- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- Irlandés
- Griego
- Turco
- italiano
- danés
- rumano
- Indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- Albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estoniano
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SCR372PT100R | 0.3426 |  | 4522 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SCR372 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 120 V | 700 Ma | 1 µA (ICBO) | NPN | 300mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mapa, 5V | 220MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD2144STPU | - | | 6017 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | SC-72 Peques Formados | 2SD2144 | 300 MW | SPT | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 20 V | 500 mA | 500NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 20 mm, 500 mA | 820 @ 10mA, 3V | 350MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SAR552P5T100 | 0.5500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2Sar552 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 3 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 50 mm, 1a | 200 @ 500mA, 2V | 330MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RSS075P03TB1 | - | | 7186 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RSS075P03TB1TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 7.5a (TA) | 4V, 10V | 21mohm @ 7.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 30 NC @ 5 V | ± 20V | 2900 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc043zmt2l | 0.3100 | | 143 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | DTC043 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5 MMA, 10V | 250 MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc623tkt146 | 0.4300 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC623 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 V | 600 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 2.5mA, 50 mA | 820 @ 50 mm, 5V | 150 MHz | 2.2 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Dtd543xmt2l | 0.1035 | | 3661 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | Dtd543 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 12 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 140 @ 100mA, 2V | 260 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | DTA013ZEBTL | 0.2600 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | DTA013 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 30 @ 5 MMA, 10V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | ZDS020N60TB | - | | 9383 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ZDS020 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 630 mA (TC) | 10V | 5ohm @ 500 mA, 10V | 4V @ 1MA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 310 pf @ 10 V | - | 2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2sar543dtl | 0.6045 | | 9578 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2Sar543 | 10 W | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 V | 4 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 100 mm, 2a | 180 @ 100 mm, 3V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rsx051vym30fhtr | 0.3900 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RSX051 | Schottky | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 390 MV @ 500 Ma | 9.6 ns | 200 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rq3e120attb | 0.7700 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | RQ3E120 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSMT (3.2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 1MA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BCX71HT116 | 0.1069 | | 2660 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCX71 | 350 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 200 MA | 100na | PNP | 550mv @ 1.25 mA, 50 mA | 140 @ 2mA, 5V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RF305BGE6STL | 1.4300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RF305 | Estándar | Un 252GE | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 v @ 3 a | 30 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB162M-60TR | 0.3700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOD-123F | RB162 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 650 MV @ 1 A | 100 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA2007E | 2.6300 | | 397 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 2SA2007 | 25 W | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 60 V | 12 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 400mA, 8a | 320 @ 2a, 2v | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX71JT116 | - | | 8562 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCX71 | SST3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 200 MA | - | PNP | - | 250 @ 2mA, 5V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Dtb743emt2l | 0.1035 | | 5216 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | Sot-723 | DTB743 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 30 V | 200 MA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 115 @ 100 mapa, 2v | 260 MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RB160LAM-90TR | 0.4000 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB160 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 730 MV @ 1 A | 100 µA @ 90 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | EMD4T2R | 0.3900 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMD4T2 | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mm / 300mv @ 250 µA, 5 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 47kohms, 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
| RRS070N03TB1 | - | | 7628 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 7a (TA) | 28mohm @ 7a, 10v | - | 11.6 NC @ 5 V | 900 pf @ 10 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| Rb021vam90tr | 0.3900 | | 11 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RB021 | Schottky | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 490 MV @ 200 Ma | 900 µA @ 90 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SCT3105KRC14 | 21.7600 | | 106 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | SCT3105 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | To-247-4l | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1200 V | 24a (TC) | 18V | 137mohm @ 7.6a, 18V | 5.6V @ 3.81mA | 51 NC @ 18 V | +22V, -4V | 574 pf @ 800 V | - | 134W | ||||||||||||||||||||||||||
 | RBR10NS60AFHTL | 1.2800 | | 999 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RBR10 | Schottky | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 10A | 650 MV @ 5 A | 200 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MTZJT-7210C | - | | 7073 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt7210c | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1484KT146R | 0.4100 | | 716 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SD1484 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 180 @ 10mA, 3V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2391T100Q | 0.7600 | | 548 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SD2391 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 350mv @ 50 mm, 1a | 120 @ 500mA, 2V | 210MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2704KT146 | 0.3800 | | 51 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SD2704 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 20 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 100mv @ 3 mm, 30 ma | 820 @ 4MA, 2V | 35MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Rdn080n25fu6 | - | | 8843 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Rdn080 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 250 V | 8a (TA) | 10V | 500mohm @ 4a, 10v | 4V @ 1MA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 543 pf @ 10 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | MP6M14TCR | - | | 4723 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | MP6M14 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | Mpt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Vecino del canal | 30V | 8a, 6a | 25mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 1MA | 7.3nc @ 5V | 470pf @ 10V | Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 4V |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)