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Productos de semiconductoros discretos (471)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Real - Promedio Rectificado (IO) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Drenaje real (ID) - Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Csd19532kttt | 2.8600 |  | 10 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-4, D²PAK (3 cables + Pestaña), TO-263AA | CSD19532 | Mosfet (Óxido de metal) | Ddpak/to-263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 200a (TA) | 6V, 10V | 5.6mohm @ 90a, 10v | 3.2V @ 250 µA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 5060 pf @ 50 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||
 | CSD19532Q5B | 2.6400 | | 9 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD19532 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 100A (TA) | 6V, 10V | 4.9mohm @ 17a, 10v | 3.2V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 4810 pf @ 50 V | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | |||||||||||||||||||
 | CSD17585F5 | 0.4900 | | 88 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | CSD17585 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.9a (TA) | 4.5V, 10V | 27mohm @ 900 mA, 10V | 1.7V @ 250 µA | 5.1 NC @ 10 V | 20V | 380 pf @ 15 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||
 | CSD86360Q5D | 2.8100 | | 15 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powerldfn | CSD86360Q5 | Mosfet (Óxido de metal) | 13W | 8-LSON (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 25V | 50A | - | 2.1V @ 250 µA | 12.6nc @ 4.5V | 2060pf @ 12.5 | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||
 | CSD17382F4 | 0.4600 | | 8 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD17382 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2.3a (TA) | 1.8v, 8V | 64mohm @ 500 mA, 8V | 1.2V @ 250 µA | 2.7 NC @ 4.5 V | 10V | 347 pf @ 15 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||
 | TPIC2202KC | 1.3400 | | 5 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UC2610N | 7.8580 | | 9946 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tubo | Activo | -25 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | UC2610 | Schottky | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.3 V @ 1 A | 100 µA @ 40 V | 1 A | Fase única | 50 V | |||||||||||||||||||||||||
 | JFE2140DR | 4.4800 | | 1 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | JFE2140 | 8-Soico | descascar | No Aplicable | 2 (1 Año) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 40 V | 13PF @ 5V | 40 V | 1.5 V @ 0.1 µA | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
 | CSD17581Q5AT | 1.0400 | | 2 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17581 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 30 V | 24a (TA), 123A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 16A, 10V | 1.7V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 3640 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||||
 | ULN2803ANG4 | - | | 5230 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 18 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ULN2803 | - | 18 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 50V | 500mA | - | 8 NPN Darlington | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | - | - | |||||||||||||||||||||||
 | Sn75468ns | - | | 7870 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Sn7546x | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | SN75468 | - | 16-SO | - | ROHS3 Cumplante | 296-SN75468NS | 1 | 100V | 500mA | - | - | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| Csd19506kttt | 6.1100 | | 5586 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-4, D²PAK (3 cables + Pestaña), TO-263AA | CSD19506 | Mosfet (Óxido de metal) | Ddpak/to-263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 V | 200a (TA) | 6V, 10V | 2.3mohm @ 100a, 10V | 3.2V @ 250 µA | 156 NC @ 10 V | ± 20V | 12200 pf @ 40 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||
| CSD13383F4 | 0.5000 | | 1 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD13383 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 2.9a (TA) | 2.5V, 4.5V | 44mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.25V @ 250 µA | 2.6 NC @ 4.5 V | ± 10V | 291 pf @ 6 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||
 | CSD86356Q5D | 1.0929 | | 4380 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD86356 | Mosfet (Óxido de metal) | 12W (TA) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 25V | 40a (TA) | 4.5mohm @ 20a, 5V, 0.8mohm @ 20a, 5V | 1.85V @ 250 µA, 1.5V @ 250 µA | 7.9nc @ 4.5v, 19.3nc @ 4.5V | 1040pf @ 12.5V, 2510pf @ 12.5V | Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 5 V | |||||||||||||||||||||
 | Csd1333383f4t | 0.9100 | | 5 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD13383F4 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | N-canal | 12 V | 2.9a (TA) | 2.5V, 4.5V | 44mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.25V @ 250 µA | 2.6 NC @ 4.5 V | ± 10V | 291 pf @ 6 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||
