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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
RH02-T Diodes Incorporated RH02-T 0.2436
RFQ
 ECAD 3127 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota RH02 Estándar 4 minidip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 1.15 V @ 400 Ma 5 µA @ 200 V 500 mA Fase única 200 V
GBJ1002 Diodes Incorporated GBJ1002 -
RFQ
 ECAD 9282 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Descontinuado en sic -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ1002 Estándar GBJ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado GBJ1002DI EAR99 8541.10.0080 15 1.05 v @ 5 a 10 µA @ 200 V 10 A Fase única 200 V
SMAZ15-13 Diodes Incorporated Smaz15-13 -
RFQ
 ECAD 1079 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaz15 1 W SMA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 11.4 V 15 V 10 ohmios
MMSZ5239B-7-F Diodes Incorporated MMSZ5239B-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 503 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5239 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 7 V 9.1 V 10 ohmios
GBPC1501 Diodes Incorporated GBPC1501 -
RFQ
 ECAD 5309 0.00000000 Diodos incorporados - Banda Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC1501 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados GBPC1501DI EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 100 V 15 A Fase única 100 V
GBJ2010-F Diodes Incorporated GBJ2010-F 2.1700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ2010 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 15 1.05 v @ 10 a 10 µA @ 1000 V 20 A Fase única 1 kV
GBPC2502 Diodes Incorporated GBPC2502 -
RFQ
 ECAD 5143 0.00000000 Diodos incorporados - Banda Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC2502 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados GBPC2502DI EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 200 V 25 A Fase única 200 V
DF1506S-T Diodes Incorporated DF1506S-T 0.5800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DF1506 Estándar DF-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 600 V 1.5 A Fase única 600 V
BZT52C39-13 Diodes Incorporated BZT52C39-13 -
RFQ
 ECAD 2629 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 27.3 V 39 V 130 ohmios
KBP005G Diodes Incorporated KBP005G 0.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP KBP005 Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 35 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 50 V 1.5 A Fase única 50 V
BZT52C15T-7 Diodes Incorporated BZT52C15T-7 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52 300 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
GBJ1510 Diodes Incorporated GBJ1510 -
RFQ
 ECAD 3300 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Descontinuado en sic -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ1510 Estándar GBJ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado GBJ1510DI EAR99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 7.5 A 10 µA @ 1000 V 15 A Fase única 1 kV
GBPC3506 Diodes Incorporated GBPC3506 -
RFQ
 ECAD 8628 0.00000000 Diodos incorporados - Banda Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC3506 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados GBPC3506DI EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 600 V 35 A Fase única 600 V
GBJ1504-F Diodes Incorporated GBJ1504-F 1.5000
RFQ
 ECAD 5128 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ1504 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 7.5 A 10 µA @ 400 V 15 A Fase única 400 V
DMT2004UFG-7 Diodes Incorporated Dmt2004ufg-7 0.6100
RFQ
 ECAD 3407 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT2004 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 24 V 70A (TC) 2.5V, 10V 5mohm @ 12a, 10v 1.45V @ 250 µA 53.7 NC @ 10 V ± 12V 1683 pf @ 15 V - 2.3W (TA)
GBJ2004 Diodes Incorporated GBJ2004 -
RFQ
 ECAD 3199 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ2004 Estándar GBJ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Gbj2004di EAR99 8541.10.0080 15 1.05 v @ 10 a 10 µA @ 400 V 20 A Fase única 400 V
MMBZ5230BS-7 Diodes Incorporated MMBZ5230BS-7 0.1000
RFQ
 ECAD 675 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta de Corte (CT) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 200 MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 2 Independientes 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 4.7 V 19 ohmios
DFLZ15Q-7 Diodes Incorporated DFLZ15Q-7 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie PowerDI®123 DFLZ15 1 W PowerDi ™ 123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 11 V 15 V 1 ohmios
GBPC1504 Diodes Incorporated GBPC1504 -
RFQ
 ECAD 3853 0.00000000 Diodos incorporados - Banda Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC1504 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados GBPC1504DI EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 400 V 15 A Fase única 400 V
BZT52C33S-7-F Diodes Incorporated BZT52C33S-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 23.1 V 33 V 80 ohmios
DZ9F6V8S92-7 Diodes Incorporated DZ9F6V8S92-7 0.0447
RFQ
 ECAD 5666 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sod-923 DZ9F6 200 MW Sod-923 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 500 na @ 3.5 V 6.8 V 40 ohmios
ZVNL120GTA Diodes Incorporated Zvnl120gta 0.9400
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZVNL120 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 320MA (TA) 3V, 5V 10ohm @ 250 mA, 5V 1.5V @ 1MA ± 20V 85 pf @ 25 V - 2W (TA)
DZ9F18S92-7 Diodes Incorporated DZ9F18S92-7 0.2200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sod-923 DZ9F18 200 MW Sod-923 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 14 V 18 V 50 ohmios
BZX84C4V3W-7 Diodes Incorporated BZX84C4V3W-7 -
RFQ
 ECAD 2109 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 7% -65 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW Sot-323 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
GBPC2506 Diodes Incorporated GBPC2506 -
RFQ
 ECAD 4595 0.00000000 Diodos incorporados - Banda Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC2506 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados GBPC2506DI EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 25 A Fase única 600 V
ZXMD65P02N8TC Diodes Incorporated ZXMD65P02N8TC -
RFQ
 ECAD 7425 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMD65P02 Mosfet (Óxido de metal) 1.75W 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 4A 50mohm @ 2.9a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 20NC @ 4.5V 960pf @ 15V -
PDS1040L-13-2477 Diodes Incorporated PDS1040L-13-2477 -
RFQ
 ECAD 9626 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela La Última Vez Que Compre Montaje en superficie Powerdi ™ 5 Schottky Powerdi ™ 5 - 31-PDS1040L-13-2477 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 490 MV @ 10 A 600 µA @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
DF04S Diodes Incorporated DF04S 0.4600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DF04 Estándar DF-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados Df04sdi EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 10 µA @ 400 V 1 A Fase única 400 V
ZXMP10A17GTA Diodes Incorporated ZXMP10A17GTA 0.3360
RFQ
 ECAD 1944 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZXMP10 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 100 V 1.7a (TA) 6V, 10V 350mohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250 µA 10.7 NC @ 10 V ± 20V 424 pf @ 50 V - 2W (TA)
BZT52C33-7-F Diodes Incorporated BZT52C33-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 23.1 V 33 V 80 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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