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Productos de semiconductoros discretos (6960)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)
R6015knx	2.2000	RFQ	1	Semiconductor rohm	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	R6015		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220fm	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal		600 V	15A (TC)	10V	290mohm @ 6.5a, 10V	5V @ 1MA	27.5 NC @ 10 V	± 20V	1050 pf @ 25 V	-	60W (TC)
Edz8hrte619.1b	-	RFQ	4113	Semiconductor rohm	Edz	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-55 ° C ~ 125 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	Edz8hrt			100 MW	EMD2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		846-edz8hrte619.1btr	EAR99	8541.10.0050	3.000
RSS090N03FU6TB	-	RFQ	2530	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	RSS090		Mosfet (Óxido de metal)		8-SOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal		30 V	9a (TA)	4V, 10V	15mohm @ 9a, 10v	2.5V @ 1MA	15 NC @ 5 V	± 20V	810 pf @ 10 V	-	2W (TA)
EM6K31T2R	0.5200	RFQ	31	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	EM6K31		Mosfet (Óxido de metal)	150MW	EMT6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	8,000	2 Canal N (Dual)				60V	250 Ma		2.4ohm @ 250 mA, 10V	2.3V @ 1MA	-		15pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
UT6K30TCR	1.2100	RFQ	7	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-Powerudfn	UT6K30		Mosfet (Óxido de metal)	2W (TA)	Huml2020l8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)				60V	3a (TA)		153mohm @ 3a, 10v	2.7V @ 50 µA	2.1NC @ 10V		110pf @ 30V	-
Sh8j66tb1	2.5500	RFQ	7	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Sh8j66		Mosfet (Óxido de metal)	2W	8-SOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal P (Dual)				30V	9A		18.5mohm @ 9a, 10v	2.5V @ 1MA	35nc @ 5V		3000PF @ 10V	Puerta de Nivel Lógico
Dta124eubhzgtl	0.2200	RFQ	3	Semiconductor rohm	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños			Montaje en superficie	SC-85	Dta124			200 MW	UMT3F	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																										100 mA						-		PNP - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	56 @ 5MA, 5V	250 MHz	22 kohms	22 kohms
RB068MM-40TFTR	0.4800	RFQ	1	Semiconductor rohm	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123F	RB068		Schottky		Pmdu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)														40 V		725 MV @ 2 A		550 na @ 40 V	150 ° C (Máximo)	2a	-
RHU003N03T106	0.0964	RFQ	8166	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	RHU003		Mosfet (Óxido de metal)		UMT3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal		30 V	300 mA (TA)	4V, 10V	1.2ohm @ 300mA, 10V	-		± 20V	20 pf @ 10 V	-	200MW (TA)
ES6U2T2R	-	RFQ	6493	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-smd, planos de cables	ES6U2		Mosfet (Óxido de metal)		6-wemt	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	8,000			N-canal		20 V	1.5a (TA)	1.5V, 4.5V	180mohm @ 1.5a, 4.5V	1V @ 1MA	1.8 NC @ 4.5 V	± 10V	110 pf @ 10 V	Diodo Schottky (Aislado)	700MW (TA)
QS8M51TR	1.4300	RFQ	36	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	QS8M51		Mosfet (Óxido de metal)	1.5w	TSMT8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	Vecino del canal				100V	2a, 1.5a		325mohm @ 2a, 10v	2.5V @ 1MA	4.7nc @ 5V		290pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
RQ1C065UNTR	0.6800	RFQ	2	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	RQ1C065		Mosfet (Óxido de metal)		TSMT8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal		20 V	6.5a (TA)	1.5V, 4.5V	22mohm @ 6.5a, 4.5V	1V @ 1MA	11 NC @ 4.5 V	± 10V	870 pf @ 10 V	-	700MW (TA)
RF505B6STL	-	RFQ	5153	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	RF505		Estándar		CPD	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)														600 V		1.7 V @ 5 A	30 ns	10 µA @ 600 V	150 ° C (Máximo)	5A	-
Rsj10hn06tl	-	RFQ	3100	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	RSJ10		Mosfet (Óxido de metal)		LPTS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal		60 V	100A (TA)	4V, 10V	4.2mohm @ 50A, 10V	2.5V @ 1MA	202 NC @ 10 V	± 20V	11000 pf @ 10 V	-	100W (TC)
Sh8k12tb1	0.4204	RFQ	7019	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Sh8k12		Mosfet (Óxido de metal)	2W	8-SOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)				30V	5A		42mohm @ 5a, 10v	2.5V @ 1MA	4NC @ 5V		250pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico
