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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
UF1003_HF-A52 Diodes Incorporated UF1003_HF-A52 -
RFQ
 ECAD 8032 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela La Última Vez Que Compre A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF1003 Estándar Do-41 - 31-UF1003_HF-A52 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
ZDM4206NTC Diodes Incorporated Zdm4206ntc -
RFQ
 ECAD 3594 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-223-8 ZDM4206N Mosfet (Óxido de metal) 2.75W Sm8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 60V 1A 1ohm @ 1.5a, 10v 3V @ 1MA - 100pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
SD103ATW-7-F Diodes Incorporated SD103ATW-7-F 0.4000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 SD103 Schottky Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 3 Independientes 40 V 175 Ma 500 MV @ 100 Ma 10 ns 5 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C
SD101AW-7-F Diodes Incorporated SD101AW-7-F 0.3700
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 SD101 Schottky SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 60 V 1 V @ 15 Ma 1 ns 200 na @ 50 V -65 ° C ~ 125 ° C 15 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
DMC3401LDW-13 Diodes Incorporated DMC3401LDW-13 0.0621
RFQ
 ECAD 1662 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMC3401 Mosfet (Óxido de metal) 290MW (TA) Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMC3401LDW-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N y p-canal complementario 30V 800 mA (TA), 550 mA (TA) 400mohm @ 590mA, 10V, 900mohm @ 420 mm, 10V 1.6V @ 250 µA, 2.6V @ 250 µA 1.2NC @ 10V, 800pc @ 10V 50pf @ 15V, 19pf @ 15V -
2DB1132P-13 Diodes Incorporated 2DB1132P-13 -
RFQ
 ECAD 2273 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2DB1132 1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 32 V 1 A 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 82 @ 100 mm, 3V 190MHz
D5G-T Diodes Incorporated D5G-T 0.0625
RFQ
 ECAD 6275 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T1, axial D5g Estándar T-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
S1N-13-F Diodes Incorporated S1N-13-F 0.3500
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA S1n Estándar SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 5 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1 MHz
BAT54CWQ-7-F Diodes Incorporated BAT54CWQ-7-F 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAT54 Schottky Sot-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 30 V 200MA (DC) 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C
1N5237B-T Diodes Incorporated 1N5237B-T -
RFQ
 ECAD 1736 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5237 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 6.5 V 8.2 V 8 ohmios
DDTA115ECA-7-F Diodes Incorporated DDTA115ECA-7-F 0.0386
RFQ
 ECAD 3013 0.00000000 Diodos incorporados DDTA (R1 = Serie R2) CA Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta115 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100 kohms 100 kohms
DMN3009SFG-7 Diodes Incorporated DMN3009SFG-7 0.7700
RFQ
 ECAD 298 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN3009 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 30 V 16A (TA), 45A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 15 V - 900MW (TA)
DMTH10H025SK3-13 Diodes Incorporated DMTH10H025SK3-13 0.2466
RFQ
 ECAD 3796 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 46.3a (TC) 6V, 10V 23mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 21.4 NC @ 10 V ± 20V 1544 pf @ 50 V - 2W (TA)
GBPC2510W Diodes Incorporated GBPC2510W -
RFQ
 ECAD 9502 0.00000000 Diodos incorporados - Banda Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC2510 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados GBPC2510WDI EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V 25 A Fase única 1 kV
BZT52C27S-7 Diodes Incorporated BZT52C27S-7 -
RFQ
 ECAD 9186 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW Sod-323 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 18.9 V 27 V 80 ohmios
DMP21D0UFB-7B Diodes Incorporated DMP21D0UFB-7B 0.3800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN DMP21 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 770MA (TA) 1.8V, 4.5V 495mohm @ 400mA, 4.5V 1V @ 250 µA 1.5 NC @ 8 V ± 8V 76.5 pf @ 10 V - 430MW (TA)
DMNH6021SPDWQ-13 Diodes Incorporated DMNH6021SPDWQ-13 0.7046
RFQ
 ECAD 2666 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn DMNH6021 Mosfet (Óxido de metal) 1.5W (TA) PowerDI5060-8 (Tipo R) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMNH6021SPDWQ-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 8.2a (TA), 32a (TC) 25mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 20.1NC @ 10V 1143pf @ 25V -
BCP5416TA Diodes Incorporated Bcp5416ta 0.4000
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BCP5416 2 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 45 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 150MHz
DMN3033LSDQ-13 Diodes Incorporated DMN3033LSDQ-13 0.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN3033 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 6.9a 20mohm @ 6.9a, 10V 2.1V @ 250 µA 13NC @ 10V 725pf @ 15V -
BSS123WQ-7-F Diodes Incorporated BSS123WQ-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 635 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BSS123 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 V 170MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10v 2v @ 1 mapa ± 20V 60 pf @ 25 V - 200MW (TA)
SDT10A45P5-13 Diodes Incorporated SDT10A45P5-13 0.1342
RFQ
 ECAD 2960 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 Sdt10 Schottky Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 470 MV @ 10 A 300 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
LZ52C7V5W Diodes Incorporated LZ52C7V5W -
RFQ
 ECAD 8624 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) LZ52C 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 5 V 7.5 V 7 ohmios
MBR10150CT-LJ Diodes Incorporated MBR10150CT-LJ -
RFQ
 ECAD 4832 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MBR10150 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados MBR10150CT-LJDI EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 5A 890 MV @ 5 A 50 µA @ 150 V -55 ° C ~ 75 ° C
ZVP1320ASTOA Diodes Incorporated ZVP1320ASTOA -
RFQ
 ECAD 1879 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 200 V 70MA (TA) 10V 80ohm @ 50 mm, 10v 3.5V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 625MW (TA)
PD3S230H-7-2477 Diodes Incorporated PD3S230H-7-2477 -
RFQ
 ECAD 6458 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela La Última Vez Que Compre Montaje en superficie PowerDi ™ 323 Schottky PowerDi ™ 323 - 31-PD3S230H-7-2477 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 600 MV @ 2 A 100 µA @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C 2A 40pf @ 10V, 1 MHz
ZMM5246B-7 Diodes Incorporated ZMM5246B-7 -
RFQ
 ECAD 7794 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 ZMM5246 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 12 V 16 V 17 ohmios
DDTA114TCA-7-F Diodes Incorporated Ddta114tca-7-f 0.0386
RFQ
 ECAD 1616 0.00000000 Diodos incorporados DDTA (Serie Solo R1) CA Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta114 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 100 µA, 1 mA 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 10 kohms
DMP2160U-7 Diodes Incorporated DMP2160U-7 0.4500
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2160 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 3.2a (TA) 1.8V, 4.5V 80mohm @ 1.5a, 4.5V 900MV @ 250 µA ± 12V 627 pf @ 10 V - 1.4W (TA)
B250AE-13 Diodes Incorporated B250AE-13 -
RFQ
 ECAD 7308 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA B250 Schottky SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 650 MV @ 2 A 100 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 75pf @ 4V, 1 MHz
DMPH4029LFG-13 Diodes Incorporated DMPH4029LFG-13 0.2558
RFQ
 ECAD 5470 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMPH4029 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMPH4029LFG-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 8a (TA), 22a (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 3a, 10v 3V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 1626 pf @ 20 V - 1.2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

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