922 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 ADTA114 330 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA - PNP - Pre -Sesgado - - 250 MHz 10 kohms 10 kohms
ZTX857STOB Diodes Incorporated Ztx857stob -
RFQ
 ECAD 3311 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 ZTX857 1.2 W Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 300 V 3 A 50NA (ICBO) NPN 250mv @ 600 Ma, 3a 100 @ 500 Ma, 10v 80MHz
SBR30A100CT-G Diodes Incorporated SBR30A100CT-G -
RFQ
 ECAD 9609 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SBR30 Super Barrera Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-SBR30A100CT-G EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 15A 800 MV @ 15 A 100 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C
ADC114YUQ-7 Diodes Incorporated ADC114YUQ-7 0.3200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 ADC114 270MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA - 2 NPN - Precializado (dual) - - 250MHz 10 kohms, 47 kohms 10 kohms, 47 kohms
ZVP2120ASTOB Diodes Incorporated ZVP2120TOB -
RFQ
 ECAD 8830 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 ZVP2120 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 200 V 120MA (TA) 10V 25ohm @ 150 mm, 10v 3.5V @ 1MA ± 20V 100 pf @ 25 V - 700MW (TA)
DMTH8012LK3-13 Diodes Incorporated DMTH8012LK3-13 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH8012 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 50A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 1949 pf @ 40 V - 2.6W (TA)
ZXTDE4M832TA Diodes Incorporated Zxtde4m832ta -
RFQ
 ECAD 3044 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn Zxtde4m832 1W 8-MLP (3x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 80V, 70V 3.5a, 2.5a 25NA NPN, PNP 325mv @ 300mA, 3.5A / 260mv @ 200MA, 1.5A 300 @ 200MA, 2V / 40 @ 1.5a, 5V 160MHz, 180MHz
FZT789AQTA Diodes Incorporated Fzt789aqta 0.3917
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT789A 1.2 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-FZT789AQTATR EAR99 8541.29.0075 1,000 35 V 3 A 100na PNP 500mv @ 100 mm, 3a 300 @ 10mA, 2V 100MHz
B120AF-13 Diodes Incorporated B120AF-13 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads B120 Schottky SMAF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 1 A 100 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1 MHz
SMAZ7V5-13-F Diodes Incorporated SMAZ7V5-13-F 0.4700
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaz7 1 W SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 5 V 7.5 V 2 ohmios
ZXMP10A17GTA Diodes Incorporated ZXMP10A17GTA 0.3360
RFQ
 ECAD 1944 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZXMP10 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 100 V 1.7a (TA) 6V, 10V 350mohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250 µA 10.7 NC @ 10 V ± 20V 424 pf @ 50 V - 2W (TA)
DMN10H170SVT-7 Diodes Incorporated DMN10H170SVT-7 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN10 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 2.6a (TA) 4.5V, 10V 160mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 9.7 NC @ 10 V ± 20V 1167 pf @ 25 V - 1.2W (TA)
BAS70DW-04-7-F Diodes Incorporated BAS70DW-04-7-F 0.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BAS70 Schottky Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 2 Pares 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 5 ns 100 na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C
DMC2041UFDB-13 Diodes Incorporated DMC2041UFDB-13 0.2867
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMC2041 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMC2041UFDB-13DI EAR99 8541.29.0095 10,000 Vecino del canal 20V 4.7a, 3.2a 40mohm @ 4.2a, 4.5V 1.4V @ 250 µA 15NC @ 8V 713pf @ 10V -
DCP54-16-13 Diodes Incorporated DCP54-16-13 -
RFQ
 ECAD 7708 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA DCP54 1 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 45 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 200MHz
DMG2302UQ-7 Diodes Incorporated DMG2302UQ-7 0.4000
RFQ
 ECAD 3996 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2302 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 4.2a (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.6a, 4.5V 1V @ 50 µA 7 NC @ 4.5 V ± 8V 594.3 pf @ 10 V - 800MW (TA)
ZXMN3A02N8TA Diodes Incorporated Zxmn3a02n8ta -
RFQ
 ECAD 8155 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMN3 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 30 V 7.3a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 12a, 10v 1V @ 250 µA 26.8 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 1.56W (TA)
ZXMN6A07FQTA Diodes Incorporated Zxmn6a07fqta 0.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN6 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 1.2a (TA) 4.5V, 10V 250mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250 µA 3.2 NC @ 10 V ± 20V 166 pf @ 40 V - 625MW (TA)
RABF152-13 Diodes Incorporated Rabf152-13 -
RFQ
 ECAD 5882 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Rabf152 Estándar 4-SOPA - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 1.3 V @ 1.5 A 5 µA @ 200 V 1.5 A Fase única 200 V
ZTX949STZ Diodes Incorporated Ztx949stz 1.0200
RFQ
 ECAD 8827 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta de Corte (CT) Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-línea-3, clientes potenciales formados ZTX949 1.58 W Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 2,000 30 V 4.5 A 50NA (ICBO) PNP 320mv @ 300mA, 5A 100 @ 1a, 1v 100MHz
AZ23C5V6W-7-F-79 Diodes Incorporated AZ23C5V6W-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 9345 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto AZ23C5V6 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado AZ23C5V6W-7-F-79DI EAR99 8541.10.0050 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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