Rq1e100xntr	0.4572	RFQ	2461	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	RQ1E100		Mosfet (Óxido de metal)		TSMT8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal		30 V	10a (TA)	4V, 10V	10.5mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 1MA	12.7 NC @ 5 V	± 20V	1000 pf @ 10 V	-	550MW (TA)
UT6MA3TCR	0.9600	RFQ	15	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-Powerudfn	UT6MA3		-	2W	Huml2020l8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	Vecino del canal				20V	5a, 5.5a		59mohm @ 5a, 4.5V	1.5V @ 1MA	6.5nc @ 4.5V		460pf @ 10V	-
RJU003N03T106	0.4700	RFQ	176	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	RJU003		Mosfet (Óxido de metal)		UMT3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal		30 V	300 mA (TA)	2.5V, 4.5V	1.1ohm @ 300mA, 4.5V	1.5V @ 1MA		± 12V	24 pf @ 10 V	-	200MW (TA)
SM6K2T110	0.4400	RFQ	2	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457	SM6K2		Mosfet (Óxido de metal)	300MW	Smt6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal N (Dual)				60V	200 MMA		2.4ohm @ 200 MMA, 10V	2.5V @ 1MA	4.4nc @ 10V		15pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico
RTQ020N03TR	0.5800	RFQ	8	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	RTQ020		Mosfet (Óxido de metal)		TSMT6 (SC-95)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal		30 V	2a (TA)	2.5V, 4.5V	125mohm @ 2a, 4.5V	1.5V @ 1MA	3.3 NC @ 4.5 V	± 12V	135 pf @ 10 V	-	1.25W (TA)
US6M2TR	0.6700	RFQ	99	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-smd, planos de cables	US6M2		Mosfet (Óxido de metal)	1W	Tumt6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	Vecino del canal				30V, 20V	1.5a, 1a		240mohm @ 1.5a, 4.5V	1.5V @ 1MA	2.2NC @ 4.5V		80pf @ 10V	-
KDZTR20B	0.5200	RFQ	701	Semiconductor rohm	Kdz	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123F	KDZTR20			1 W	Pmdu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																				10 µA @ 15 V													20.8 V
RSX205LAM30TR	0.4700	RFQ	17	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-128	RSX205		Schottky		Pmdtm	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)														30 V		490 MV @ 2 A		200 µA @ 30 V	150 ° C (Máximo)	2a	-
Rb168lam150tftr	0.5000	RFQ	5	Semiconductor rohm	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-128	RB168		Schottky		Pmdtm	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)														150 V				2.5 µA @ 150 V	150 ° C (Máximo)	1A	-
RGCL60TS60GC13	5.4400	RFQ	6646	Semiconductor rohm	-	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	RGCL60	Estándar		111 W	To-247g	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	846-RGCL60TS60GC13	EAR99	8541.29.0095	30				400V, 30a, 10ohm, 15V																				Parada de Campo de Trinchera	600 V	48 A	120 A	1.8v @ 15V, 30a	770 µJ (Encendido), 1.11mj (apaguado)	68 NC	44ns/186ns
Scs212amc	6.4500	RFQ	48	Semiconductor rohm	-	Tubo	No hay para Nuevos Diseños			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	SCS212		Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		Un 220fm	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)														650 V		1.55 V @ 12 A	0 ns	240 µA @ 600 V	175 ° C (Máximo)	12A	438pf @ 1V, 1 MHz
SP8K22FU6TB	-	RFQ	6739	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	SP8K22		Mosfet (Óxido de metal)	2W	8-SOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)				45V	4.5a		46mohm @ 4.5a, 10V	2.5V @ 1MA	9.6nc @ 5V		550pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico
1SR124-400AT-81	-	RFQ	7095	Semiconductor rohm	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1SR124		Estándar		GSR	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	1SR124400AT81	EAR99	8541.10.0080	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)														400 V		1.3 V @ 1 A	400 ns	10 µA @ 400 V	-60 ° C ~ 150 ° C	1A	-
RB050L-60DDTE25	0.7100	RFQ	6	Semiconductor rohm	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	RB050		Schottky		PMDS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)														60 V		560 MV @ 3 A		100 µA @ 60 V	150 ° C (Máximo)	3A	-
RBQ10BM65ATL	0.5250	RFQ	9180	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	RBQ10		Schottky		Un 252	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													1 par Cátodo Común	65 V	10A	690 MV @ 5 A		150 µA @ 65 V	150 ° C (Máximo)