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Productos de semiconductoros discretos (6960)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
R8005ANJFRGTL Rohm Semiconductor R8005Anjfrgtl 3.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab R8005 Mosfet (Óxido de metal) LPTS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 5A (TC) 10V 2.1ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 1MA 20 NC @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 120W (TC)
RCX160N20 Rohm Semiconductor RCX160N20 1.6400
RFQ
 ECAD 4243 0.00000000 Semiconductor rohm - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero RCX160 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 200 V 16a (TC) 10V 180mohm @ 8a, 10v 5.25V @ 1MA 26 NC @ 10 V ± 30V 1370 pf @ 25 V - 2.23W (TA), 40W (TC)
2SK3019TL Rohm Semiconductor 2SK3019TL 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2SK3019 Mosfet (Óxido de metal) EMT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 100 mA (TA) 2.5V, 4V 8ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 100 µA ± 20V 13 pf @ 5 V - 150MW (TA)
RB078BM30STL Rohm Semiconductor Rb078bm30stl 1.8800
RFQ
 ECAD 8282 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RB078 Schottky Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 720 MV @ 5 A 5 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo) 5A -
RTR020N05TL Rohm Semiconductor RTR020N05TL 0.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-96 RTR020 Mosfet (Óxido de metal) TSMT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 45 V 2a (TA) 2.5V, 4.5V 180mohm @ 2a, 4.5V 1.5V @ 1MA 4.1 NC @ 4.5 V ± 12V 200 pf @ 10 V - 1W (TA)
RFN20NS3SFHTL Rohm Semiconductor Rfn20ns3sfhtl 1.4400
RFQ
 ECAD 494 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab RFN20 Estándar LPDS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 350 V 1.35 V @ 20 A 35 ns 10 µA @ 350 V 150 ° C (Máximo) 20A 412pf @ 0V, 1MHz
EM6K7T2R Rohm Semiconductor EM6K7T2R 0.5400
RFQ
 ECAD 589 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 EM6K7 Mosfet (Óxido de metal) 150MW EMT6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 2 Canal N (Dual) 20V 200 MMA 1.2ohm @ 200 MMA, 2.5V 1V @ 1MA - 25pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
RB161MM-20TR Rohm Semiconductor RB161MM-20TR 0.4800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F RB161 Schottky Pmdu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 25 V 350 MV @ 1 A 700 µA @ 20 V 125 ° C (Máximo) 1A -
SP8K31TB1 Rohm Semiconductor SP8K31TB1 -
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SP8K31 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 3.5a 120mohm @ 3.5a, 10v 2.5V @ 1MA 5.2NC @ 5V 250pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
RCJ081N20TL Rohm Semiconductor Rcj081n20tl 1.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab RCJ081 Mosfet (Óxido de metal) LPTS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 8a (TC) 10V 770mohm @ 4a, 10v 5.25V @ 1MA 8.5 NC @ 10 V ± 30V 330 pf @ 25 V - 1.56W (TA), 40W (TC)
BZX84B9V1LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B9V1LYFHT116 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 1.98% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 500 na @ 6 V 9.1 V 15 ohmios
SP8M9FU6TB Rohm Semiconductor Sp8m9fu6tb -
RFQ
 ECAD 7434 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SP8M9 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 30V 9a, 5a 18mohm @ 9a, 10v 2.5V @ 1MA 21NC @ 5V 1190pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
RF101L4STE25 Rohm Semiconductor Rf101l4ste25 0.1154
RFQ
 ECAD 3732 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie DO-214AC, SMA RF101 Estándar PMDS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 v @ 1 a 25 ns 10 µA @ 400 V 150 ° C (Máximo) 1A -
RGCL80TS60DGC11 Rohm Semiconductor RGCL80TS60DGC11 5.2400
RFQ
 ECAD 9242 0.00000000 Semiconductor rohm - Una granela No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGCL80 Estándar 148 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 400V, 40a, 10ohm, 15V 58 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 65 A 160 A 1.8V @ 15V, 40A 1.11mj (Encendido), 1.68mj (apaguado) 98 NC 53ns/227ns
QS8J2TR Rohm Semiconductor QS8J2TR 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano QS8J2 Mosfet (Óxido de metal) 550MW TSMT8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 12V 4A 36mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 1MA 20NC @ 4.5V 1940pf @ 6V Puerta de Nivel Lógico, Transmisión de 1.5V
RB160SS-40T2R Rohm Semiconductor RB160SS-40T2R -
