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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Max | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sh8m11tb1 | 0.3152 |  | 8795 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8m11 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 3.5a | 98mohm @ 3.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 1.9nc @ 5V | 85pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Sh8m14tb1 | 0.6938 | | 7595 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8m14 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 9a, 7a | 21mohm @ 9a, 10v | 2.5V @ 1MA | 8.5nc @ 5V | 630pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Sp8m70tb1 | - | | 5282 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sp8m7 | Mosfet (Óxido de metal) | 650MW | 8-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 250V | 3a, 2.5a | 1.63ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 1MA | 5.2NC @ 10V | 180pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK2463T100 | 0.8100 | | 900 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SK2463 | Mosfet (Óxido de metal) | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 2a (TA) | 4V, 10V | 380mohm @ 1a, 10v | 2.5V @ 1MA | ± 20V | 200 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtb543emt2l | 0.1035 | | 4651 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | DTB543 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 12 V | 500 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 115 @ 100 mapa, 2v | 260 MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Edzvt2r10b | 0.2800 | | 76 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edzv | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzvt2 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 7 V | 10 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Edzvt2r12b | 0.2800 | | 10 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edzv | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzvt2 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 9 V | 12 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Edzvt2r22b | 0.2800 | | 263 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edzv | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzvt2 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 17 V | 22 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Edzvt2r24b | 0.2800 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edzv | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzvt2 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 19 V | 24 V | 120 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Edzvt2r4.3b | 0.2900 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edzv | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 3% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzvt2 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Edzvt2r6.8b | 0.3000 | | 11 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edzv | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzvt2 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 500 na @ 3.5 V | 6.8 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Edzvt2r7.5b | 0.1800 | | 52 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edzv | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzvt2 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 500 na @ 4 V | 7.5 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fml9t148 | 0.2350 | | 7983 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | Fml9t148 | 200 MW | Smt5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 1.5 A | 100NA (ICBO) | Npn + diodo (aislado) | 200 MV a 25 mm, 500 Ma | 270 @ 200MA, 2V | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB162M-30TR | 0.0834 | | 1806 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOD-123F | RB162 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 520 MV @ 1 A | 100 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB520SM-30T2R | 0.3400 | | 391 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | RB520 | Schottky | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 580 MV @ 200 Ma | 1 µA @ 10 V | 150 ° C (Máximo) | 200 MMA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB751SM-40T2R | 0.3300 | | 34 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | RB751 | Schottky | SC-79 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 370 MV @ 1 MA | 500 na @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 30mera | 2pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBE05VM20ate-17 | - | | 4473 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Schottky | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 430 MV @ 500 Ma | 200 µA @ 20 V | 125 ° C (Máximo) | 500mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RE1C001UNTCL | 0.4000 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | RE1C001 | Mosfet (Óxido de metal) | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 100 mA (TA) | 1.2V, 4.5V | 3.5ohm @ 100 mA, 4.5V | 1V @ 100 µA | ± 8V | 7.1 pf @ 10 V | - | 150MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
| RE1J002YNTCL | 0.3600 | | 14 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | RE1J002 | Mosfet (Óxido de metal) | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 50 V | 200MA (TA) | 0.9V, 4.5V | 2.2ohm @ 200 MMA, 4.5V | 800mv @ 1 MMA | ± 8V | 26 pf @ 10 V | - | 150MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RF051VA1STR | 0.1020 | | 8320 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RF051 | Estándar | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 980 MV @ 500 Ma | 25 ns | 10 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN741VTE-17 | 0.1287 | | 3994 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | SC-90, SOD-323F | RN741 | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | RN741VTE17 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 Ma | 0.4pf @ 35V, 1MHz | PIN - Single | 50V | 10ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RQ1A070APTR | 0.8600 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | RQ1A070 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 7a (TA) | 1.5V, 4.5V | 14mohm @ 7a, 4.5V | 1V @ 1MA | 80 NC @ 4.5 V | -8v | 7800 pf @ 6 V | - | 550MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RR263M-400TR | 0.1258 | | 2321 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | * | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | RR263 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RSX101M-30TFTR | 0.1996 | | 1391 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOD-123F | RSX101 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | RSX101M30TFTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 390 MV @ 1 A | 200 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | 60pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RUC002N05T116 | 0.3200 | | 672 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Ruc002 | Mosfet (Óxido de metal) | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 50 V | 200MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 2.2ohm @ 200 MMA, 4.5V | 1V @ 1MA | ± 8V | 25 pf @ 10 V | - | 200MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Ruf020n02tl | 0.4100 | | 44 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, planos de cables | RUF020 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 2a (TA) | 1.5V, 4.5V | 105mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 1MA | 2 NC @ 4.5 V | ± 10V | 180 pf @ 10 V | - | 320MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
| RUM001L02T2CL | 0.4000 | | 842 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-723 | Rum001 | Mosfet (Óxido de metal) | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | N-canal | 20 V | 100 mA (TA) | 1.2V, 4.5V | 3.5ohm @ 100 mA, 4.5V | 1V @ 100 µA | ± 8V | 7.1 pf @ 10 V | - | 150MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
| Tfzfhtr5.6b | 0.1075 | | 7137 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TFZFHTR5.6 | 500 MW | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 13 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFZGTR15B | 0.4800 | | 959 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TFZGTR15 | 500 MW | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFZGTR3.0B | 0.0886 | | 9969 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | Tfzgtr3.0 | 500 MW | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 V |
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