- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sp8j4tb | - |  | 4479 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sp8j4 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 2a | 235mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 1MA | 2.4nc @ 5V | 190pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Rf305bm6stl | 1.0400 | | 260 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RF305 | Estándar | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 v @ 3 a | 30 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RF2001T3D | 0.7887 | | 9055 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RF2001 | Estándar | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 300 V | 10A | 1.3 V @ 10 A | 25 ns | 10 µA @ 300 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ufzvfhte-1733b | 0.3100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.52% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Ufzvfhte | 500 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 25 V | 33 V | 65 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2sc5585tl | 0.4400 | | 957 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | 2SC5585 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 250 mv @ 10 ma, 200 ma | 270 @ 10mA, 2V | 320MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Dtc115eetl | 0.3500 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTC115 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 20 Ma | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 kohms | 100 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS40-05HMFHT116 | 0.2100 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 40 V | 120 mA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 10 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bc857bhzgt116 | 0.1900 | | 14 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 210 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc113zu3hzgt106 | 0.3800 | | 45 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTC113 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Edzvt2r8.2b | 0.2800 | | 222 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edzv | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzvt2 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 500 na @ 5 V | 8.2 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| RXH125N03TB1 | 0.5586 | | 9202 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RXH125 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 12.5a (TA) | 4V, 10V | 12mohm @ 12.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 12.7 NC @ 5 V | ± 20V | 1000 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc143xubhzgtl | 0.0415 | | 4123 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-85 | DTC143 | 200 MW | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 mA | - | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBR2MM60CTR | 0.5300 | | 3137 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RBR2MM60 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 550 MV @ 2 A | 120 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IMX17T108 | 0.1807 | | 8955 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | IMX17 | 300MW | Smt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 500mA | 100NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mapa, 3V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2503TL | - | | 7070 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SK2503 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 5A (TA) | 4V, 10V | 135mohm @ 2.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | ± 20V | 520 pf @ 10 V | - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| Edzte6122b | 0.3500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzte6122 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 17 V | 22 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ru1e002sptcl | 0.3600 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-85 | Ru1e002 | Mosfet (Óxido de metal) | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 250 mA (TA) | 4V, 10V | 1.4ohm @ 250 mA, 10V | 2.5V @ 1MA | ± 20V | 30 pf @ 10 V | - | 200MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
 | KDZTR10B | 0.5200 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Kdz | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123F | KDZTR10 | 1 W | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 7 V | 10.3 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rf05vym2sfhtr | 0.4000 | | 21 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | Rf05vym2 | Estándar | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 980 MV @ 500 Ma | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB162VA-20TR | 0.1462 | | 7184 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RB162 | Schottky | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 400 MV @ 1 A | 1.2 Ma @ 20 V | 125 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB420DT146 | 0.3900 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | RB420 | Schottky | Smd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 450 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 6pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB048RSM10STFTL1 | 1.4600 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Schottky | Un 277a | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 840 MV @ 8 A | 3.4 µA @ 100 V | 175 ° C | 8A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtb114gkt146 | 0.4300 | | 527 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dtb114 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 56 @ 50 mm, 5V | 200 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta023eBtl | 0.1900 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | DTA023 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | - | PNP - Pre -Sesgado | 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma | 20 @ 20MA, 10V | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RLZTE-1130A | - | | 1157 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 23 V | 28.4 V | 55 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6006KNXC7G | 2.7400 | | 987 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6006 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6006KNXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 6a (TA) | 10V | 830mohm @ 3a, 10v | 5.5V @ 1MA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| RLZTE-1130C | - | | 7457 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 23 V | 28.4 V | 55 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SCR554P5T100 | 0.5100 | | 10 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SCR554 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 80 V | 1.5 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 300mv @ 25 mm, 500 mA | 120 @ 100 mapa, 3V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | US6X3TR | - | | 4238 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | US6X | 400 MW | Tumt6 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 3 A | 100NA (ICBO) | NPN | 250 MV @ 30 Ma, 1.5a | 270 @ 500mA, 2V | 360MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | QSH29TR | 0.9000 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | QSH29 | 1.25W | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 70V | 500mA | 500NA (ICBO) | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mv @ 1 mapa, 100 mapa | 500 @ 200MA, 5V | - | 10 kohms | - |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)