SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
TN0610N3-G-P013 Microchip Technology TN0610N3-G-P013 1.0500
RFQ
ECAD 2151 0.00000000 Tecnología de Microchip - Cinta y Caja (TB) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN0610 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 500 mA (TJ) 3V, 10V 1.5ohm @ 750 mm, 10v 2v @ 1 mapa ± 20V 150 pf @ 25 V - 1W (TC)
TN5325N3-G-P002 Microchip Technology TN5325N3-G-P002 0.6400
RFQ
ECAD 2803 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN5325 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 250 V 215MA (TA) 4.5V, 10V 7ohm @ 1a, 10v 2v @ 1 mapa ± 20V 110 pf @ 25 V - 740MW (TA)
TN5335K1-G Microchip Technology TN5335K1-G 1.0000
RFQ
ECAD 8622 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TN5335 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 350 V 110MA (TJ) 3V, 10V 15ohm @ 200Ma, 10V 2v @ 1 mapa ± 20V 110 pf @ 25 V - 360MW (TA)
TP2424N8-G Microchip Technology TP2424N8-G -
RFQ
ECAD 2814 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA TP2424 Mosfet (Óxido de metal) TO-243AA (SOT-89) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 240 V 316MA (TJ) 4.5V, 10V 8ohm @ 500 mA, 10V 2.4V @ 1MA ± 20V 200 pf @ 25 V - 1.6w (TA)
TP2510N8-G Microchip Technology TP2510N8-G 1.5400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA TP2510 Mosfet (Óxido de metal) TO-243AA (SOT-89) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 100 V 480MA (TJ) 10V 3.5ohm @ 750 mm, 10v 2.4V @ 1MA ± 20V 125 pf @ 25 V - 1.6w (TA)
TP2540N8-G Microchip Technology TP2540N8-G 1.9400
RFQ
ECAD 7120 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA TP2540 Mosfet (Óxido de metal) TO-243AA (SOT-89) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 400 V 125MA (TJ) 4.5V, 10V 25ohm @ 100 mapa, 10v 2.4V @ 1MA ± 20V 125 pf @ 25 V - 1.6w (TA)
VN2410L-G-P014 Microchip Technology VN2410L-G-P014 0.9800
RFQ
ECAD 5317 0.00000000 Tecnología de Microchip - Cinta y Caja (TB) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales VN2410 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 240 V 190MA (TJ) 2.5V, 10V 10ohm @ 500 mA, 10V 2v @ 1 mapa ± 20V 125 pf @ 25 V - 1W (TC)
APTMC120AM16CD3AG Microchip Technology Aptmc120am16cd3ag -
RFQ
ECAD 2840 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo D-3 APTMC120 CARBURO DE SILICIO (SIC) 625W D3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canales N (Medio Puente) 1200V (1.2kv) 131a (TC) 20mohm @ 100a, 20V 2.2V @ 5MA (typ) 246nc @ 20V 4750pf @ 1000V -
JANTXV1N4618UR-1 Microchip Technology Jantxv1n4618ur-1 -
RFQ
ECAD 1916 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 1 V 2.7 V 1500 ohmios
JANTXV1N4627UR-1 Microchip Technology Jantxv1n4627ur-1 20.1900
RFQ
ECAD 2118 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 1N4627 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 5 V 6.2 V 1200 ohmios
JANTXV1N5968 Microchip Technology Jantxv1n5968 346.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero E, axial 1N5968 5 W E, axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 5000 µA @ 4.28 V 5.6 V 1 ohmios
JANTXV1N6317US Microchip Technology Jantxv1n6317us 128.7000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 5 µA @ 2 V 5.1 V 1300 ohmios
JANTXV1N6491US Microchip Technology Jantxv1n6491us -
RFQ
ECAD 9958 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 500 na @ 2 V 5.6 V 5 ohmios
JANTXV1N753A-1 Microchip Technology Jantxv1n753a-1 5.3000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/127 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N753 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 3.5 V 6.2 V 3 ohmios
JANTXV1N757A-1 Microchip Technology Jantxv1n757a-1 4.0800
RFQ
ECAD 2584 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/127 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N757 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 7 V 9.1 V 6 ohmios
1N4370A Microchip Technology 1N4370A 2.5200
RFQ
ECAD 6163 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4370 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1N4370ams EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 µA @ 1 V 2.4 V 30 ohmios
1N4465 Microchip Technology 1N4465 7.1600
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4465 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 300 na @ 8 V 10 V 5 ohmios
1N4493 Microchip Technology 1N4493 11.8050
RFQ
ECAD 9517 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4493 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 na @ 120 V 150 V 700 ohmios
1N4573A-1 Microchip Technology 1N4573A-1 9.9300
RFQ
ECAD 3410 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4573 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 V 100 ohmios
1N4691 Microchip Technology 1N4691 3.9800
RFQ
ECAD 241 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4691 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 µA @ 5 V 6.2 V
1N5234A Microchip Technology 1N5234A 3.9150
RFQ
ECAD 1201 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5234 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2266-1N5234A EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 5 µA @ 3.8 V 6.2 V 7 ohmios
1N6625E3 Microchip Technology 1N6625E3 -
RFQ
ECAD 1293 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero A, axial Estándar A, axial - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1100 V 1.95 V @ 1.5 A 80 ns 1 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
1N6643US Microchip Technology 1N6643US 7.4400
RFQ
ECAD 906 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje en superficie SQ-Melf, E 1N6643 Estándar D-5B descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.2 V @ 100 Ma 20 ns 50 na @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 300mA 5PF @ 0V, 1MHz
1N936A Microchip Technology 1N936A 11.7000
RFQ
ECAD 98 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N936 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 6 V 9 V 20 ohmios
1N965BE3 Microchip Technology 1N965Be3 2.5650
RFQ
ECAD 8434 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N965 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 11.4 V 15 V 16 ohmios
S30760 Microchip Technology S30760 52.3200
RFQ
ECAD 2926 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental S30760 Estándar Do-5 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 25 µA @ 600 V -65 ° C ~ 200 ° C 85a -
SBR60100 Microchip Technology SBR60100 144.5850
RFQ
ECAD 4995 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental SBR60100 Schottky Do-5 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 ma @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 60A -
CDLL943B Microchip Technology CDLL943B 21.4600
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA CDLL943 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1086-15190-MIL EAR99 8541.10.0050 1 15 µA @ 8 V 11.7 V 30 ohmios
JAN1N4125-1 Microchip Technology Jan1N4125-1 4.1400
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4125 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 35.8 V 47 V 250 ohmios
JAN1N4150UR-1 Microchip Technology Jan1n4150ur-1 1.5300
RFQ
ECAD 5891 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/231 Una granela Activo Montaje en superficie DO-213AA 1N4150 Estándar DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 50 V 1 V @ 200 Ma 4 ns 100 na @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock