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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RBR1VWM30ATR | 0.4900 |  | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RBR1VWM | Schottky | PMDE | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 480 MV @ 1 A | 50 µA @ 30 V | 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBQ30NS100ATL | 3.1200 | | 965 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RBQ30 | Schottky | A 263S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 30A | 770 MV @ 15 A | 200 µA @ 100 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| RBR1VWM30ATFTR | 0.5800 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RBR1VWM | Schottky | PMDE | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 480 MV @ 1 A | 50 µA @ 30 V | 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bzx84c36vlyt116 | 0.4200 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.56% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 25 V | 36 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bzx84c11vlyt116 | 0.4200 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.45% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rbr2vwm30atr | 0.5100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RBR2VWM | Schottky | PMDE | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 530 MV @ 2 A | 50 µA @ 30 V | 150 ° C | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RGSX5TS65HRC11 | 8.9300 | | 395 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGSX5TS65 | Estándar | 404 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGSX5TS65HRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75a, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 114 A | 225 A | 2.15V @ 15V, 75a | 3.32mj (Encendido), 1.9mj (apaguado) | 79 NC | 43ns/113ns | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SCR563F3TR | 0.9000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-udfn almohadilla exposición | 1 W | Huml2020l3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 50 V | 6 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 350mv @ 150 mA, 3a | 180 @ 500 Ma, 3V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SCR564F3TR | 0.9000 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-udfn almohadilla exposición | 1 W | Huml2020l3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 80 V | 4 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 300mv @ 100 mm, 2a | 120 @ 500 Ma, 3V | 280MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bzx84b15vlyfht116 | 0.4200 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 10 V | 15 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SCR642PHZGT100 | 0.8800 | | 917 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 500 MW | Sot-89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 3 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 100 mm, 2a | 200 @ 500mA, 2V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bzx84c33vlyt116 | 0.4200 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.06% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 23 V | 33 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C3V6LYT116 | 0.4200 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.56% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ADZT15R5.1B | 0.3900 | | 14 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0201 (0603 Métrica) | 100 MW | DSN0603-2, SOD-962, SMD0603 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 2 µA @ 1.5 V | 5.1 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bav70hyfht116 | 0.4300 | | 587 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV70 | Estándar | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 80 V | 125 Ma | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C4V7LYT116 | 0.4200 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.38% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAS40-04HYFHT116 | 0.4800 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 40 V | 120 mA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 10 µA @ 40 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Baw56hyfht116 | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Baw56 | Estándar | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 80 V | 215MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 100 na @ 80 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGSX5TS65DHRC11 | 10.9100 | | 450 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGSX5TS65 | Estándar | 404 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGSX5TS65DHRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75a, 10ohm, 15V | 114 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 114 A | 225 A | 2.15V @ 15V, 75a | 3.32mj (Encendido), 1.9mj (apaguado) | 79 NC | 43ns/113ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Bzx84b12vlyt116 | 0.4500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1.67% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 8 V | 12 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBR2L60AdDTE25 | 0.4400 | | 22 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RBR2L60 | Schottky | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 650 MV @ 2 A | 75 µA @ 60 V | 150 ° C | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dan202fmt106 | 0.4100 | | 17 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Dan202 | Estándar | Umd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sh8kc6tb1 | 0.9900 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8kc6 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 6.5a (TA) | 32mohm @ 6.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 7.6nc @ 10V | 460pf @ 30V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| RB715FM-40T106 | 0.4000 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | RB715 | Schottky | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 40 V | 30mera | 370 MV @ 1 MA | 1 µA @ 10 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DAP202FMFHT106 | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DAP202 | Estándar | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84B7V5LYT116 | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAT54CHYT116 | 0.4200 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 30 V | 200MA (DC) | 800 MV @ 100 Ma | 50 ns | 2 µA @ 25 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C3V9LYFHT116 | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.13% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C7V5LYFHT116 | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C2V4LYFHT116 | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 8.33% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios |
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