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Productos de semiconductoros discretos (6960)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
TDZTR12 Rohm Semiconductor TDZTR12 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano TDZTR12 500 MW Tumd2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 10 µA @ 8 V 12 V
RSX051VAM30TR Rohm Semiconductor Rsx051vam30tr 0.3300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano RSX051 Schottky Tumd2m descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 390 MV @ 500 Ma 200 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo) 500mA -
SP8K1TB Rohm Semiconductor Sp8k1tb 0.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SP8K1 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 5A 51mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 1MA 5.5nc @ 5V 230pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
RRU1LAM4STR Rohm Semiconductor Rru1lam4str 0.4300
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie SOD-128 Rru1lam4 Estándar Pmdtm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 800 Ma 400 ns 10 µA @ 400 V 150 ° C (Máximo) 1A -
RB061US-30TR Rohm Semiconductor RB061US-30TR 0.8900
RFQ
 ECAD 587 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-SMD RB061 Schottky TSMD8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 30 V 2a 400 MV @ 2 A 900 µA @ 15 V 125 ° C (Máximo)
RRE04EA6DTR Rohm Semiconductor Rre04ea6dtr 0.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 Rre04 Estándar TSMD5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 600 V 400mA 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 600 V 150 ° C
RFUH10TF6S Rohm Semiconductor Rfuh10tf6s 0.8460
RFQ
 ECAD 5215 0.00000000 Semiconductor rohm - Una granela No hay para Nuevos Diseños A Través del Aguetero Un 220-2 RFUH10 Estándar Un 220nfm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.8 V @ 10 A 25 ns 10 µA @ 600 V 150 ° C (Máximo) 10A -
R8008ANJGTL Rohm Semiconductor R8008AnJGTL 5.8200
RFQ
 ECAD 978 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab R8008 Mosfet (Óxido de metal) A 263S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R8008Anjgtltr EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 8a (TC) 10V 1.03ohm @ 4a, 10v 5V @ 1MA 38 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 195W (TC)
RB522ES-30T15R Rohm Semiconductor RB522ES-30T15R 0.3100
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-smd, sin plomo RB522 Schottky SMD0603 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 15,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 370 MV @ 10 Ma 7 µA @ 10 V 150 ° C (Máximo) 100mA -
DTC143ZUBHZGTL Rohm Semiconductor Dtc143zubhzgtl 0.0415
RFQ
 ECAD 9953 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie SC-85 DTC143 200 MW UMT3F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 100 mA - NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
SCS208AMC Rohm Semiconductor Scs208amc 2.6280
RFQ
 ECAD 4704 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo No hay para Nuevos Diseños A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SCS208 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.55 v @ 8 a 0 ns 160 µA @ 600 V 175 ° C (Máximo) 8A 291pf @ 1V, 1 MHz
RB162L-40TE25 Rohm Semiconductor RB162L-40TE25 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie DO-214AC, SMA RB162 Schottky PMDS - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1 A 500 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 1A -
DTA014YMT2L Rohm Semiconductor Dta014ymt2l 0.2400
RFQ
 ECAD 4048 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 DTA014 150 MW VMT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8,000 50 V 70 Ma - PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 5 mA 80 @ 5 MMA, 10V 250 MHz 10 kohms 47 kohms
RCX700N20 Rohm Semiconductor RCX700N20 3.9000
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 Semiconductor rohm - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero RCX700 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 200 V 70A (TC) 10V 42.7mohm @ 35a, 10v 5V @ 1MA 125 NC @ 10 V ± 30V 6900 pf @ 25 V - 2.23W (TA), 40W (TC)
RB238NS-60FHTL Rohm Semiconductor RB238NS-60FHTL 2.3700
RFQ
 ECAD 912 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab RB238 Schottky LPDS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 40A 860 MV @ 20 A 12 µA @ 60 V 150 ° C
RB058LAM-30TFTR Rohm Semiconductor Rb058lam-30tftr 0.4400
