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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RB481Y-40FHT2R | - |  | 5924 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75-4, SOT-543 | RB481 | Schottky | EMD4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 Independientes | 40 V | 200 MMA | 450 MV @ 100 Ma | 90 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Rfn6b2dtl | - | | 4713 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB521AS-30T2R | - | | 4518 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | RB521 | Schottky | VML2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 200 Ma | 30 µA @ 10 V | 150 ° C (Máximo) | 200 MMA | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BA12004BF-E2 | - | | 3056 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | BA12004 | 620MW | 16-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 60V | 500mA | - | 7 NPN Darlington | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350MA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Rbr15bm30afhtl | 1.3000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RBR15 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 15A | 510 MV @ 7.5 A | 200 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SCS230ke2AHRC | - | | 7942 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SCS230 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 360 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 15a (DC) | 1.6 v @ 15 a | 0 ns | 300 µA @ 1200 V | 175 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||
| SCS230AE2C | - | | 5565 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SCS230 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 360 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 650 V | 15a (DC) | 1.55 V @ 15 A | 300 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RB160A40T-32 | - | | 7361 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-41 mini, axial | RB160 | Schottky | MSR | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 510 MV @ 1 A | 30 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RB058L-40TE25 | 0.5700 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RB058 | Schottky | PMDS | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 700 MV @ 3 A | 5 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RB451ft106 | 0.4200 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | RB451 | Schottky | Umd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 550 MV @ 100 Ma | 30 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 6pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Rf501bm2stl | 1.3400 | | 60 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RF501 | Estándar | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 920 MV @ 5 A | 25 ns | 1 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SB1237TV2P | - | | 5812 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 3-SIP | 1 W | Canal de televisión Británnico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 32 V | 1 A | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 82 @ 100 mm, 3V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1576U3T106Q | 0.3000 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SA1576 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| Ptzte2513b | 0.2014 | | 1901 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6% | - | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Ptzte2513 | 1 W | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µA @ 10 V | 13.8 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta015tebtl | 0.0351 | | 7490 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | DTA015 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 250mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 5 MMA, 10V | 250 MHz | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SCS212AGC | - | | 2801 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | SCS212 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.55 V @ 12 A | 0 ns | 240 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 12A | 438pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | DAP222MFHT2L | 0.4400 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Sot-723 | DAP222 | Estándar | VMD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | FMG1AT148 | 0.1479 | | 2579 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | Fmg1 | 300MW | Smt5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5MA, 5V | 250MHz | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | RB421DT146 | 0.3800 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | RB421 | Schottky | Smd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 550 MV @ 100 Ma | 30 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 6pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Rre04ea4dfhtr | 0.5000 | | 57 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | Rre04 | Estándar | TSMD5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 400 V | 400mA | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 400 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||
| RB081L-20TE25 | 0.5100 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RB081 | Schottky | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 450 MV @ 500 Ma | 700 µA @ 20 V | 125 ° C (Máximo) | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| RB717ft106 | 0.3800 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | RB717 | Schottky | Umd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 40 V | 30mera | 370 MV @ 1 MA | 1 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RB168VYM100FHTR | 0.4300 | | 14 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RB168 | Schottky | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 840 MV @ 1 A | 6.7 ns | 300 na @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RBQ30TB45BNZC9 | 2.1300 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | RBQ30 | Schottky | Un 220FN-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 590 MV @ 30 A | 350 µA @ 45 V | 150 ° C | 30A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84C5V6LFHT116 | - | | 1314 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 7.14% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| RB160L-60TE25 | 0.1613 | | 8783 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RB160 | Schottky | PMDS | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 580 MV @ 1 A | 1 ma @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RB160SS-40T2R | - | | 4182 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | RB160 | Schottky | Kmd2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 700 Ma | 50 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| Rd3p07bbhtl1 | 3.0100 | | 8402 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3P07 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 80a (TA), 70A (TC) | 6V, 10V | 7.7mohm @ 70a, 10v | 4V @ 1MA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 2410 pf @ 50 V | - | 89W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
| RB058L-40DDTE25 | 0.6400 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RB058 | Schottky | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 700 MV @ 3 A | 5 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RB050LAM-40TFTR | 0.6700 | | 33 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB050 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 3 A | 100 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - |
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