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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Ptzte2516b | 0.2014 |  | 2288 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6% | - | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Ptzte2516 | 1 W | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µA @ 12 V | 16.9 V | 12 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta113tkat146 | 0.3100 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dta113 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 1 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1774TLR | 0.3800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | 2SA1774 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 180 @ 1 MMA, 6V | 140MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dan202umfhtl | 0.2800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-85 | Dan202 | Estándar | Umd3f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sp8m3fd5tb1 | - | | 8104 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Sp8m3 | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-SP8M3FD5TB1TR | Obsoleto | 2.500 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6011knjtl | 2.3500 | | 1525 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R6011 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 390mohm @ 3.8a, 10V | 5V @ 1MA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 25 V | - | 124W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB521S-30SPTE61 | - | | 2587 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | RB521 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RB521S-30SPTE61TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc144tmfhat2l | 0.0668 | | 2095 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | Sot-723 | Dtc144 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SAR553PHZGT100 | 0.6100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 500 MW | Sot-89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 50 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 35mA, 700 mA | 180 @ 50 mm, 2v | 320MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R5011anjtl | 1.9272 | | 1713 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R5011 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 11a (TA) | 10V | 500mohm @ 5.5a, 10V | 4.5V @ 1MA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 1000 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SCS310AJTLL | 5.4400 | | 518 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SCS310 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | LPTL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.5 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 10A | 500pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2sc5865tlr | 0.1102 | | 9261 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | 2SC5865 | 500 MW | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2sc5865mgtlr | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 V | 1 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 180 @ 100mA, 2V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RDX080N50FU6 | - | | 9782 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RDX080 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 8a (TA) | 10V | 850mohm @ 4a, 10v | 4V @ 1MA | 28 NC @ 10 V | ± 30V | 920 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RJU002N06FRAT106 | 0.0924 | | 8145 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | RJU002 | Mosfet (Óxido de metal) | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 200MA (TA) | 2.5V, 4.5V | 2.3ohm @ 200MA, 4.5V | 1.5V @ 1MA | ± 12V | 18 pf @ 10 V | - | 200MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Umg6ntr | 0.0848 | | 9387 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | UMG6 | 150MW | UMT5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | - | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250MHz | 47 kohms | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB411VAM-50TR | 0.4300 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RB411 | Schottky | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 500 Ma | 30 µA @ 10 V | 125 ° C | 500mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB560VM-40FHTE-17 | 0.3800 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | RB560 | Schottky | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 640 MV @ 500 Ma | 40 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rb496katr | 0.5300 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Plano Plano | RB496 | Schottky | Tumd5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 20 V | 1A | 430 MV @ 1 A | 800 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RGT50NS65DGTL | 3.4100 | | 8949 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RGT50 | Estándar | 194 W | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 25A, 10ohm, 15V | 58 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 48 A | 75 A | 2.1V @ 15V, 25A | - | 49 NC | 27ns/88ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC5001TLQ | 0.5175 | | 7553 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SC5001 | 1 W | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 20 V | 10 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 250 MV @ 50 mm, 4a | 120 @ 500mA, 2V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | KDZVTR2.2B | 0.4300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.68% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | KDZVTR2.2 | 1 W | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 µA @ 700 MV | 2.2 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SB1189T100R | 0.6400 | | 186 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SB1189 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 V | 700 Ma | 500NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 180 @ 100 mm, 3V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rb731xnfhtr | 0.5100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | RB731 | Schottky | Umd6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 3 Independientes | 40 V | 30mera | 370 MV @ 1 MA | 1 µA @ 10 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2679T100 | 0.2883 | | 1534 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SD2679 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 370 MV a 75 mm, 1.5a | 270 @ 200MA, 2V | 280MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Dtc123jmt2l | 0.3300 | | 10 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | DTC123 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IMB4AT110 | 0.1067 | | 1573 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | IMB4 | 300MW | Smt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | - | 2 PNP - Precializado (dual) | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250MHz | 10 kohms | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RSX301L-30TE25 | 0.5100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RSX301 | Schottky | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 420 MV @ 3 A | 200 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBQ5RSM65BTL1 | 0.9000 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Schottky | Un 277a | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 65 V | 660 MV @ 5 A | 90 µA @ 65 V | 150 ° C | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rb058lam100tftr | 0.5700 | | 17 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB058 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 3 µA @ 150 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mtzjt-7727b | - | | 1491 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-7727 | 500 MW | MSD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 21 V | 27 V | 45 ohmios |
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