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 RB058 Schottky Pmdtm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 2.5 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo) 3A -
RGW00TS65GC11 Rohm Semiconductor RGW00TS65GC11 6.0700
RFQ
 ECAD 4272 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGW00 Estándar 254 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 96 A 200 A 1.9V @ 15V, 50A 1.18MJ (Encendido), 960 µJ (apagado) 141 NC 52NS/180NS
RGW60TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW60TK65GVC11 5.9000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3PFM, SC-93-3 RGW60 Estándar 72 W To-3pfm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 33 A 120 A 1.9V @ 15V, 30a 480 µJ (Encendido), 490 µJ (apagado) 84 NC 37ns/114ns
R6020JNZC8 Rohm Semiconductor R6020JNZC8 7.0000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiconductor rohm - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 600 V 20A (TC) 15V 234mohm @ 10a, 15V 7V @ 3.5MA 45 NC @ 15 V ± 30V 1500 pf @ 100 V - 76W (TC)
R6025JNZ4C13 Rohm Semiconductor R6025JNZ4C13 9.5100
RFQ
 ECAD 597 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 R6025 Mosfet (Óxido de metal) To-247g descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 25A (TC) 15V 182mohm @ 12.5a, 15V 7V @ 4.5mA 57 NC @ 15 V ± 30V 1900 pf @ 100 V - 306W (TC)
R6020ANJTL Rohm Semiconductor R6020anjtl 4.1079
RFQ
 ECAD 3428 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab R6020 Mosfet (Óxido de metal) LPTS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 20A (TA) 10V 250mohm @ 10a, 10v 4.5V @ 1MA 65 NC @ 10 V ± 30V 2040 pf @ 25 V - 100W (TC)
RRE07VTM6SFHTR Rohm Semiconductor Rre07vtm6sfhtr 0.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano Rre07 Estándar Tumd2sm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 V @ 700 Ma 1 µA @ 600 V 150 ° C (Máximo) 700mA -
R6009JNXC7G Rohm Semiconductor R6009JNXC7G 3.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero R6009 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 9A (TC) 15V 585mohm @ 4.5a, 15V 7V @ 1.38mA 22 NC @ 15 V ± 30V 645 pf @ 100 V - 53W (TC)
R6520ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6520ENZ4C13 5.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 R6520 Mosfet (Óxido de metal) To-247g descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6520ENZ4C13 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 20A (TC) 10V 205mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 630 µA 61 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 231W (TC)
R6020JNXC7G Rohm Semiconductor R6020JNXC7G 5.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero R6020 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 20A (TC) 15V 234mohm @ 10a, 15V 7V @ 3.5MA 45 NC @ 15 V ± 30V 1500 pf @ 100 V - 76W (TC)
R6025JNZC8 Rohm Semiconductor R6025JNZC8 7.8800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Semiconductor rohm - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO R6025 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 600 V 25A (TC) 15V 182mohm @ 12.5a, 15V 7V @ 4.5mA 57 NC @ 15 V ± 30V 1900 pf @ 100 V - 85W (TC)
RJ1U330AAFRGTL Rohm Semiconductor Rj1u330aaaafrgtl 4.1000
RFQ
 ECAD 201 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab RJ1U330 Mosfet (Óxido de metal) LPTS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 250 V 33a (TA) 10V 105mohm @ 16.5a, 10v 5V @ 1MA 80 NC @ 10 V ± 30V 4500 pf @ 25 V - 211W (TC)
SCT4013DW7TL Rohm Semiconductor Sct4013dw7tl 37.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA Sicfet (CARBURO DE SILICIO) Un 263-7L descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 750 V 98a (TJ) 18V 16.9mohm @ 58a, 18V 4.8V @ 30.8 Ma 170 NC @ 18 V +21V, -4V 4580 pf @ 500 V - 267W
RGW00TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW00TK65GVC11 6.8800
RFQ
 ECAD 6578 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3PFM, SC-93-3 RGW00 Estándar 89 W To-3pfm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 400V, 50A, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 45 A 200 A 1.9V @ 15V, 50A 1.18MJ (Encendido), 960 µJ (apagado) 141 NC 52NS/180NS
EM5K5T2R Rohm Semiconductor EM5K5T2R 0.5200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños - Montaje en superficie 6-SMD (5 cables), Plano Plano EM5K5 Mosfet (Óxido de metal) 150MW EMT5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 2 Canal N (Dual) 30V 300mA 600mohm @ 300 mA, 4.5V - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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AD9208BBPZ-3000

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