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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Dtc114tsatp | - |  | 9284 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | SC-72 Peques Formados | Dtc114 | 300 MW | SPT | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Edzvt2r13b | 0.3100 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edzv | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzvt2 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 10 V | 13 V | 37 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rb058lam-60tftr | 0.4900 | | 18 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB058 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 640 MV @ 3 A | 35.3 ns | 4 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Dap222tl | 0.3500 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DAP222 | Estándar | EMD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | QSL9TR | 0.2360 | | 3701 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | QSL9 | 500 MW | TSMT5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 1.5 A | 100NA (ICBO) | PNP + Diodo (Aislado) | 200 MV a 25 mm, 500 Ma | 270 @ 200MA, 2V | 400MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Emx1fhat2r | 0.0611 | | 7439 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMX1FHAT2 | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA2029T2LQ | 0.4000 | | 49 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-723 | 2SA2029 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 140MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RTE002P02TL | 0.1546 | | 6377 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | RTE002 | Mosfet (Óxido de metal) | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 200MA (TA) | 2.5V, 4.5V | 1.5ohm @ 200 MMA, 4.5V | 2v @ 1 mapa | ± 12V | 50 pf @ 10 V | - | 150MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | SST2222AHZGT116 | 0.2100 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST2222 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RSX071VA-30TR | 0.5200 | | 320 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RSX071 | Schottky | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 420 MV @ 700 Ma | 200 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 700mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB225NS-40FHTL | 1.5500 | | 370 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RB225 | Schottky | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 30A | 630 MV @ 15 A | 27.4 ns | 500 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4617TLS | 0.3000 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | 2SC4617 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RF2001T3DNZC9 | 1.5800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RF2001 | Estándar | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RF2001T3DNZC9 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 300 V | 20A | 1.3 V @ 10 A | 25 ns | 10 µA @ 300 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
 | R6030MNX | - | | 8681 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6030 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 10V | 150mohm @ 15a, 10v | 5V @ 1MA | 43 NC @ 10 V | ± 30V | 2180 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | RB201A60T-31 | - | | 3090 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-41 mini, axial | RB201 | Schottky | MSR | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 580 MV @ 2 A | 100 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Umg4ntr | 0.4700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | UMG4 | 150MW | UMT5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | - | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250MHz | 10 kohms | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RB095BGE-40TL | 0.9900 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB095 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | - | 1 par Cátodo Común | 40 V | 6A | 550 MV @ 3 A | 100 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RRS090P03TB1 | - | | 1552 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 9a (TA) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RUU002N05T106 | 0.3400 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Ruu002 | Mosfet (Óxido de metal) | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 50 V | 200MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 2.2ohm @ 200 MMA, 4.5V | 1V @ 1MA | ± 8V | 25 pf @ 10 V | - | 200MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD1758TLP | 0.2736 | | 8570 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SD1758 | 10 W | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 32 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 800mv @ 200MA, 2A | 82 @ 500 mA, 3V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| Dtc015emt2l | 0.2500 | | 15 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | DTC015 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 20 Ma | - | NPN - Pre -Sesgado | 100mV A 500 µA, 5 Ma | 80 @ 5 MMA, 10V | 250 MHz | 100 kohms | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RB085B-40GTL | - | | 7082 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Dtc143xu3hzgt106 | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTC143 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1038STPS | - | | 5220 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | SC-72 Peques Formados | 300 MW | SPT | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 120 V | 50 Ma | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 180 @ 2mA, 6V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta144tcat116 | 0.3500 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTA144 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SCR502EBTL | 0.3000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | 2SCR502 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 500 mA | 200NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10 ma, 200 ma | 200 @ 100 mapa, 2v | 360MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RB495DFHT146 | 0.5300 | | 762 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | RB495 | Schottky | Smd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 25 V | 400mA | 500 MV @ 200 Ma | 70 µA @ 25 V | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc024eubtl | 0.3000 | | 196 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-85 | DTC024 | 200 MW | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 30 Ma | - | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 60 @ 5 mm, 10v | 250 MHz | 22 kohms | 22 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| UMA9NTR | 0.3800 | | 959 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | UMA9 | 150MW | UMT5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 PNP - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| Rfn3bm6sfhtl | 0.8700 | | 9112 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Rfn3b | Estándar | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.55 v @ 3 a | 30 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - |
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