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Productos de semiconductoros discretos (471)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD13381F4T | 0.9300 |  | 6 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD13381F4 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | N-canal | 12 V | 2.1a (TA) | 1.8V, 4.5V | 180mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 1.4 NC @ 4.5 V | 8V | 200 pf @ 6 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||||
 | CSD17573Q5B | 1.6200 | | 10 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17573Q5 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 100A (TA) | 4.5V, 10V | 1mohm @ 35a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 64 NC @ 4.5 V | ± 20V | 9000 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 195W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | CSD8733333Q3D | 1.3000 | | 2 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD8733333Q3 | Mosfet (Óxido de metal) | 6W | 8-Vson (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Asimétrico del canal (dual) | 30V | 15A | 14.3mohm @ 4a, 8V | 1.2V @ 250 µA | 4.6nc @ 4.5V | 662pf @ 15V | Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 5 V | |||||||||||||||||||||||
 | CSD23202W10 | 0.4200 | | 4 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA, DSBGA | CSD23202 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-DSBGA (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 2.2a (TA) | 1.5V, 4.5V | 53mohm @ 500 mA, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 3.8 NC @ 4.5 V | -6v | 512 pf @ 6 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | CSD23203WT | 1.1000 | | 40 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, DSBGA | CSD23203 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-DSBGA (1x1.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P | 8 V | 3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 19.4mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 6.3 NC @ 4.5 V | -6v | 914 pf @ 4 V | - | 750MW (TA) | |||||||||||||||||||||
 | CSD22204WT | 1.2100 | | 6 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 9-UFBGA, DSBGA | CSD22204 | Mosfet (Óxido de metal) | 9-DSBGA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal P | 8 V | 5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 9.9mohm @ 2a, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 24.6 NC @ 4.5 V | -6v | 1130 pf @ 4 V | - | 1.7w (TA) | |||||||||||||||||||||
 | Csd17313q2t | 1.1900 | | 26 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | CSD17313 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-wson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 30 V | 5A (TA) | 3V, 8V | 30mohm @ 4a, 8V | 1.8V @ 250 µA | 2.7 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 340 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 17W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | CSD87335Q33DT | 1.9200 | | 232 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powerldfn | CSD87335Q3 | Mosfet (Óxido de metal) | 6W | 8-LSON (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 25A | - | 1.9V @ 250 µA | 7.4nc @ 4.5V | 1050pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||
| Csd8633336q3d | 0.7232 | | 2118 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD86336Q3 | Mosfet (Óxido de metal) | 6W | 8-Vson (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 25V | 20A (TA) | 9.1mohm @ 20a, 5V, 3.4mohm @ 20a, 5V | 1.9V @ 250 µA, 1.6V @ 250 µA | 3.8nc @ 45V, 7.4nc @ 45V | 494pf @ 12.5V, 970pf @ 12.5V | Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 5 V | |||||||||||||||||||||||
 | Sn75468dr | 0.8800 | | 22 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 75468 | - | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100V | 500mA | - | 7 NPN Darlington | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | - | - | |||||||||||||||||||||||||
| CSD17581Q5A | 0.8800 | | 1 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17581 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 24a (TA), 123A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 16A, 10V | 1.7V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 3640 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | CSD23285F5 | 0.5300 | | 20 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD23285 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 5.4a (TA) | 1.5V, 4.5V | 35mohm @ 1a, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 4.2 NC @ 4.5 V | -6v | 628 pf @ 6 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||||
 | CSD13380F3T | 0.9400 | | 29 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD13380 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | N-canal | 12 V | 3.6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 76mohm @ 400mA, 4.5V | 1.3V @ 250 µA | 1.2 NC @ 4.5 V | 8V | 156 pf @ 6 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||||
 | CSD85312Q3E | 1.2800 | | 2011 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | CSD85312 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5w | 8-Vson (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Fuente Común de Canal N (Dual) | 20V | 39A | 12.4mohm @ 10a, 8V | 1.4V @ 250 µA | 15.2NC @ 4.5V | 2390pf @ 10V | Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 5 V | |||||||||||||||||||||||
| CSD19502Q5B | 2.6500 | | 14 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD19502 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 80 V | 100A (TA) | 6V, 10V | 4.1mohm @ 19a, 10v | 3.3V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 4870 pf @ 40 V | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | |||||||||||||||||||||
| CSD19533Q5A | 1.5600 | | 579 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD19533 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 100A (TA) | 6V, 10V | 9.4mohm @ 13a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2670 pf @ 50 V | - | 3.2W (TA), 96W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | CSD25501F3 | 0.4300 | | 11 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xflga | CSD25501 | Mosfet (Óxido de metal) | 3 LGA (0.73x0.64) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 76mohm @ 400mA, 4.5V | 1.05V @ 250 µA | 1.33 NC @ 4.5 V | -20V | 385 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||||
| CSD25501F3T | 0.8900 | | 22 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xflga | CSD25501F3 | Mosfet (Óxido de metal) | 3 LGA (0.73x0.64) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P | 20 V | 3.6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 76mohm @ 400mA, 4.5V | 1.05V @ 250 µA | 1.33 NC @ 4.5 V | -20V | 385 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||||
 | UC3610N | 8.2400 | | 223 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | UC3610 | Schottky | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.3 V @ 1 A | 100 µA @ 40 V | 3 A | Fase única | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | CSD16323Q3 | 1.1700 | | 25 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD16323 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 21a (TA), 60a (TC) | 3V, 8V | 4.5mohm @ 24a, 8V | 1.4V @ 250 µA | 8.4 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 1300 pf @ 12.5 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | CSD86311W1723 | 0.4542 | | 1940 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 12-UFBGA, DSBGA | CSD86311 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5w | 12-DSBGA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 4.5a | 39mohm @ 2a, 8V | 1.4V @ 250 µA | 4NC @ 4.5V | 585pf @ 12.5V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||
 | TPS2013APWR | 0.5500 | | 630 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | TPS2013 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 630 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UC1610L/883B | 29.4300 | | 108 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDP032N08 | 1.0000 | | 9754 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | FDP032 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | N-canal | 75 V | 120a (TC) | 10V | 3.2mohm @ 75a, 10V | 4.5V @ 250 µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 15160 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | BAT54S | 1.0000 | | 6358 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 30 V | 200 MMA | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||
| SN910214N-P | - | | 7203 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPIC1533DW | 2.4900 | | 1 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Obsoleto | TPIC15 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UC1611J883B | 26.1200 | | 13 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Uln2004ane4 | - | | 4205 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | ULN2004 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SN74S1052NS | 1.4200 | | 5 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | - | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 |
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