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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Rfuh20ns6sfhtl | 1.6700 |  | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Rfuh20 | Estándar | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.8 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 20A | 315pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rre07vsm4str | 0.4400 | | 8336 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | Rre07 | Estándar | Tumd2sm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 700 Ma | 1 µA @ 400 V | 150 ° C (Máximo) | 700mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtd543zmt2l | 0.1035 | | 4048 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | Dtd543 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 12 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 140 @ 100mA, 2V | 260 MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SCR552PFRAT100 | 0.5500 | | 703 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SCR552 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 3 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50 mm, 1a | 200 @ 500mA, 2V | 280MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pdzvtr30a | 0.1275 | | 8565 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6.67% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | Pdzvtr30 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 23 V | 30 V | 18 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Edzte6115b | - | | 9127 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzte6115 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 11 V | 14.7 V | 42 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RLZTE-1110C | - | | 4591 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 7 V | 9.7 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84C2V4LYT116 | 0.4200 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 8.33% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD2652T106 | 0.4700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SD2652 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 1.5 A | 100NA (ICBO) | NPN | 200 MV a 25 mm, 500 Ma | 270 @ 200MA, 2V | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FMG9AT148 | 0.5200 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | Fmg9 | 300MW | Smt5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB078RSM15STFTL1 | 1.3300 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | RB078 | Schottky | Un 277a | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 870 MV @ 5 A | 2.1 µA @ 150 V | 175 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BM64374S-VA | 21.4000 | | 4387 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 25 Potencias (1.134 ", 28.80 mm) | IGBT | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BM64374S-VA | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | Inversor de 3 fase | 15 A | 600 V | 1500 VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc124xkat146 | 0.2600 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC124 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 50 Ma | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rfn10tf6sc9 | 2.4100 | | 890 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | RFN10 | Estándar | Un 220nfm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RFN10TF6SC9 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.55 v @ 10 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Edzvt2r2.2b | 0.3800 | | 38 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edzv | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4.32% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 120 µA @ 700 MV | 2.2 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | QST6TR | 0.2415 | | 8941 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | QST6 | 500 MW | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 2 A | 100NA (ICBO) | PNP | 180mv @ 50 mm, 1a | 270 @ 200MA, 2V | 360MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SCRC41CHZGT116R | 0.5300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SCRC41 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 V | 50 Ma | 500NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 180 @ 2mA, 6V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rbs2mm40ctr | 0.4300 | | 33 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | Rbs2lam40 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 370 MV @ 2 A | 800 µA @ 20 V | 125 ° C (Máximo) | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Dta115gkat146 | 0.0463 | | 6771 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTA115 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBR20T40AnZC9 | 1.5000 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RBR20 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 10A | 620 MV @ 10 A | 240 µA @ 40 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB160VAM-60TR | 0.4300 | | 12 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RB160 | Schottky | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 670 MV @ 1 A | 40 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N4403T93 | - | | 7046 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 2N4403 | 625 MW | Un 92 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 750mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 150mA, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sp8j5fratb | 2.3800 | | 3167 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SP8J5 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 7a (TA) | 28mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 1MA | Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 4V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | QS5U17TR | 0.6900 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | QS5U17 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 100mohm @ 2a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 3.9 NC @ 4.5 V | ± 12V | 175 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 900MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB160M-90TR | 0.4700 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOD-123F | RB160 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 730 MV @ 1 A | 100 µA @ 90 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB162LAM-60TR | 0.4900 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB162 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 650 MV @ 1 A | 100 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB060 mm-30tr | 0.4300 | | 75 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RB060 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 490 MV @ 55 A | 50 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TDZVTR27 | 0.3800 | | 3749 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TDZVTR27 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 19 V | 27 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS40-06HMFHT116 | 0.2100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 40 V | 120 mA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 10 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta123Jefratl | 0.2400 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTA123 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 mA | - | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms |
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