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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GDZTT2R14 | - |  | 5278 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-GDZTT2R14TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB520ZS-40T2R | - | | 5992 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 0201 (0603 Métrica) | RB520 | Schottky | Gmd2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RB520ZS-40T2RTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 480 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 40 V | 150 ° C | 100mA | - | |||||||||||||||||||||
| RB521ZS-3AZT2R | - | | 8384 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | RB521 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RB521ZS-3AZT2RTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| GDZ8EPT2R6.2 | - | | 2269 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-GDZ8EPT2R6.2TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GDZ8EPT2R8.2 | - | | 8319 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-GDZ8EPT2R8.2TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GDZ8EPT2R6.8B | - | | 9434 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-GDZ8EPT2R6.8BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB560SS-40T2R | - | | 3686 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 0603 (1608 Métrica) | RB560 | Schottky | Kmd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RB560SS-40T2RTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 640 MV @ 500 Ma | 40 µA @ 40 V | 150 ° C | 500mA | - | |||||||||||||||||||||
| DAP202CT116 | - | | 1944 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-DAP202CT116TR | Obsoleto | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAV99GT116 | - | | 6765 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV99 | Estándar | SSD3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BAV99GT116TR | Obsoleto | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 75 V | 215MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||
| BAV70T216 | - | | 3527 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV70 | Estándar | SSD3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BAV70T216TR | Obsoleto | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 70 V | 215MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 2.5 µA @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||
 | Rb715wmfhtl | 0.3500 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | RB715 | Schottky | EMD3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 40 V | 30mera | 370 MV @ 1 MA | 1 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||
 | RBQ20BM100AFHTL | 2.4500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RBQ20 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 690 MV @ 10 A | 200 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||
 | CDZFHT2RA24B | 0.4800 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, CDZFH | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2.21% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-923 | CDZFHT2 | 100 MW | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 19 V | 24.25 V | 120 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | UMZ5.1NFHT106 | 0.4600 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 5.19% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | UMZ5.1 | 200 MW | Umd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par Ánodo Común | 2 µA @ 1.5 V | 5.1 V | ||||||||||||||||||||||||
| UMZ18NFHT106 | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.19% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | UMZ18 | 200 MW | Umd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 13 V | 18 V | ||||||||||||||||||||||||
 | Stz6.8tfht146 | 0.4400 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4.93% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Stz6.8 | 200 MW | Smd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par Ánodo Común | 500 na @ 3.5 V | 6.8 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||||||
 | R6520ENZC17 | 6.1700 | | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6520 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6520ENZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 20A (TC) | 10V | 205mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 630 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||
| R6530ENZC17 | 6.5000 | | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6530ENZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 30A (TC) | 10V | 140mohm @ 14.5a, 10v | 4V @ 960 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 25 V | - | 86W (TC) | ||||||||||||||||
| R6515KNZC17 | 4.9800 | | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6515 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6515KNZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 15A (TC) | 10V | 315mohm @ 6.5a, 10v | 5V @ 430 µA | 27.5 NC @ 10 V | ± 20V | 1050 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||
| R6535KNZC17 | 7.8500 | | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6535 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6535KNZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 35A (TC) | 10V | 115mohm @ 18.1a, 10v | 5V @ 1.21MA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 102W (TC) | ||||||||||||||||
| R6524ENZC17 | 6.3700 | | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6524 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6524ENZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 185mohm @ 11.3a, 10v | 4V @ 750 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1650 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||||||||||||||
| R6050JNZC8 | - | | 7204 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6050 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6050JNZC8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 50A (TC) | 15V | 83mohm @ 25A, 15V | 7V @ 5 mm | 120 NC @ 15 V | ± 30V | 4500 pf @ 100 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||
| R6535ENZC8 | - | | 4858 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6535 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6535ENZC8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 35A (TC) | 10V | 115mohm @ 18.1a, 10v | 4V @ 1.21MA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 25 V | - | 102W (TC) | ||||||||||||||||
| R6025AZFL1C8 | - | | 8796 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6025 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6025AZFL1C8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 150mohm @ 12.5a, 10V | 4.5V @ 1MA | 88 NC @ 10 V | ± 30V | 3250 pf @ 10 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||
| R6020AnzFL1C8 | - | | 4337 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6020 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6020AnzFL1C8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 20A (TA) | 10V | 220mohm @ 10a, 10v | 4.15V @ 1MA | 65 NC @ 10 V | ± 30V | 2040 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||
| R6030ENZM12C8 | - | | 1373 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6030 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6030ENZM12C8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 10V | 130mohm @ 14.5a, 10v | 4V @ 1MA | 85 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||
| R6530ENZC8 | - | | 7267 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6530ENZC8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 30A (TC) | 10V | 140mohm @ 14.5a, 10v | 4V @ 960 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 25 V | - | 86W (TC) | ||||||||||||||||
| R6524ENZC8 | - | | 1704 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6524 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6524ENZC8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 185mohm @ 11.3a, 10v | 4V @ 750 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1650 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||||||||||||||
| R6520ENZC8 | - | | 9518 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6520 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6520ENZC8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 20A (TC) | 10V | 205mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 630 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||
| R6035ENZC17 | 7.8500 | | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6035 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6035ENZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 35A (TC) | 10V | 102mohm @ 18.1a, 10v | 4V @ 1MA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2720 pf @ 25 V | - | 120W (TC) |
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