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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RR274EA-400TR | 0.5300 |  | 9 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | RR274 | Estándar | TSMD5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 400 V | 500mA | 1.1 V @ 500 Ma | 10 µA @ 400 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB501V-40TE-17 | 0.4100 | | 36 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | RB501 | Schottky | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 550 MV @ 100 Ma | 30 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 6pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rbr5lam30btr | 0.6200 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RBR5LAM30 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 490 MV @ 5 A | 150 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1SS400LDTE61 | - | | 7529 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-1SS400LDTE61TR | Obsoleto | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Scs306amc | 3.8600 | | 930 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | SCS306 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.5 V @ 6 A | 0 ns | 30 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 6A | 300pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB168VWM-30TFTR | 0.5600 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RB168 | Schottky | PMDE | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 690 MV @ 1 A | 600 na @ 30 V | 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RFUH20TB4SNZC9 | 2.2500 | | 991 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Rfuh20 | Estándar | Un 220nfm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RFUH20TB4SNZC9 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 430 V | 1.7 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA @ 430 V | 150 ° C | 20A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ump11ntn | 0.5200 | | 46 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Ump11 | Estándar | Umd6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 Par de Ánodo Común | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RSX051VA-30TR | 0.1479 | | 8896 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RSX051 | Schottky | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 390 MV @ 500 Ma | 200 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RP1E075RPTR | - | | 5780 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RP1E075 | Mosfet (Óxido de metal) | Mpt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 30 V | 7.5a (TA) | 4V, 10V | 21mohm @ 7.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 21 NC @ 5 V | ± 20V | 1900 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RRS090N03FU7TB1 | - | | 8919 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RRS090N03FU7TB1TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 9a (TA) | 4V, 10V | 19mohm @ 9a, 10v | 2.5V @ 1MA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 1450 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6027ynxc7g | 5.5800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | 1 (ilimitado) | 846-R6027YNXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 14a (TC) | 10V, 12V | 135mohm @ 7a, 12v | 6V @ 2mA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 1670 pf @ 100 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB520A-30FHT2RB | 0.3700 | | 6180 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sod-882 | Schottky | DFN1006-2W | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 580 MV @ 200 Ma | 1 µA @ 10 V | 150 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rlzte-1116b | - | | 2821 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 12 V | 16 V | 18 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Dta113ze3hzgtl | 0.4300 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | Dta113 | 150 MW | EMT3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-dta113ze3hzgtlct | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TT8J3TR | 0.6300 | | 29 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | TT8J3 | - | 1.25W | 8-TSST | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 2.5a | 84mohm @ 2.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 4.8nc @ 5V | 460pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta123jebhzgtl | 0.2400 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | DTA123 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 mA | - | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSM400D12P2G003 | 2.0000 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Módulo | BSM400 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 2450W (TC) | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BSM400D12P2G003 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 Canales N (Medio Puente) | 1200V (1.2kv) | 400A (TC) | - | 4V @ 85MA | - | 38000pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1579U3T106S | 0.4900 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SA1579 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-2SA1579U3T106STR | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 V | 50 Ma | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 180 @ 2mA, 6V | 140MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1576U3HZGT106Q | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SA1576 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BM63763S-VC | 20.0347 | | 6247 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 25 Potencias (1.327 ", 33.70 mm) | IGBT | BM63763 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BM63763S-VC | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | Inversor de 3 fase | 10 A | 600 V | 1500 VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RGT50TS65DGC11 | 2.5127 | | 8936 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGT50 | Estándar | 174 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGT50TS65DGC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 25A, 10ohm, 15V | 58 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 48 A | 75 A | 2.1V @ 15V, 25A | - | 49 NC | 27ns/88ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RCX510N25 | 3.0468 | | 1817 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RCX510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RCX510N25 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 250 V | 51a (TA) | 10V | - | - | ± 30V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R6015FNX | 4.2704 | | 2546 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6015 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6015FNX | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 15a (TA) | 10V | 350mohm @ 7.5a, 10V | 5V @ 1MA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 1660 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rf601t2d | 0.4951 | | 8592 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RF601 | Estándar | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RF601T2D | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 3A | 930 MV @ 3 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UDZLVFHTE-1756 | 0.4400 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.25% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | UDZLVFHTE-1756 | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 43 V | 56 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UDZLVFHTE-1751 | 0.4400 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.88% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | UDZLVFHTE-1751 | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 39 V | 51 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UDZLVFHTE-17110 | 0.4400 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.45% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | UDZLVFHTE-17110 | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 84 V | 110 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sct3040kw7tl | 38.8000 | | 8346 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | SCT3040 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | Un 263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 1200 V | 56a (TC) | 52mohm @ 20a, 18V | 5.6V @ 10 Ma | 107 NC @ 18 V | +22V, -4V | 1337 pf @ 800 V | - | 267W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCT3160KW7TL | 11.2700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | SCT3160 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | Un 263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 1200 V | 17a (TC) | 208mohm @ 5a, 18V | 5.6V @ 2.5MA | 42 NC @ 18 V | +22V, -4V | 398 pf @ 800 V | - | 100W |
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