 | CSD87381P | 0.9400 | | 16 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5 LGA | CSD87381 | Mosfet (Óxido de metal) | 4W | 5-PTAB (3x2.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 15A | 16.3mohm @ 8a, 8V | 1.9V @ 250 µA | 5NC @ 4.5V | 564pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||
| TPS1101D | 2.6800 | | 105 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TPS1101 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 75 | Canal P | 15 V | 2.3a (TA) | 2.7V, 10V | 90mohm @ 2.5a, 10V | 1.5V @ 250 µA | 11.25 NC @ 10 V | +2V, -15V | - | 791MW (TA) | ||||||||||||||||||||
 | CSD87384M | 1.7800 | | 239 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5 LGA | CSD87384 | Mosfet (Óxido de metal) | 8W | 5-PTAB (5x3.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 30A | 7.7mohm @ 25A, 8V | 1.9V @ 250 µA | 9.2NC @ 4.5V | 1150pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||
| CSD23382F4T | 0.8800 | | 4 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD23382 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P | 12 V | 3.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 76mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 1.35 NC @ 4.5 V | ± 8V | 235 pf @ 6 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||
 | Tusb8040rkmr | 7.8800 | | 2 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-tusb8040rkmr-296 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD25201W15 | - | | 6632 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 9-UFBGA, DSBGA | CSD25201 | Mosfet (Óxido de metal) | 9-DSBGA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 40mohm @ 2a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 5.6 NC @ 4.5 V | -6v | 510 pf @ 10 V | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||||||||
| CSD16322Q5 | 1.2800 | | 1 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD16322 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 21a (TA), 97a (TC) | 3V, 8V | 5mohm @ 20a, 8V | 1.4V @ 250 µA | 9.7 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 1365 pf @ 12.5 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||||||||||
| Csd18563q5at | 1.6000 | | 23 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD18563 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 60 V | 100A (TA) | 4.5V, 10V | 6.8mohm @ 18a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 116W (TC) | |||||||||||||||||||
 | CSD87501L | 1.0000 | | 9 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-xflga | CSD87501 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5w | 10-Picostar (3.37x1.47) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | - | - | - | 2.3V @ 250 µA | 40nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||
| CSD19534Q5A | 1.0500 | | 113 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD19534 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 44a (TC) | 6V, 10V | 15.1mohm @ 10a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1680 pf @ 50 V | - | 3.2W (TA), 63W (TC) | |||||||||||||||||||
| CSD17577Q5A | 0.8200 | | 8 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17577 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 60A (TA) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 18a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2310 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 53W (TC) | |||||||||||||||||||
 | ULN2803AdWG4 | - | | 7375 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Automotriz, AEC-Q100 | Tubo | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 18-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | ULN2803 | - | 18-SOICO | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | 50V | 500mA | - | 8 NPN Darlington | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | - | - | |||||||||||||||||||||||
 | CSD17308Q3T | 1.0100 | | 830 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17308 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 30 V | 14a (TA), 44A (TC) | 3V, 8V | 10.3mohm @ 10a, 8V | 1.8V @ 250 µA | 5.1 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 700 pf @ 15 V | - | 2.7W (TA), 28W (TC) | |||||||||||||||||||
 | TPIC1502DW | - | | 1602 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 24-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TPIC15 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.86W | 24-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | 20V | 1.5a | 300mohm @ 1.5a, 10V | 2.2V @ 1MA | 2.1NC @ 10V | 98pf @ 14V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||
| CSD23381F4T | 0.9400 | | 18 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD23381 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P | 12 V | 2.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 175mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 1.14 NC @ 6 V | -8v | 236 pf @ 6 V | - | 500MW (TA) |
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