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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1SS355VMFHTE-17 | 0.3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 1SS355 | Estándar | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | 100mA | 3pf @ 500mv, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rfn20ns6stl | 2.0600 | ![]() | 302 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RFN20 | Estándar | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.55 V @ 20 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Mtzjt-7715b | - | ![]() | 5311 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 11 V | 15 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM63374S-VC | 24.6300 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 25 Potencias (1.327 ", 33.70 mm) | IGBT | BM63374 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BM63374S-VC | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | Inversor de 3 fase | 15 A | 600 V | 1500 VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB162MM-40TR | 0.3900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RB162 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 1 A | 100 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
RLZTE-1120A | - | ![]() | 1353 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | RLZTE-1120 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 15 V | 19.1 V | 28 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc848bhzgt116 | 0.1900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rd3p02battl1 | 1.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3P02 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | 1 (ilimitado) | 2.500 | Canal P | 100 V | 20A (TA) | 6V, 10V | 116mohm @ 10a, 10v | 4V @ 1MA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1480 pf @ 50 V | - | 56W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rfuh20tf6s | 1.0005 | ![]() | 6818 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Rfuh20 | Estándar | Un 220nfm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.8 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Mtzjt-7236b | - | ![]() | 2228 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt7236b | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 27 V | 36 V | 75 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR574D3TL1 | 0.8500 | ![]() | 5511 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SCR574 | 10 W | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 300mv @ 50 mm, 1a | 120 @ 100 mapa, 3V | 280MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R8002ANX | - | ![]() | 5448 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R8002 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 800 V | 2a (TC) | 10V | 4.3ohm @ 1a, 10v | 5V @ 1MA | 12.7 NC @ 10 V | ± 30V | 210 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta123ye3hzgtl | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTA123 | 150 MW | EMT3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-dta123ye3hzgtlct | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6012JNXC7G | 4.0000 | ![]() | 8804 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6012 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6012JNXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 15V | 390mohm @ 6a, 15V | 7V @ 2.5MA | 28 NC @ 15 V | ± 30V | 900 pf @ 100 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GDZT2R6.2B | - | ![]() | 3672 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Gdz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5.4% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0201 (0603 Métrica) | Gdzt2r | 100 MW | Gmd2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-GDZT2R6.2BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Rss125n03fu6tb | - | ![]() | 9211 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RSS125 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 12.5a (TA) | 4V, 10V | 8.9mohm @ 12.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 28 NC @ 5 V | 20V | 1670 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR3LAM40BTR | 0.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RBR3LAM40 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 620 MV @ 3 A | 80 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6050JNZ4C13 | 17.8700 | ![]() | 547 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | R6050 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247g | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6050JNZ4C13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 50A (TC) | 15V | 83mohm @ 25A, 15V | 7V @ 5 mm | 120 NC @ 15 V | ± 30V | 4500 pf @ 100 V | - | 615W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pdzvtftr24b | 0.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, PDZVTF | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 7.5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | Pdzvtftr24 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 19 V | 25.8 V | 16 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EM6K6T2R | 0.5000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EM6K6 | Mosfet (Óxido de metal) | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 300mA | 1ohm @ 300mA, 4V | 1V @ 1MA | - | 25pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzste-173.9b | 0.0616 | ![]() | 4162 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 3% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 1 V | 3.9 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Qh8ja1tcr | 0.8900 | ![]() | 7230 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | QH8JA1 | - | 1.5w | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 5A | 38mohm @ 5a, 4.5V | 1.2V @ 1MA | 10.2NC @ 4.5V | 720pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4505T100P | - | ![]() | 6568 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SC4505 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400 V | 100 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 82 @ 10mA, 10V | 20MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB068MM-30TFTR | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RB068 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 700 MV @ 2 A | 800 na @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rb088lam-30tftr | 0.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB088 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 2.5 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R6015AnzC8 | - | ![]() | 7402 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N-canal | 600 V | 15A (TC) | 10V | 300mohm @ 7.5a, 10V | 4.15V @ 1MA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 1700 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR2MM60BTR | 0.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RBR2MM60 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 580 MV @ 2 A | 100 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc123ekat146 | 0.2600 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC123 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 20MA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54SHMT116 | 0.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 30 V | 200MA (DC) | 800 MV @ 100 Ma | 50 ns | 2 µA @ 25 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMZ27NT106 | 0.4100 | ![]() | 490 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | UMZ27 | 200 MW | Umd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 21 V | 27 V |
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