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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RB085B-30GTL | - |  | 9444 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ftz4.3et148 | 0.4100 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | FTZ4.3 | 200 MW | Smd5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 Par de Ánodo Común | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Udzvte-1711b | 0.2700 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzvte | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DTA124XCAHZGT116 | 0.2100 | | 615 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dta124 | 350 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 mA | - | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rf4p025attcr | 0.9200 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powerudfn | RF4P025 | Mosfet (Óxido de metal) | Huml2020l8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 100 V | 2.5a (TA) | 4.5V, 10V | 260mohm @ 2.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 19.7 NC @ 10 V | ± 20V | 590 pf @ 50 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rb168lam100tftr | 0.4500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB168 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 400 na @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Scs215kgc | - | | 4504 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | SCS215 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.6 v @ 15 a | 0 ns | 300 µA @ 1200 V | 175 ° C (Máximo) | 15A | 790pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RLZTE-119.1B | - | | 9713 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 500 na @ 6 V | 8.8 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBQ10RSM65BTFTL1 | 1.3000 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Schottky | Un 277a | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 65 V | 670 MV @ 10 A | 150 µA @ 65 V | 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6002END3TL1 | 1.1000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | R6002 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 1.7a (TC) | 10V | 3.4ohm @ 500 mA, 10V | 4V @ 1MA | 6.5 NC @ 10 V | ± 20V | 65 pf @ 25 V | - | 26W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB162MM-40TR | 0.3900 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RB162 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 1 A | 100 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mtzjt-7715b | - | | 5311 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 11 V | 15 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Scs212amc | 6.4500 | | 48 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | SCS212 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.55 V @ 12 A | 0 ns | 240 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 12A | 438pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rfn20ns6stl | 2.0600 | | 302 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RFN20 | Estándar | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.55 V @ 20 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB751S-40TE61 | - | | 3229 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | RB751 | Schottky | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 370 MV @ 1 MA | 500 na @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | 30mera | 2pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SP8K22FU6TB | - | | 6739 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SP8K22 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 45V | 4.5a | 46mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 9.6nc @ 5V | 550pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc044tmt2l | 0.0382 | | 8666 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dtc044t | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | Dtc044 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 V | 60 Ma | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 5 MMA, 10V | 250 MHz | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BM63374S-VC | 24.6300 | | 60 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 25 Potencias (1.327 ", 33.70 mm) | IGBT | BM63374 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BM63374S-VC | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | Inversor de 3 fase | 15 A | 600 V | 1500 VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mmsta13t146 | 0.1417 | | 8600 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mmsta13 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 30 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSM400C12P3G202 | 1.0000 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Banda | Activo | 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | BSM400 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 | N-canal | 1200 V | 400A (TC) | - | - | 5.6V @ 106.8MA | +22V, -4V | 17000 pf @ 10 V | - | 1570W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc115tetl | 0.3500 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTC115 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1SS400CST2R | 0.0797 | | 5951 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | Sod-923 | 1SS400 | Estándar | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 1.2 V @ 100 Ma | 100 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | 100mA | 3PF @ 0.5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84B5V1LFHT116 | 0.0474 | | 9006 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 1.96% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SCR513RTL | 0.4700 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | 2SCR513 | 500 MW | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 1 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 350mv @ 25 mm, 500 mA | 180 @ 50 mm, 2v | 360MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD1866TV2 | - | | 6271 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 3-SIP | 1 W | Canal de televisión Británnico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 60 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 1MA, 1A | 1000 @ 1a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1SR124-400AT-81 | - | | 7095 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1SR124 | Estándar | GSR | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1SR124400AT81 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 400 ns | 10 µA @ 400 V | -60 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBQ10BM65ATL | 0.5250 | | 9180 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RBQ10 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 65 V | 10A | 690 MV @ 5 A | 150 µA @ 65 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB050L-60DDTE25 | 0.7100 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RB050 | Schottky | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 560 MV @ 3 A | 100 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rbr3lam40atr | 0.4900 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOD-128 | RBR3LAM40 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 690 MV @ 3 A | 50 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Scs210amc | 5.6300 | | 248 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | Un 220-2 | SCS210 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.55 v @ 10 a | 0 ns | 200 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 10A | 365pf @ 1V, 1 MHz |
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