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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RLZTE-113.9B | - | ![]() | 2787 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 5 µA @ 1 V | 3.9 V | 50 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Ptzte255.6a | 0.4800 | ![]() | 8249 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6% | - | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Ptzte255.6 | 1 W | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 20 µA @ 1.5 V | 5.6 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | TDZTR8.2 | 0.3800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TDZTR8.2 | 500 MW | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 4.9 V | 8.2 V | |||||||||||||||||||||||
RSS100N03FU6TB | - | ![]() | 8244 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RSS100 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 10a (TA) | 4V, 10V | 13mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 1MA | 14 NC @ 5 V | 20V | 1070 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||
RSS080N05FU6TB | - | ![]() | 2605 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 8a (TA) | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | RQ1A070ZPTR | 1.2200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | RQ1A070 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 7a (TA) | 1.5V, 4.5V | 12mohm @ 7a, 4.5V | 1V @ 1MA | 58 NC @ 4.5 V | ± 10V | 7400 pf @ 6 V | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | RRS075P03TB1 | - | ![]() | 6724 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 7.5a (TA) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||
![]() | BSM180D12P2C101 | 527.2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Módulo | BSM180 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 1130W | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Q7641253A | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | 2 Canales N (Medio Puente) | 1200V (1.2kv) | 204A (TC) | - | 4V @ 35.2MA | - | 23000pf @ 10V | - | |||||||||||||||||
MTZJT-722.7B | - | ![]() | 4740 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt722.7b | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 2.7 V | ||||||||||||||||||||||||
MTZJT-7220C | - | ![]() | 2404 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MTZJT7220C | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 20 V | ||||||||||||||||||||||||
Mtzjt-7222b | - | ![]() | 3058 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt7222b | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 17 V | 22 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||
Mtzjt-7224b | - | ![]() | 3588 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt7224b | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 19 V | 24 V | 35 ohmios | ||||||||||||||||||||||
Mtzjt-7227c | - | ![]() | 6217 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt7227c | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 21 V | 27 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||||||||
MTZJT-7230A | - | ![]() | 9186 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt7230a | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 23 V | 30 V | 55 ohmios | ||||||||||||||||||||||
Mtzjt-7239b | - | ![]() | 8429 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt7239b | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 30 V | 39 V | 85 ohmios | ||||||||||||||||||||||
MTZJT-7239C | - | ![]() | 2990 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt7239c | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 30 V | 39 V | 85 ohmios | ||||||||||||||||||||||
Mtzjt-726.2a | - | ![]() | 1111 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt726.2a | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 3 V | 6.2 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||
MTZJT-727.5C | - | ![]() | 2324 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MTZJT727.5C | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 4 V | 7.5 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||
MTZJT-729.1C | - | ![]() | 3679 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt729.1c | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||
MTZJT-772.2B | - | ![]() | 4872 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt772.2b | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 2.2 V | |||||||||||||||||||||||||
Mtzjt-7724d | - | ![]() | 9519 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt7724d | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 19 V | 24 V | 35 ohmios | |||||||||||||||||||||||
MTZJT-773.0B | - | ![]() | 5143 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt773.0b | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 3 V | |||||||||||||||||||||||||
Mtzjt-773.3a | - | ![]() | 7766 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt773.3a | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 3.3 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Scs210aJtll | 5.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SCS210 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.55 v @ 10 a | 0 ns | 200 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 10A | 365pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | Rcd060n25tl | 0.6045 | ![]() | 4666 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RCD060 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 250 V | 6a (TC) | 10V | 530mohm @ 3a, 10v | 5V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 840 pf @ 25 V | - | 850MW (TA), 20W (TC) | |||||||||||||||
![]() | Rsd100n10tl | 0.6086 | ![]() | 2238 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RSD100 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 10a (TA) | 4V, 10V | 133mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 20W (TC) | |||||||||||||||
![]() | Rsd131p10tl | 0.6497 | ![]() | 8158 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RSD131 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 100 V | 13a (TC) | 4V, 10V | 200mohm @ 6.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 850MW (TA), 20W (TC) | |||||||||||||||
![]() | Rsd140p06tl | - | ![]() | 2817 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RSD140 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 14a (TA) | 4V, 10V | 84mohm @ 14a, 10v | 3V @ 1MA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 10 V | - | 20W (TC) | |||||||||||||||
![]() | Sp8m70tb1 | - | ![]() | 5282 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sp8m7 | Mosfet (Óxido de metal) | 650MW | 8-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 250V | 3a, 2.5a | 1.63ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 1MA | 5.2NC @ 10V | 180pf @ 25V | - | |||||||||||||||||
![]() | 2SK2463T100 | 0.8100 | ![]() | 900 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SK2463 | Mosfet (Óxido de metal) | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 2a (TA) | 4V, 10V | 380mohm @ 1a, 10v | 2.5V @ 1MA | ± 20V | 200 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) |
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