RFQ
 ECAD 4182 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 2-smd, sin plomo RB160 Schottky Kmd2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 8,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 700 Ma 50 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 1A -
RCD075N19TL Rohm Semiconductor Rcd075n19tl 1.0900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RCD075 Mosfet (Óxido de metal) CPT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 190 V 7.5a (TC) 4V, 10V 336mohm @ 3.8a, 10V 2.5V @ 1MA 30 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 850MW (TA), 20W (TC)
ZDX130N50 Rohm Semiconductor ZDX130N50 1.6372
RFQ
 ECAD 9797 0.00000000 Semiconductor rohm - Una granela No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero ZDX130 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado ZDX130N50CT-ND EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 500 V 13a (TC) 10V 520mohm @ 6.5a, 10V 4.5V @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 30V 2180 pf @ 25 V - 40W (TC)
R6015ENJTL Rohm Semiconductor R6015Enjtl 4.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab R6015 Mosfet (Óxido de metal) LPTS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 15A (TC) 10V 290mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 20V 910 pf @ 25 V - 40W (TC)
RB215T-60 Rohm Semiconductor RB215T-60 -
RFQ
 ECAD 2644 0.00000000 Semiconductor rohm - Una granela No hay para Nuevos Diseños A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero RB215 Schottky Un 220FN descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado RB215T60 EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 10A 580 MV @ 10 A 600 µA @ 60 V 150 ° C (Máximo)
R6020ENJTL Rohm Semiconductor R6020ENJTL 2.7900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab R6020 Mosfet (Óxido de metal) LPTS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 20A (TC) 10V 196mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 1MA 60 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 40W (TC)
RB238NS-30FHTL Rohm Semiconductor RB238NS-30FHTL 2.3700
RFQ
 ECAD 9959 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab RB238 Schottky LPDS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 40A 750 MV @ 20 A 12 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo)
RBR2LAM60BTFTR Rohm Semiconductor RBR2LAM60BTFTR 0.4400
RFQ
 ECAD 288 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 RBR2LAM60 Schottky Pmdtm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 150 µA @ 60 V 150 ° C (Máximo) 2a -
2SCR542PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SCR542PFRAT100 0.6500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2SCR542 500 MW MPT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 30 V 5 A 1 µA (ICBO) NPN 400mv @ 100 mm, 2a 200 @ 500mA, 2V 250MHz
SCT4045DEHRC11 Rohm Semiconductor SCT4045DEHRC11 15.2900
RFQ
 ECAD 460 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-SCT4045DEHRC11 EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 750 V 34a (TC) 18V 59mohm @ 17a, 18V 4.8v @ 8.89 mA 63 NC @ 18 V +21V, -4V 1460 pf @ 500 V - 115W
RB068LAM-40TR Rohm Semiconductor Rb068lam-40tr 0.5300
RFQ
 ECAD 507 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 RB068 Schottky Pmdtm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 690 MV @ 2 A 1 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 2a -
UMZ27NFHT106 Rohm Semiconductor UMZ27NFHT106 0.4500
RFQ
 ECAD 7335 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2.4% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 UMZ27 200 MW Umd3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 100 na @ 21 V 27 V
US6K4TR Rohm Semiconductor US6K4TR 0.6300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables US6K4 Mosfet (Óxido de metal) 1W Tumt6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 1.5a 180mohm @ 1.5a, 4.5V 1V @ 1MA 2.5nc @ 4.5V 110pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
R6006JNJGTL Rohm Semiconductor R6006jnjgtl 2.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab R6006 Mosfet (Óxido de metal) LPTS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 6a (TC) 15V 936mohm @ 3a, 15V 7V @ 800 µA 15.5 NC @ 15 V ± 30V 410 pf @ 100 V - 86W (TC)
SCS208AGC Rohm Semiconductor SCS208AGC -
RFQ
 ECAD 6141 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 SCS208 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.55 v @ 8 a 0 ns 160 µA @ 600 V 175 ° C (Máximo) 8A 291pf @ 1V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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