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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Dtd123ect116 | 0.3700 |  | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dtd123 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 39 @ 50mA, 5V | 200 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FDZT40RB5.6 | - | | 2388 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Rásmido | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 01005 (0402 Métrica) | 100 MW | SMD0402 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 40,000 | 1 µA @ 2.5 V | 5.6 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RV3C002UNT2CL | 0.4900 | | 197 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | RV3C002 | Mosfet (Óxido de metal) | VML0604 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | N-canal | 20 V | 150MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 2ohm @ 150mA, 4.5V | 1V @ 100 µA | ± 10V | 12 pf @ 10 V | - | 100MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
 | SCT3080AlGC11 | 12.4500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SCT3080 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 30A (TC) | 18V | 104mohm @ 10a, 18V | 5.6V @ 5 mm | 48 NC @ 18 V | +22V, -4V | 571 pf @ 500 V | - | 134W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | HP8K22TB | 1.3600 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | HP8K22 | - | 25W | 8-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 27a, 57a | 4.6mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 1MA | 16.8nc @ 10V | 1080pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | R6004knx | 1.9200 | | 331 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6004 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 4A (TC) | 10V | 980mohm @ 1.5a, 10V | 5V @ 1MA | 10.2 NC @ 10 V | ± 20V | 280 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Rq5e025attcl | 0.5100 | | 16 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RQ5E025 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2.5a (TA) | 10V | 91mohm @ 2.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 2.7 NC @ 4.5 V | ± 20V | 220 pf @ 15 V | - | 1W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Rs3e135bngzetb | 1.0800 | | 75 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Rs3e | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 9.5a (TA) | 10V | 14.6mohm @ 9.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 8.3 NC @ 4.5 V | ± 20V | 680 pf @ 15 V | - | 2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | RB085BM-40TL | 1.6900 | | 342 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB085 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 550 MV @ 5 A | 200 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB088B150TL | - | | 2111 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Schottky | CPD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 10A | 880 MV @ 5 A | 15 µA @ 150 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UDZWTE-1736B | - | | 9618 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Umd2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UDZWTE-177.5B | - | | 4689 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Umd2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rb068lam-30tr | 0.5300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB068 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 700 MV @ 2 A | 800 na @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Rfn1lam6str | 0.4300 | | 40 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | Rfn1lam6 | Estándar | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.45 V @ 800 Ma | 35 ns | 1 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 800mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| R6020FNX | 7.9600 | | 487 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6020 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 250mohm @ 10a, 10v | 5V @ 1MA | 65 NC @ 10 V | ± 30V | 2040 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | MP6M11TCR | - | | 9922 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | MP6M11 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | Mpt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Vecino del canal | 30V | 3.5a | 98mohm @ 3.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 1.9nc @ 5V | 85pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||
| SCT2280KEC | - | | 9972 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SCT2280 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Sct2280kecu | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N-canal | 1200 V | 14a (TC) | 18V | 364mohm @ 4a, 18V | 4V @ 1.4MA | 36 NC @ 18 V | +22V, -6V | 667 pf @ 800 V | - | 108W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| Scs230ke2c | - | | 4992 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SCS230 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 360 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 15a (DC) | 1.6 v @ 15 a | 0 ns | 300 µA @ 1200 V | 175 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | R5007Anjtl | 1.5058 | | 2042 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R5007 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 7a (TA) | 10V | 1.05ohm @ 3.5a, 10v | 4.5V @ 1MA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 500 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| R5016anjtl | 2.9591 | | 9089 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R5016 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 16a (TA) | 10V | 270mohm @ 8a, 10v | 4.5V @ 1MA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 1800 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| RLZTE-113.0B | - | | 7829 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Rlzte113.0b | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ru1c001untcl | 0.4000 | | 19 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-85 | RU1C001 | Mosfet (Óxido de metal) | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 100 mA (TA) | 1.2V, 4.5V | 3.5ohm @ 100 mA, 4.5V | 1V @ 100 µA | ± 12V | 7.1 pf @ 10 V | - | 150MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
 | TFZGTR12B | 0.4800 | | 16 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TFZGTR12 | 500 MW | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 9 V | 12 V | 12 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFZGTR2.2B | 0.0886 | | 5443 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TFZGTR2.2 | 500 MW | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2.2 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFZGTR27B | 0.4800 | | 118 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TFZGTR27 | 500 MW | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 21 V | 27 V | 45 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFZGTR3.9B | 0.0886 | | 1780 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TFZGTR3.9 | 500 MW | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 1 V | 3.9 V | 50 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| UDZVTE-174.3B | 0.2700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzvte | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| UDZVTE-175.1B | 0.2700 | | 39 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzvte | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µA @ 1.5 V | 5.1 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| UDZVTE-176.2B | 0.2700 | | 212 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzvte | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Edzvt2r11b | 0.2800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edzv | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzvt2 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 30 ohmios |
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