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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RB521CS-30T2R | 0.4800 |  | 13 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | Sod-923 | RB521 | Schottky | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 350 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 10 V | 150 ° C (Máximo) | 100mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RAL025P01TCR | 0.1195 | | 8207 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RAL025 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 2.5a (TA) | 1.5V, 4.5V | 62mohm @ 2.5a, 4.5V | 1V @ 1MA | 16 NC @ 4.5 V | -8v | 2000 pf @ 6 V | - | 320MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | R6507END3TL1 | 1.9500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | R6507 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 V | 7a (TC) | 10V | 665mohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 200 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 78W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| Rd3u080cntl1 | 1.9700 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Rd3u080 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 250 V | 8a (TC) | 10V | 300mohm @ 4a, 10v | 5V @ 1MA | 25 NC @ 10 V | ± 30V | 1440 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | QS5U27TR | 0.7400 | | 128 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | QS5U27 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 200mohm @ 1.5a, 4.5V | 2v @ 1 mapa | 4.2 NC @ 4.5 V | ± 12V | 325 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.25W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | 2SC1741STPQ | - | | 6140 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | SC-72 Peques Formados | 300 MW | SPT | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 32 V | 500 mA | 1 µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mapa, 3V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS63T116 | - | | 1527 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 Ma, 100 Ma | 30 @ 10mA, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Dan202fmfht106 | 0.4900 | | 630 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Dan202 | Estándar | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RFUS20TM6S | 0.9885 | | 5404 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RFUS20 | Estándar | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.8 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SCS230AE2HRC | - | | 6104 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SCS230 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 360 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 650 V | 15a (DC) | 1.55 V @ 15 A | 300 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RJP020N06T100 | 0.9100 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | RJP020 | Mosfet (Óxido de metal) | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 240mohm @ 2a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 10 NC @ 4 V | ± 12V | 160 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | Ydzvfhtr5.1 | 0.1020 | | 8229 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 9.8% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | Ydzvfhtr5.1 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 1.5 V | 5.1 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB298NS100FHTL | 2.1800 | | 8269 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RB298 | Schottky | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 30A | 870 MV @ 15 A | 10 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||
| RB088T-40NZC9 | 1.1500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RB088 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 10A | 770 MV @ 5 A | 3 µA @ 40 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Rq5a025zptl | 0.6400 | | 2715 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RQ5A025 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 2.5a (TA) | 1.5V, 4.5V | 61mohm @ 2.5a, 4.5V | 1V @ 1MA | 13 NC @ 4.5 V | ± 10V | 1350 pf @ 6 V | - | 760MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | RBR3MM60ATFTR | 0.4400 | | 28 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RBR3MM60 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 660 MV @ 3 A | 100 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Rr2l6ste25 | 0.2416 | | 2809 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RR2L6 | Estándar | PMDS | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 2 a | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| Rfn2l6ste25 | 0.2901 | | 6956 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Rfn2l6 | Estándar | PMDS | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.55 V @ 1.5 A | 35 ns | 1 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 1.5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD2701TL | 0.5700 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, planos de cables | 2SD2701 | 800 MW | Tumt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 350mv @ 50 mm, 1a | 270 @ 100mA, 2V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RB541VM-40FHTE-17 | 0.3400 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | RB541 | Schottky | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 610 MV @ 100 Ma | 100 µA @ 40 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Rre04ea6dtr | 0.7700 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | Rre04 | Estándar | TSMD5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 600 V | 400mA | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 600 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
 | R8008AnJGTL | 5.8200 | | 978 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R8008 | Mosfet (Óxido de metal) | A 263S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R8008Anjgtltr | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 8a (TC) | 10V | 1.03ohm @ 4a, 10v | 5V @ 1MA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 195W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | RB061US-30TR | 0.8900 | | 587 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-SMD | RB061 | Schottky | TSMD8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 30 V | 2a | 400 MV @ 2 A | 900 µA @ 15 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Rb058lam-30tftr | 0.4400 | | 32 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB058 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 2.5 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CDZT2R6.2B | 0.4400 | | 500 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | CDZ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-923 | CDZT2 | 100 MW | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB400DT146 | 0.5900 | | 20 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | RB400 | Schottky | Smd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 500 Ma | 50 µA @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | 500mA | 125pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Mtzjt-7739b | - | | 6726 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 30 V | 39 V | 85 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB521VM-40FHTE-17 | 0.3500 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | RB521 | Schottky | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 540 MV @ 200 Ma | 90 µA @ 40 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Sh8me5tb1 | 1.9500 | | 4706 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8me5 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | 8-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | - | 100V | 4.5a (TA) | 58mohm @ 4.5a, 10v, 91mohm @ 4.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 6.7nc @ 10V, 52nc @ 10V | 305pf @ 50V, 2100pf @ 50V | Estándar | |||||||||||||||||||||||||||
 | Bzx84b6v8lfht116 | 0.0474 | | 6745 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2.06% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 15 ohmios |
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