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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IMH11AT110 | 0.4000 |  | 10 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | IMH11 | 300MW | Smt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RB228T100 | 0.9950 | | 3593 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RB228 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 30A | 870 MV @ 5 A | 500 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IMH10AT110 | 0.4900 | | 10 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | IMH10 | 300MW | Smt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Rblq20nl10sfhtl | 2.5800 | | 9305 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RBLQ20 | Schottky | To-263l | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 860 MV @ 20 A | 80 µA @ 100 V | 150 ° C | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IMH24T110 | 0.1840 | | 6946 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | IMH24 | 300MW | Smt6 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 20V | 600mA | 500NA (ICBO) | 2 NPN - Precializado (dual) | 150mv @ 50 mm, 2.5 mA | 820 @ 50 mm, 5V | 150MHz | 2.2 kohms | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Rb085bm-30tl | - | | 8034 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB085 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 5A | 480 MV @ 4 A | 300 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB578VYM100FHTR | 0.3600 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RB578 | Schottky | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 700 Ma | 4.35 ns | 200 na @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | 700mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dan212kt146 | 0.3300 | | 32 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dan212 | Estándar | Smd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | 100mA | 3.5pf @ 6V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mp6k31tr | - | | 1449 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | MP6K31 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | Mpt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 2A | 290mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 1MA | 2NC @ 5V | 110pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1727TLQ | 0.3581 | | 1469 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SA1727 | 1 W | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 500 mA | 1 µA (ICBO) | PNP | 1V @ 10 Ma, 100 Ma | 120 @ 50mA, 5V | 12MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2sb1186ae | - | | 5139 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 2 W | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 160 V | 1.5 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 2v @ 100 ma, 1a | 60 @ 1a, 5v | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta144vkat146 | 0.0912 | | 5925 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTA144 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 30 Ma | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 47 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
| RBQ10B45ATL | - | | 2148 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Schottky | CPD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 10A | 650 MV @ 5 A | 150 µA @ 45 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Dta114te3tl | 0.3700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dta114e | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | Dta114 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Precializado + Diodo | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SCR522MT2L | 0.3600 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-723 | 2SCR522 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 20 V | 200 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 120 @ 1 MMA, 2V | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rsj301n10tl | 2.9100 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RSJ301 | Mosfet (Óxido de metal) | A 263S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 30A (TA) | 4V, 10V | 46mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 1MA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 25 V | - | 50W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | EMG4T2R | 0.1084 | | 2468 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Plano Plano | EMG4T2 | 150MW | EMT5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | - | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250MHz | 10 kohms | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CDZT2R5.6B | 0.0928 | | 1372 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | CDZ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-923 | CDZT2 | 100 MW | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 1 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDZFHT2RA7.5B | 0.4100 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, CDZFH | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2.15% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-923 | CDZFHT2 | 100 MW | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 500 na @ 4 V | 7.44 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RFUH20TF6SC9 | 3.0200 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Rfuh20 | Estándar | Un 220nfm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RFUH20TF6SC9 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.8 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C | 20A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc143tubtl | 0.0366 | | 4543 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-85 | DTC143 | 200 MW | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SCR544RTL | 0.6300 | | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | 2SCR544 | 1 W | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 80 V | 2.5 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 300mv @ 50 mm, 1a | 120 @ 100 mapa, 3V | 280MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA144EBT2L | - | | 9617 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-923F | Dta114 | 150 MW | VMN3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 846-DTA144EBT2LTR | 8,000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Precializado + Diodo | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1980TL | 0.9600 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SD1980 | 10 W | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100 V | 2 A | 10 µA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 1MA, 1A | 1000 @ 1a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Rk3055etl | - | | 6917 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RK3055 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 8a (TA) | 10V | 150mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 1MA | ± 20V | 520 pf @ 10 V | - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| Dtc923tubtl | 0.0784 | | 3118 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-85 | DTC923 | 200 MW | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 20 V | 400 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 100mv @ 3 mm, 30 ma | 820 @ 10mA, 5V | 35 MHz | 2.2 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Dtb114tkt146 | 0.1561 | | 7336 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dtb114 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 500 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 50mA, 5V | 200 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta114tu3hzgt106 | 0.3500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Dta114 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rbr3lam40atftr | 0.4400 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RBR3LAM40 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 50 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TDZVTR18 | 0.3900 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TDZVTR18 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 13 V | 18 V |
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