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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Dta123ymt2l | 0.3500 |  | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | DTA123 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RB450UMTL | 0.5000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | SC-85 | RB450 | Schottky | Umd3f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 550 MV @ 100 Ma | 10 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 100mA | 6pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB511SM-30T2R | 0.2000 | | 71 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | RB511 | Schottky | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 370 MV @ 10 Ma | 7 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc114tu3hzgt106 | 0.3800 | | 5534 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Dtc114 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
| RB510SM-40T2R | 0.2000 | | 41 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | RB510 | Schottky | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 480 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 100mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Dta114tu3t106 | 0.3100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Dta114 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC4102U3T106S | 0.4900 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 2SC4102 | 1.2 W | SOT-223-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 60 V | 50 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 600mA, 6a | 150 @ 500mA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BSM300C12P3E201 | 750.6000 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | BSM300 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BSM300C12P3E201 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 | N-canal | 1200 V | 300A (TC) | - | - | 5.6V @ 80mA | +22V, -4V | 15000 pf @ 10 V | - | 1360W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | BSM180D12P2E002 | 811.8000 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | BSM180 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 1360W (TC) | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BSM180D12P2E002 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 Canales N (Medio Puente) | 1200V (1.2kv) | 204A (TC) | - | 4V @ 35.2MA | - | 18000PF @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | BSM120C12P2C201 | 428.4000 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | BSM120 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 935W (TC) | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BSM120C12P2C201 | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | 2 Canal | 1200V (1.2kv) | 134a (TC) | - | 4V @ 22 MMA | - | 14000PF @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | RB480Y-40GT2R | - | | 8041 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RB480Y-40GT2RTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 Independientes | 30 V | 100mA | 530 MV @ 100 Ma | 1 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Rb851ygt2rb | - | | 4663 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RB851YGT2RBTR | Obsoleto | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 Independientes | 3 V | 30 mA (DC) | 460 MV @ 1 MA | 700 na @ 1 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Rb480ygjt2r | - | | 8679 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RB480YGJT2RTR | Obsoleto | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 Independientes | 30 V | 100mA | 530 MV @ 100 Ma | 1 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Rb480yfjt2r | - | | 2993 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RB480YFJT2RTR | Obsoleto | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 Independientes | 30 V | 100mA | 530 MV @ 100 Ma | 1 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rd3u041aafratl | 1.6900 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3U041 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 250 V | 4A (TC) | 10V | 1.3ohm @ 2a, 10v | 5.5V @ 1MA | 8.5 NC @ 10 V | ± 30V | 350 pf @ 25 V | - | 29W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | UDZLVFHTE-1791 | 0.4400 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.04% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | UDZLVFHTE-1791 | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 69 V | 91 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| UDZLVFHTE-1782 | 0.4400 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.1% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | UDZLVFHTE-1782 | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 63 V | 82 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sct3060aw7tl | 18.9700 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | SCT3060 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | Un 263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 38a (TC) | 78mohm @ 13a, 18V | 5.6V @ 6.67MA | 58 NC @ 18 V | +22V, -4V | 852 pf @ 500 V | - | 159W | ||||||||||||||||||||||||||
| Sct3080aw7tl | 14.5200 | | 925 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | SCT3080 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | Un 263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 29a (TC) | 104mohm @ 10a, 18V | 5.6V @ 5 mm | 48 NC @ 18 V | +22V, -4V | 571 pf @ 500 V | - | 125W | ||||||||||||||||||||||||||
 | Rfn1l6sddte25 | 0.4900 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Rfn1l6 | Estándar | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.45 V @ 800 Ma | 35 ns | 1 µA @ 600 V | 150 ° C | 800mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| UM222222AU3HZGT106 | 0.4100 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | UM2222 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-um222222au3hzgt106tr | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 100NA (ICBO) | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RSQ030N08HZGTR | 0.8300 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RSQ030 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 3a (TA) | 4V, 10V | 131mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 1MA | 6.5 NC @ 5 V | ± 20V | 550 pf @ 10 V | - | 950MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
| RBR1L60AdDTE25 | 0.4400 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RBR1L60 | Schottky | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 530 MV @ 1 A | 75 µA @ 60 V | 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Kdzvtftr43a | 0.4500 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.97% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | Kdzvtftr43 | 1 W | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 A @ 33 V | 43 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rfn1l7sddte25 | 0.5700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Rfn1l7 | Estándar | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 700 V | 1.5 V @ 800 Ma | 80 ns | 1 µA @ 700 V | 150 ° C | 800mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| Dtc114gu3hzgt106 | 0.3700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Dtc114 | 200 MW | UMT3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2Sar586jfrgtll | 2.1200 | | 974 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 2Sar586 | 40 W | LPTL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 80 V | 5 A | 1 µA (ICBO) | 320mv @ 100 mm, 2a | 120 @ 500 Ma, 3V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rrs075p03fratb | 0.6390 | | 1578 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RRS075 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 7.5a (TA) | 4V, 10V | 21mohm @ 7.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 21 NC @ 5 V | ± 20V | 1900 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
| Dtc144tmfhat2l | 0.0668 | | 2095 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | Sot-723 | Dtc144 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RFN20TJ6SFHGC9 | 2.8600 | | 978 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | RFN20 | Estándar | Un 220ACFP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.55 V @ 20 A | 140 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C | 20A | - |
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