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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Rb075bm40sfhtl | 1.2800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB075 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 750 MV @ 5 A | 15.2 ns | 5 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc114ekat146 | 0.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dtc114 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 50 Ma | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1705TL | 0.2120 | ![]() | 6634 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | 2SB1705 | 500 MW | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 3 A | 100NA (ICBO) | PNP | 250 MV @ 30 Ma, 1.5a | 270 @ 500mA, 2V | 280MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzste-175.6b | 0.3900 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta015tmt2l | 0.0382 | ![]() | 1908 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | DTA015 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 250mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 5 MMA, 10V | 250 MHz | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMA4AT148 | 0.5200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | FMA4 | 300MW | Smt5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA (ICBO) | 2 PNP - Precializado (dual) | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250MHz | 10 kohms | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc144ekat146 | 0.2600 | ![]() | 119 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dtc144 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB558VAM150TR | 0.4100 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RB558 | Schottky | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 500 Ma | 500 na @ 150 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Baw56hmfht116 | 0.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Baw56 | Estándar | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 80 V | 215MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 100 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc143zeBTL | 0.2700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | DTC143 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR502E3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | 2SCR502 | 150 MW | EMT3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 30 V | 500 mA | 200NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10 ma, 200 ma | 200 @ 100 mapa, 2v | 360MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rf305bm6sfhtl | 0.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RF305 | Estándar | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 v @ 3 a | 30 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta124xcat116 | 0.0488 | ![]() | 9628 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dta124 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFUH5TF6SFHC9 | 1.4800 | ![]() | 819 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | RFUH5 | Estándar | Un 220nfm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.8 V @ 5 A | 25 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2sar574d3tl1 | 0.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2Sar574 | 10 W | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 50 mm, 1a | 120 @ 100 mapa, 3V | 280MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3105KW7TL | 15.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | SCT3105 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | Un 263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 1200 V | 23a (TC) | 137mohm @ 7.6a, 18V | 5.6V @ 3.81mA | 51 NC @ 18 V | +22V, -4V | 574 pf @ 800 V | - | 125W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sh8m5tb1 | 1.8500 | ![]() | 163 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8m5 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 6a, 7a | 30mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 1MA | 7.2nc @ 5V | 520pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS302APC9 | 1.1520 | ![]() | 5172 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | Un 220-2 | SCS302 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.5 v @ 2 a | 0 ns | 10.8 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 2A | 110pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Yfzvfhtr13b | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.56% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | Yfzvfhtr13 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 10 V | 12.88 V | 14 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6530KNZ4C13 | 6.8600 | ![]() | 441 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | R6530 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247g | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6530KNZ4C13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 30A (TC) | 10V | 140mohm @ 14.5a, 10v | 5V @ 960 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 25 V | - | 305W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TFZGTR7.5B | 0.0886 | ![]() | 7531 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | * | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | TFZGTR7.5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS8J4TR | 1.1100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | QS8J4 | Mosfet (Óxido de metal) | 550MW | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 4A | 56mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 1MA | 13NC @ 10V | 800pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2018E3TL | 0.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | 2SA2018 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250 mv @ 10 ma, 200 ma | 270 @ 10mA, 2V | 260MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sh8k5tb1 | 0.4190 | ![]() | 1361 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8k5 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 3.5a | 83mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 3.5nc @ 5V | 140pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KDZTR5.1B | 0.1836 | ![]() | 7643 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Kdz | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123F | KDZTR5.1 | 1 W | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µA @ 1 V | 5.4 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RUM002N02T2L | 0.3700 | ![]() | 783 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-723 | Rum002 | Mosfet (Óxido de metal) | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | N-canal | 20 V | 200MA (TA) | 1.2V, 2.5V | 1.2ohm @ 200 MMA, 2.5V | 1V @ 1MA | ± 8V | 25 pf @ 10 V | - | 150MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
RB441Q-40T-72 | - | ![]() | 2884 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | RB441 | Schottky | MSD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | RB441Q40T72 | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 550 MV @ 100 Ma | 100 µA @ 40 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 6pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rf05vam2str | 0.4500 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | Rf05vam2 | Estándar | Tumd2s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 980 MV @ 500 Ma | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5866TLQ | 0.4700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | 2SC5866 | 500 MW | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 120 @ 100 mapa, 2v | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rd3h200sntl1 | 1.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3H200 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 45 V | 20A (TA) | 4V, 10V | 28mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 1MA | 12 NC @ 5 V | ± 20V | 950 pf @ 10 V | - | 20W (TC) |
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