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Productos de semiconductoros discretos (6960)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
SCT2750NYTB Rohm Semiconductor SCT2750NYTB 6.9900
RFQ
 ECAD 5038 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA SCT2750 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) Un 268 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 1700 V 5.9a (TC) 18V 975mohm @ 1.7a, 18V 4V @ 630 µA 17 NC @ 18 V +22V, -6V 275 pf @ 800 V - 57W (TC)
RSS070P05FRATB Rohm Semiconductor Rss070p05fratb 1.2346
RFQ
 ECAD 9502 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) RSS070 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 45 V 7a (TA) 4V, 10V 27mohm @ 7a, 10v 2.5V @ 1MA 47.6 NC @ 5 V ± 20V 4100 pf @ 10 V - 2W (TA)
RP1A090ZPTR Rohm Semiconductor RP1A090ZPTR -
RFQ
 ECAD 2756 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables RP1A090 Mosfet (Óxido de metal) Mpt6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 12 V 9a (TA) 1.5V, 4.5V 12mohm @ 9a, 4.5V 1V @ 1MA 59 NC @ 4.5 V ± 10V 7400 pf @ 6 V - 2W (TA)
DTA143XE3TL Rohm Semiconductor Dta143xe3tl 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor rohm Dtc143x Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 DTA143 150 MW EMT3 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN - Precializado + Diodo 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 10 kohms
RQ6E045TNTR Rohm Semiconductor Rq6e045tntr 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 RQ6E045 Mosfet (Óxido de metal) TSMT6 (SC-95) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 4.5a (TA) 2.5V, 4.5V 43mohm @ 4.5a, 4.5V 1.5V @ 1MA 10.7 NC @ 4.5 V ± 12V 540 pf @ 10 V - 950MW (TA)
RBQ15BGE65ATL Rohm Semiconductor RBQ15BGE65ATL 1.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RBQ15 Schottky Un 252GE descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 65 V 15A 630 MV @ 7.5 A 140 µA @ 65 V 150 ° C
2SB1236ATV2P Rohm Semiconductor 2SB1236ATV2P -
RFQ
 ECAD 2424 0.00000000 Semiconductor rohm - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Canal de televisión Británnico 1 W Canal de televisión Británnico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 160 V 1.5 A 1 µA (ICBO) PNP 2v @ 100 ma, 1a 82 @ 100 mapa, 5V 50MHz
RCJ451N20TL Rohm Semiconductor Rcj451n20tl 4.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab RCJ451 Mosfet (Óxido de metal) A 263S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 45a (TC) 10V 55mohm @ 22.5a, 10v 5V @ 1MA 80 NC @ 10 V ± 30V 4200 pf @ 25 V - 1.56W (TA), 211W (TC)
R6030JNXC7G Rohm Semiconductor R6030JNXC7G 7.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero R6030 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6030JNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 30A (TC) 15V 143mohm @ 15a, 15V 7V @ 5.5mA 74 NC @ 15 V ± 30V 2500 pf @ 100 V - 95W (TC)
PTZTE256.8B Rohm Semiconductor Ptzte256.8b 0.2014
RFQ
 ECAD 3686 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños ± 6% - Montaje en superficie DO-214AC, SMA Ptzte256.8 1 W PMDS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 20 µA @ 3.5 V 7.3 V 6 ohmios
R6547ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6547ENZ4C13 9.5600
RFQ
 ECAD 466 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 R6547 Mosfet (Óxido de metal) To-247g descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6547ENZ4C13 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 47a (TC) 10V 80mohm @ 25.8a, 10V 4V @ 1.72MA 150 NC @ 10 V ± 20V 3800 pf @ 25 V - 480W (TC)
RFN5BM2STL Rohm Semiconductor Rfn5bm2stl 1.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Rfn5b Estándar Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 980 MV @ 5 A 25 ns 10 µA @ 200 V 150 ° C (Máximo) 5A -
RD3P130SPTL1 Rohm Semiconductor Rd3p130sptl1 1.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RD3P130 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 100 V 13a (TA) 4V, 10V 200mohm @ 6.5a, 10V 2.5V @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 20W (TC)
2SAR512PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SAR512PFRAT100 0.4500
RFQ
 ECAD 455 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2Sar512 500 MW MPT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 30 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 400mv @ 35mA, 700 mA 200 @ 100 mapa, 2v 430MHz
RQ5P010SNTL Rohm Semiconductor Rq5p010sntl 0.6600
