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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | US5U35TR | 0.6200 |  | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Plano Plano | US5U35 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 45 V | 700 mA (TA) | 4V, 10V | 800mohm @ 700 mA, 10V | 2.5V @ 1MA | 1.7 NC @ 5 V | ± 20V | 120 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | RB168LAM-40TFTR | 0.4500 | | 183 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB168 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 na @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta124xu3hzgt106 | 0.3800 | | 609 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Dta124 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | UDZLVTE-17120 | 0.3400 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzlvte | 200 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 91 V | 120 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD1763AE | - | | 5198 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 2 W | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 160 V | 1.5 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 2v @ 100 ma, 1a | 60 @ 100mA, 5V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB521S-30TE61 | - | | 6614 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | RB521 | Schottky | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 500 MV @ 200 Ma | 30 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB521ZS-40T2R | - | | 2691 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 0201 (0603 Métrica) | RB521 | Schottky | Gmd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RB521ZS-40T2RTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 410 MV @ 10 Ma | 25 µA @ 40 V | 125 ° C | 100mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RBR30T30AnzC9 | 1.6900 | | 988 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RBR30 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 15A | 550 MV @ 15 A | 300 µA @ 30 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB160M-60TR | 0.4300 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOD-123F | RB160M-60 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 550 MV @ 1 A | 50 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | 40pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rf505bm6sfhtl | 1.4400 | | 50 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RF505 | Estándar | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 5 A | 30 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD786STPS | - | | 9086 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | - | A Través del Aguetero | SC-72 Peques Formados | 2SD786 | SPT | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 846-2SD786STPSTB | 5,000 | 40 V | 300 mA | - | - | - | 560 @ 10mA, 6V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R4008andtl | 0.9781 | | 8373 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | R4008 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 400 V | 8a (TA) | 10V | 950mohm @ 4a, 10v | 4.5V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 500 pf @ 25 V | - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | BCW30T116 | 0.1049 | | 1675 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW30 | SST3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 32 V | 100 mA | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtb513ze3tl | 0.4000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTB513 | 150 MW | EMT3 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 500 mA | 500NA | PNP - Precializado + Diodo | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 140 @ 100mA, 2V | 260 MHz | 1 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Rfnl5bm6stl | 0.4230 | | 9016 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Rfnl5 | Estándar | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 5 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Rlzte-1122d | - | | 8640 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | RLZTE-1122 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 17 V | 21.2 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| UMT3904T106 | 0.3800 | | 138 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | UMT3904 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 200 MA | 50NA | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| Rf081lam2str | 0.4400 | | 4049 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RF081 | Estándar | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 980 MV @ 1 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 1.1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SCS212AJHRTLL | 8.3500 | | 40 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SCS212 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.55 V @ 12 A | 0 ns | 240 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 12A | 438pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | QS6U22TR | 0.2390 | | 7730 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | QS6U22 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 215mohm @ 1.5a, 4.5V | 2v @ 1 mapa | 3 NC @ 4.5 V | ± 12V | 270 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.25W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | DTC013ZEBTL | 0.2600 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | DTC013 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 30 @ 5 MMA, 10V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| Rb851ygt2rb | - | | 4663 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RB851YGT2RBTR | Obsoleto | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 Independientes | 3 V | 30 mA (DC) | 460 MV @ 1 MA | 700 na @ 1 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD1781KT146R | 0.4100 | | 44 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SD1781 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 V | 800 Ma | 500NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 180 @ 100 mm, 3V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MTZJT-728.2C | - | | 3011 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MTZJT728.2C | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 5 V | 8.2 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA2093TV2Q | - | | 7928 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 3-SIP | 1 W | Canal de televisión Británnico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 60 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mm, 1a | 120 @ 100 mapa, 2v | 310MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1237TV2R | - | | 2797 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 3-SIP | 1 W | Canal de televisión Británnico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 32 V | 1 A | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 180 @ 100 mm, 3V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | ZDX080N50 | 1.6500 | | 414 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | ZDX080 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4a, 10v | 4V @ 1MA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 1120 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | RB225T-40NZC9 | 2.8700 | | 999 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RB225 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RB225T-40NZC9 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 30A | 630 MV @ 15 A | 500 µA @ 40 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
| RLZTE-116.2C | - | | 7810 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 5 µA @ 3 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RFNL20TJ6SGC9 | 1.9200 | | 879 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Rfnl20 | Estándar | Un 220ACFP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 20 A | 180 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 20A | - |
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