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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
DMTH6005LK3-13 Diodes Incorporated DMTH6005LK3-13 1.1200
RFQ
 ECAD 3913 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH6005 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 90A (TC) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 50A, 10V 3V @ 250 µA 47.1 NC @ 10 V ± 20V 2962 pf @ 30 V - 2.1W (TA), 100W (TC)
DMTH6009LPS-13 Diodes Incorporated DMTH6009LPS-13 0.7900
RFQ
 ECAD 3613 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH6009 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 11.76a (TA), 89.5a (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 15.6 NC @ 4.5 V ± 16V 1925 pf @ 30 V - 2.8W (TA), 136W (TC)
MB1505W Diodes Incorporated MB1505W -
RFQ
 ECAD 7042 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, MB-W Estándar MB-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados MB1505WDI EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 50 V 15 A Fase única 50 V
DMN6140LQ-7 Diodes Incorporated DMN6140LQ-7 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6140 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 1.6a (TA) 4.5V, 10V 140mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250 µA 8.6 NC @ 10 V ± 20V 315 pf @ 40 V - 700MW (TA)
DMPH6050SSDQ-13 Diodes Incorporated DMPH6050SDQ-13 0.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMPH6050 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 60V 5.2a (TA) 48mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 14.5nc @ 4.5V 1525pf @ 30V -
S08M02600A Diodes Incorporated S08M02600A 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados S08xxa Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) S08M02600 Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2,000 5 Ma 600 V 800 Ma 800 MV 10A @ 60Hz 200 µA 1.7 V 10 µA Puerta sensible
DMN3024LSD-13 Diodes Incorporated DMN3024LSD-13 0.6400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN3024 Mosfet (Óxido de metal) 1.8w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 6.8a 24mohm @ 7a, 10v 3V @ 250 µA 12.9nc @ 10V 608pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
DMN2004DWKQ-7 Diodes Incorporated DMN2004DWKQ-7 0.1193
RFQ
 ECAD 1683 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMN2004 Mosfet (Óxido de metal) 200MW Sot-363 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 540MA (TA) 550mohm @ 540 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.95nc @ 8V 150pf @ 16V -
DMN3033LSDQ-13 Diodes Incorporated DMN3033LSDQ-13 0.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN3033 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 6.9a 20mohm @ 6.9a, 10V 2.1V @ 250 µA 13NC @ 10V 725pf @ 15V -
ZVP4105A Diodes Incorporated ZVP4105A -
RFQ
 ECAD 7235 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado ZVP4105A-NDR EAR99 8541.21.0095 4.000 Canal P 50 V 175MA (TA) 5V 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa ± 20V 40 pf @ 25 V - 625MW (TA)
ZVN0540ASTZ Diodes Incorporated Zvn0540astz -
RFQ
 ECAD 6440 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 400 V 90MA (TA) 10V 50ohm @ 100 mA, 10V 3V @ 1MA ± 20V 70 pf @ 25 V - 700MW (TA)
ZVP3310ASTOA Diodes Incorporated Zvp3310astoa -
RFQ
 ECAD 7050 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 100 V 140MA (TA) 10V 20ohm @ 150mA, 10V 3.5V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 625MW (TA)
DMG1016VQ-13 Diodes Incorporated DMG1016VQ-13 0.1418
RFQ
 ECAD 8468 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMG1016 Mosfet (Óxido de metal) 530MW SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMG1016VQ-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 Vecino del canal 20V 870MA, 640MA 400mohm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.74nc @ 4.5V 60.67pf @ 16V Puerta de Nivel Lógico
DMN2215UDM-7 Diodes Incorporated DMN2215UDM-7 0.5600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 DMN2215 Mosfet (Óxido de metal) 650MW Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 2a 100mohm @ 2.5a, 4.5V 1V @ 250 µA - 188pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FZT603QTA Diodes Incorporated FZT603QTA 0.9200
RFQ
 ECAD 988 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT603 1.2 W SOT-223-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 80 V 2 A 10 µA NPN - Darlington 1.13V @ 20 mm, 2a 5000 @ 500 mA, 5V 150MHz
DMP3099L-13 Diodes Incorporated DMP3099L-13 0.3400
