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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RB441Q-40T-72 | - |  | 2884 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | RB441 | Schottky | MSD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | RB441Q40T72 | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 550 MV @ 100 Ma | 100 µA @ 40 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 6pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBQ10B65ATL | - | | 4213 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RBQ10 | Schottky | CPD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 65 V | 5A | 690 MV @ 5 A | 150 µA @ 65 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | RDX120N50FU6 | - | | 7814 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RDX120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 12a (TA) | 10V | 500mohm @ 6a, 10v | 4V @ 1MA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 1600 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Dtd123ekt146 | 0.4500 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dtd123 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 39 @ 50mA, 5V | 200 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA2199T2LQ | - | | 2290 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-923F | 2SA2199 | 150 MW | VMN3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 846-2SA2199T2LQTR | 8,000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mapa, 3V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SCR375PHZGT100Q | 0.8300 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 500 MW | Sot-89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 120 V | 1.5 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 300mv @ 80mA, 800 mA | 120 @ 200MA, 5V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | RSH125N03TB1 | 0.7215 | | 1324 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RSH125 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 12.5a (TA) | 4V, 10V | 9.1mohm @ 12.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 28 NC @ 5 V | ± 20V | 1670 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC5662T2LN | - | | 2228 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-723 | 2SC5662 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 11 V | 50 Ma | 500NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 5 Ma, 10 Ma | 56 @ 5mA, 10V | 3.2GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TFZGTR7.5B | 0.0886 | | 7531 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | * | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | TFZGTR7.5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2Sar522Ebtl | 0.1900 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | 2Sar522 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 V | 200 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 120 @ 1 MMA, 2V | 350MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2018E3TL | 0.4800 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | 2SA2018 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250 mv @ 10 ma, 200 ma | 270 @ 10mA, 2V | 260MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Sh8k5tb1 | 0.4190 | | 1361 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8k5 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 3.5a | 83mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 3.5nc @ 5V | 140pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC4132T100Q | 0.3748 | | 9382 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SC4132 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 120 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 2v @ 100 ma, 1a | 120 @ 100 mapa, 5V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | SCS302APC9 | 1.1520 | | 5172 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | Un 220-2 | SCS302 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.5 v @ 2 a | 0 ns | 10.8 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 2a | 110pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Yfzvfhtr13b | 0.4300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.56% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | Yfzvfhtr13 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 10 V | 12.88 V | 14 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB715ft106 | 0.4500 | | 11 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | RB715 | Schottky | Umd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 40 V | 30mera | 370 MV @ 1 MA | 1 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IMH9AT110 | 0.3800 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | IMH9 | 300MW | Smt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
| R6011Enx | 3.0700 | | 500 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6011 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 390mohm @ 3.8a, 10V | 4V @ 1MA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | QS8J4TR | 1.1100 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | QS8J4 | Mosfet (Óxido de metal) | 550MW | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 4A | 56mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 1MA | 13NC @ 10V | 800pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||
| GDZ8EPT2R5.6 | - | | 8971 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-GDZ8EPT2R5.6TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rf05vam2str | 0.4500 | | 27 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | Rf05vam2 | Estándar | Tumd2s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 980 MV @ 500 Ma | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | EMH25T2R | 0.4200 | | 345 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMH25 | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 1SS380TE-17 | 0.3800 | | 12 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 1SS380 | Estándar | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 35 V | 1.2 V @ 100 Ma | 10 na @ 20 V | 150 ° C (Máximo) | 100mA | 5PF @ 0.5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | RZF020P01TL | 0.5700 | | 12 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, planos de cables | RZF020 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 2a (TA) | 1.5V, 4.5V | 105mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 1MA | 6.5 NC @ 4.5 V | ± 10V | 770 pf @ 6 V | - | 800MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | RSQ025P03TR | 0.2756 | | 5049 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RSQ025 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2.5a (TA) | 4V, 10V | 110MOHM @ 2.5A, 10V | 2.5V @ 1MA | 4.4 NC @ 5 V | ± 20V | 320 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | SSTA28T116 | 0.4800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SSTA28 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 V | 300 mA | 500NA | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100mA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Rym002n05t2cl | 0.3800 | | 821 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-723 | Rym002 | Mosfet (Óxido de metal) | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | N-canal | 50 V | 200MA (TA) | 0.9V, 4.5V | 2.2ohm @ 200 MMA, 4.5V | 800mv @ 1 MMA | ± 8V | 26 pf @ 10 V | - | 150MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Rss130n03fu6tb | - | | 5713 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RSS130 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 13a (TA) | 4V, 10V | 8.1mohm @ 13a, 10v | 2.5V @ 1MA | 35 NC @ 5 V | 20V | 2000 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | RB521CM-30T2R | 0.3500 | | 22 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RB521 | Schottky | Vmn2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 350 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 10 V | 150 ° C (Máximo) | 100mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rf201lam4str | 0.4600 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RF201 | Estándar | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 V @ 1.5 A | 30 ns | 1 µA @ 400 V | 150 ° C (Máximo) | 1.5a | - |
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