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-96 RQ5P010 Mosfet (Óxido de metal) TSMT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 V 1a (TA) 4V, 10V 520mohm @ 1a, 10v 2.5V @ 1MA 3.5 NC @ 5 V ± 20V 140 pf @ 25 V - 700MW (TA)
RH6P030BG Rohm Semiconductor Rh6p030bg -
RFQ
 ECAD 8209 0.00000000 Semiconductor rohm * Tape & Reel (TR) Activo RH6P030 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RH6P030BGTR 0000.00.0000 3.000
2SC4098T106P Rohm Semiconductor 2SC4098T106P 0.1062
RFQ
 ECAD 6708 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SC4098 200MW UMT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 - 25V 50mera NPN 82 @ 1 MMA, 6V 300MHz -
SH8M31GZETB Rohm Semiconductor Sh8m31gzetb 1.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sh8m31 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 60V 4.5a (TA) 65mohm @ 4.5a, 10v, 70mohm @ 4.5a, 10v 3V @ 1MA 7nc @ 5V, 40nc @ 10V 500pf @ 10V, 2500pf @ 10V -
UT6JA3TCR Rohm Semiconductor UT6JA3TCR 0.8300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn UT6JA3 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) Huml2020l8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 5A (TA) 59mohm @ 5a, 4.5V 1.5V @ 1MA 6.5nc @ 4.5V 460pf @ 10V -
R6020ANZC8 Rohm Semiconductor R6020AnzC8 -
RFQ
 ECAD 9085 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 600 V 20A (TA) 10V 220mohm @ 10a, 10v 4.15V @ 1MA 65 NC @ 10 V ± 30V 2040 pf @ 25 V - 120W (TC)
SP8M2FU6TB Rohm Semiconductor Sp8m2fu6tb -
RFQ
 ECAD 6469 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sp8m2 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 30V 3.5a 83mohm @ 3.5a, 10v 2.5V @ 1MA 3.5nc @ 5V 140pf @ 10V -
EDZ9HKTE6127B Rohm Semiconductor Edz9hkte6127b -
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 Semiconductor rohm Edz Tape & Reel (TR) Obsoleto - -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 Edz9hkt 100 MW EMD2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 846-edz9hkte6127btr EAR99 8541.10.0050 3.000
SP8J65TB1 Rohm Semiconductor Sp8j65tb1 -
RFQ
 ECAD 6043 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SP8J65 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 30V 7A 29mohm @ 7a, 10v 2.5V @ 1MA 18NC @ 5V 1200pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
RB541VM-30FHTE-17 Rohm Semiconductor RB541VM-30FHTE-17 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-90, SOD-323F RB541 Schottky Umd2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 640 MV @ 200 Ma 45 µA @ 30 V 125 ° C (Máximo) 200 MMA -
SP8J1FU6TB Rohm Semiconductor Sp8j1fu6tb -
RFQ
 ECAD 7343 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SP8J1 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SOP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 30V 5A 42mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 1MA 16NC @ 5V 1400pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
RF4E080GNTR Rohm Semiconductor Rf4e080gntr 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powerudfn RF4E080 Mosfet (Óxido de metal) Huml2020l8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 8a (TA) 4.5V, 10V 17.6mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 250 µA 5.8 NC @ 10 V ± 20V 295 pf @ 15 V - 2W (TA)
QH8MA2TCR Rohm Semiconductor QH8MA2TCR 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano QH8MA2 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W TSMT8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Vecino del canal 30V 4.5a, 3a 35mohm @ 4.5a, 10v 2.5V @ 1MA 8.4nc @ 10V 365pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
RB228NS150FHTL Rohm Semiconductor RB228NS150FHTL 2.0900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab RB228 Schottky LPDS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 30A 880 MV @ 15 A 25 µA @ 150 V 150 ° C (Máximo)
RQ1A060ZPTR Rohm Semiconductor RQ1A060ZPTR 0.9600
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano RQ1A060 Mosfet (Óxido de metal) TSMT8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 12 V 6a (TA) 1.5V, 4.5V 23mohm @ 6a, 4.5V 1V @ 1MA 34 NC @ 4.5 V ± 10V 2800 pf @ 6 V - 700MW (TA)
SP8K2HZGTB Rohm Semiconductor Sp8k2hzgtb 2.0400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SP8K2 Mosfet (Óxido de metal) 1.4W (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 6a (TA) 30mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 1MA 10.1NC @ 5V 520pf @ 10V -
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    Volumen de RFQ promedio diario

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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