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3099 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 Canal P 30 V 3.8a (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 3.8a, 10v 2.1V @ 250 µA 5.2 NC @ 4.5 V ± 20V 563 pf @ 25 V - 1.08W (TA)
ZXMN2A01E6TA Diodes Incorporated Zxmn2a01e6ta 0.5800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Zxmn2 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 2.5a (TA) 2.5V, 4.5V 120mohm @ 4a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 3 NC @ 4.5 V ± 12V 303 pf @ 15 V - 1.1W (TA)
BZT52C11S-7-F Diodes Incorporated BZT52C11S-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 11 V 20 ohmios
DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated DMC25D0UVT-7 0.4100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMC25 Mosfet (Óxido de metal) 1.2w TSOT-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Vecino del canal 25V, 30V 400 Ma, 3.2a 4ohm @ 400mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 0.7nc @ 8V 26.2pf @ 10V -
MMBD4448HADW-7 Diodes Incorporated MMBD4448HADW-7 -
RFQ
 ECAD 9579 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Mmbd4448ha Estándar Sot-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Par de Ánodo Común 80 V 250 Ma 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 100 na @ 70 V -65 ° C ~ 150 ° C
DMP22D5UDJ-7A Diodes Incorporated DMP22D5UDJ-7A 0.0473
RFQ
 ECAD 9297 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-963 DMP22 Mosfet (Óxido de metal) 380MW (TA) Sot-963 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMP22D5UDJ-7ATR EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal P (Dual) 20V 360MA (TA) 1.9ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.3NC @ 4.5V 17pf @ 15V -
2N7002VAC-7 Diodes Incorporated 2N7002VAC-7 0.1127
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) 150MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 280 Ma 7.5ohm @ 50 mm, 5V 2.5V @ 250 µA - 50pf @ 25V -
B0540W-7 Diodes Incorporated B0540W-7 -
RFQ
 ECAD 1382 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SOD-123 B0540 Schottky SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 510 MV @ 500 Ma 20 µA @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C 500mA 170pf @ 0V, 1 MHz
SBR30A100CTB-13-G Diodes Incorporated SBR30A100CTB-13-G -
RFQ
 ECAD 1767 0.00000000 Diodos incorporados Automotive, AEC-Q101, SBR® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SBR30 Super Barrera Un 263 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-SBR30A100CTB-13-GTR EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 15A 850 MV @ 15 A 100 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C
RABF158-13 Diodes Incorporated Rabf158-13 -
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Rabf158 Estándar 4-SOPA - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 1.3 V @ 1.5 A 5 µA @ 800 V 1.5 A Fase única 800 V
PBPC802 Diodes Incorporated PBPC802 -
RFQ
 ECAD 6871 0.00000000 Diodos incorporados - Caja Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrados, PBPC-8 Estándar PBPC-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 150 1.1 v @ 4 a 10 µA @ 100 V 6 A Fase única 100 V
SDT20120CT Diodes Incorporated SDT20120CT 0.7124
RFQ
 ECAD 4224 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SDT20120 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados Sdt20120ctdi EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 120 V 10A 880 MV @ 10 A 80 µA @ 120 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZX84C7V5-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84C7V5-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 4238 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BZX84C7V5-7-F-79TR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 5 V 7.5 V 15 ohmios
ZXMN3B04N8TA Diodes Incorporated Zxmn3b04n8ta 1.1400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMN3 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 30 V 7.2a (TA) 2.5V, 4.5V 25mohm @ 7.2a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 23.1 NC @ 4.5 V ± 12V 2480 pf @ 15 V - 2W (TA)
ZXMP3A16GTA Diodes Incorporated Zxmp3a16gta 0.9400
RFQ
 ECAD 3934 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZXMP3A16 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 30 V 5.4a (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 4.2a, 10V 1V @ 250 µA 29.6 NC @ 10 V ± 20V 1022 pf @ 15 V - 2W (TA)
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