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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | UDZWTE-178.2B | - |  | 6646 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Umd2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Scs210kghrc | - | | 7728 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | SCS210 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.6 v @ 10 a | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | 175 ° C (Máximo) | 10A | 550pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCS215KGHRC | - | | 1005 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | SCS215 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.6 v @ 15 a | 0 ns | 300 µA @ 1200 V | 175 ° C (Máximo) | 15A | 790pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6009knjtl | 1.9600 | | 20 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R6009 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 9A (TC) | 10V | 535mohm @ 2.8a, 10V | 5V @ 1MA | 16.5 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6024knx | 2.8800 | | 495 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6024 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 165mohm @ 11.3a, 10v | 5V @ 1MA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rq6e085bntcr | 0.9200 | | 530 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RQ6E085 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 8.5A (TC) | 10V | 14.4mohm @ 8.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 32.7 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 15 V | - | 1.25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RQ7E110AJTCR | 0.9700 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | RQ7E110 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 11a (TC) | 4.5V | 9mohm @ 4.5a, 11v | 1.5V @ 10mA | 22 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2410 pf @ 15 V | - | 1.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| R6030KNXC7 | 4.2600 | | 500 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6030 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 10V | 130mohm @ 14.5a, 10v | 5V @ 1MA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 25 V | - | 86W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rb056lam-40tr | 0.3800 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB056 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 670 MV @ 3 A | 50 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB060LAM-40TR | 0.4100 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB060 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 2 A | 100 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB162LAM-40TR | 0.4700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB162 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 1 A | 100 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rb068lam150tr | 0.4700 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB068 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 810 MV @ 2 A | 3 µA @ 150 V | 150 ° C (Máximo) | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rfn1lam7str | 0.4400 | | 33 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | Rfn1lam7 | Estándar | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 700 V | 1.5 V @ 800 Ma | 80 ns | 1 µA @ 700 V | 150 ° C (Máximo) | 800mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SCS206AJHRTLL | 5.3700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SCS206 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.55 v @ 6 a | 0 ns | 120 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 6A | 219pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pdzvtr11a | 0.4500 | | 110 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 5.45% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | PDZVTR11 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 8 V | 11 V | 8 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZVTR15B | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | PDZV | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.77% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | PDZVTR15 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 11 V | 15.6 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZVTR18A | 0.4500 | | 67 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6.41% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | PDZVTR18 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 13 V | 17.95 V | 12 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pdzvtr30a | 0.1275 | | 8565 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6.67% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | Pdzvtr30 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 23 V | 30 V | 18 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZVTR30B | 0.4500 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | PDZV | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.25% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | Pdzvtr30 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 23 V | 32 V | 18 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZVTR5.1B | 0.4500 | | 11 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | PDZV | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.88% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | PDZVTR5.1 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µA @ 1 V | 5.1 V | 8 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZVTR2.4B | 0.4500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | PDZV | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.88% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | PDZVTR2.4 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 µA @ 1 V | 2.4 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZVTR22B | 0.4500 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | PDZV | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.38% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | PDZVTR22 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 17 V | 23.25 V | 14 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZVTR33A | 0.4500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6.06% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | PDZVTR33 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 25 V | 33 V | 18 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZVTR36A | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 5.56% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | PDZVTR36 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 27 V | 36 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZVTR39A | 0.4500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 5.13% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | PDZVTR39 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 30 V | 39 V | 50 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZVTR4.7A | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 5.38% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | PDZVTR4.7 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µA @ 1 V | 4.65 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZVTR9.1A | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6.08% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | PDZVTR9.1 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µA @ 6 V | 9.05 V | 6 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rtl020p02fratr | 0.4200 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RTL020 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 135mohm @ 2a, 4.5V | 2v @ 1 mapa | 4.9 NC @ 4.5 V | ± 12V | 430 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | EMD2FHAT2R | 0.3800 | | 121 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMD2FHAT2 | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | - | 100mA | - | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5MA, 5V | 250MHz | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RGS00TS65DHRC11 | 5.4900 | | 8290 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Rgs00 | Estándar | 326 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 50A, 10ohm, 15V | 103 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 88 A | 150 A | 2.1V @ 15V, 50A | 1.46mj (Encendido), 1.29mj (apagado) | 58 NC | 36NS/115NS |
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