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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RT1C060UNTR | 0.2213 |  | 7445 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | RT1C060 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSST | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6a (TA) | 1.5V, 4.5V | 28mohm @ 6a, 4.5V | 1V @ 1MA | 11 NC @ 4.5 V | ± 10V | 870 pf @ 10 V | - | 650MW (TA) | ||||||||||||||||
| Tt8j11tcr | 0.6600 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | TT8J11 | Mosfet (Óxido de metal) | 650MW | 8-TSST | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 3.5a | 43mohm @ 3.5a, 4.5V | 1V @ 1MA | 22NC @ 4.5V | 2600pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico, Transmisión de 1.5V | ||||||||||||||||||
| TT8M3TR | 0.1839 | | 6932 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | TT8M3 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSST | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 2.5a, 2.4a | 72mohm @ 2.5a, 4.5V | 1V @ 1MA | 3.6nc @ 4.5V | 260pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico, Transmisión de 1.5V | ||||||||||||||||||
 | Um6k34ntcn | 0.3900 | | 449 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | UM6K34 | Mosfet (Óxido de metal) | 120MW | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 50V | 200 MMA | 2.2ohm @ 200 MMA, 4.5V | 800mv @ 1 MMA | - | 26pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 0.9V | ||||||||||||||||||
 | R6020ENZ1C9 | - | | 2772 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 1MA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||||||||||||||
 | RB058L-60DDTE25 | 0.6100 | | 24 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RB058 | Schottky | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 640 MV @ 3 A | 4 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||||||||||||
 | RB085BM-90TL | 1.8700 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB085 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 90 V | 5A | 830 MV @ 5 A | 150 µA @ 90 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||
 | RB168M150DDTR | 0.2155 | | 9856 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOD-123F | RB168 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 840 MV @ 1 A | 20 µA @ 150 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||
 | RB520CS-30T2RA | 0.0963 | | 9627 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | Sod-923 | RB520 | Schottky | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 450 MV @ 10 Ma | 500 na @ 10 V | 150 ° C (Máximo) | 100mA | - | |||||||||||||||||||||
 | RB521AS-30T2R | - | | 4518 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | RB521 | Schottky | VML2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 200 Ma | 30 µA @ 10 V | 150 ° C (Máximo) | 200 MMA | - | |||||||||||||||||||||
 | Rq6e030attcr | 0.5400 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RQ6E030 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 3a (TA) | 91mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 1MA | 5.4 NC @ 10 V | 240 pf @ 15 V | - | ||||||||||||||||||||
| RR2L4SDDTE25 | 0.6300 | | 635 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RR2L4 | Estándar | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 2 a | 10 µA @ 400 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | |||||||||||||||||||||
| CDZT2RA16B | 0.4000 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | CDZ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-923 | CDZT2 | 100 MW | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 12 V | 16 V | 50 ohmios | |||||||||||||||||||||||
 | SDZT15R5.6 | 0.0403 | | 2057 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | Sdzt15 | 100 MW | SMD0603 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 µA @ 2.5 V | 5.6 V | ||||||||||||||||||||||||
| RBR3L60BTE25 | 0.2752 | | 2826 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RBR3L60 | Schottky | PMDS | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 560 MV @ 3 A | 150 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||||||||||||
| Rbr5l40ate25 | 0.3972 | | 2571 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RBR5L40 | Schottky | PMDS | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 530 MV @ 5 A | 200 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | |||||||||||||||||||||
| Rbr5l60ate25 | 0.3972 | | 3265 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RBR5L60 | Schottky | PMDS | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 550 MV @ 5 A | 250 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | |||||||||||||||||||||
| Rfn2l4ste25 | 0.6600 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Rfn2l4 | Estándar | PMDS | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 V @ 1.5 A | 30 ns | 1 µA @ 400 V | 150 ° C (Máximo) | 1.5a | - | ||||||||||||||||||||
| RB068M-40TR | 0.5800 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOD-123F | RB068 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 725 MV @ 2 A | 550 na @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | |||||||||||||||||||||
| RB068MM-40TR | 0.5200 | | 25 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RB068 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 725 MV @ 2 A | 550 na @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | |||||||||||||||||||||
 | RSF015N06TL | 0.4400 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, planos de cables | RSF015 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 1.5a (TA) | 4V, 10V | 290mohm @ 1.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 2 NC @ 5 V | ± 20V | 110 pf @ 10 V | - | 800MW (TA) | ||||||||||||||||
 | RB160VAM-40TR | 0.4300 | | 14 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RB160 | Schottky | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 700 Ma | 50 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||
| TFZVTR12B | 0.3700 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TFZVTR12 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 9 V | 12 V | 12 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| TFZVTR27B | 0.3700 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TFZVTR27 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 21 V | 27 V | 45 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| Tfzvtr5.6b | 0.3700 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TFZVTR5.6 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 13 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| TFZVTR6.2B | 0.3700 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TFZVTR6.2 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 3 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||
 | CDZVT2R11B | 0.2700 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | CDZVT2 | 100 MW | Vmn2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| CDZVT2R15B | 0.2700 | | 10 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | CDZVT2 | 100 MW | Vmn2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 11 V | 15 V | 42 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| CDZVT2R18B | 0.2700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | CDZVT2 | 100 MW | Vmn2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 13 V | 18 V | 65 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| CDZVT2R27B | 0.2700 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | CDZVT2 | 100 MW | Vmn2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 21 V | 27 V | 150 ohmios |
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