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Productos de semiconductoros discretos (471)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Ganar | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD18543Q3A | 0.9600 |  | 5344 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | CSD18543 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (3x3.15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 9.9mohm @ 12a, 10v | 2.7V @ 250 µA | 14.5 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 30 V | Estándar | 66W (TC) | |||||||||||||||||
 | CSD16323Q3C | - | | 1183 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD16323 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SON-EP (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 21a (TA), 60a (TC) | 3V, 8V | 4.5mohm @ 24a, 8V | 1.4V @ 250 µA | 8.4 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 1300 pf @ 12.5 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||
 | Csd18510ktt | 2.5000 | | 338 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | CSD18510 | Mosfet (Óxido de metal) | Ddpak/to-263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 40 V | 274a (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 100a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 153 NC @ 10 V | ± 20V | 11400 pf @ 20 V | - | 250W (TA) | |||||||||||||||||
 | EFC4C002NLTDG | 1.0000 | | 5976 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-XFBGA, WLCSP | EFC4C002 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.6w | 8-WLCSP (6x2.5) | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 2 canales (dual) Drenaje Común | - | - | - | 2.2V @ 1MA | 45nc @ 4.5V | 6200pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||
 | Csd87588nt | 1.6600 | | 4 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5 LGA | CSD87588 | Mosfet (Óxido de metal) | 6W | 5-PTAB (5x3.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 25A | 9.6mohm @ 15a, 10v | 1.9V @ 250 µA | 4.1NC @ 4.5V | 736pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||
 | TPS1101DR | 1.0319 | | 6739 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TPS1101 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canal P | 15 V | 2.3a (TA) | 2.7V, 10V | 90mohm @ 2.5a, 10V | 1.5V @ 250 µA | 11.25 NC @ 10 V | +2V, -15V | - | 791MW (TA) | ||||||||||||||||||
 | CSD17551Q3A | 0.7600 | | 3 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | CSD17551 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Son (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 11a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 7.8 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1370 pf @ 15 V | - | 2.6W (TA) | |||||||||||||||||
| Sn700887n | 0.6000 | | 7 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD13381F4 | 0.4400 | | 503 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD13381 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 2.1a (TA) | 1.8V, 4.5V | 180mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 1.4 NC @ 4.5 V | 8V | 200 pf @ 6 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||
 | TPIC5302D | 1.2000 | | 969 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD16327Q3T | 1.3500 | | 5 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD16327 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 25 V | 60A (TC) | 3V, 8V | 4mohm @ 24a, 8V | 1.4V @ 250 µA | 8.4 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 1300 pf @ 12.5 V | - | 74W (TC) | |||||||||||||||||
| Csd25481f4t | 0.8900 | | 15 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD25481 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P | 20 V | 2.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 88mohm @ 500 mA, 8V | 1.2V @ 250 µA | 0.91 NC @ 4.5 V | -12V | 189 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||
| CSD17506Q5A | 1.6900 | | 1 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17506 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 20a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1650 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA) | |||||||||||||||||
 | CSD19538Q3AT | 1.8700 | | 4221 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | CSD19538 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 100 V | 15a (TA) | 6V, 10V | 59mohm @ 5a, 10v | 3.8V @ 250 µA | 4.3 NC @ 10 V | ± 20V | 454 pf @ 50 V | - | 2.8W (TA), 23W (TC) | |||||||||||||||||
 | CSD75301W1015 | - | | 8370 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, DSBGA | CSD75301 | Mosfet (Óxido de metal) | 800MW | 6-DSBGA (1x1.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 1.2a | 100mohm @ 1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 2.1NC @ 4.5V | 195pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||
| CSD17553Q5A | 1.5300 | | 9 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17553 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 23.5A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 20a, 10v | 1.9V @ 250 µA | 21.5 NC @ 4.5 V | ± 20V | 3252 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||||||||
| TPS1120DR | 2.1000 | | 1 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TPS1120 | Mosfet (Óxido de metal) | 840MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 15V | 1.17a | 180mohm @ 1.5a, 10V | 1.5V @ 250 µA | 5.45nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||
| CSD17579Q3A | 0.6000 | | 42 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | CSD17579 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 20A (TA) | 4.5V, 10V | 10.2mohm @ 8a, 10v | 1.9V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 998 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 29W (TC) | |||||||||||||||||
| CSD19533QO5AT | 1.6900 | | 1254 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD19533 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 100 V | 100A (TA) | 6V, 10V | 9.4mohm @ 13a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2670 pf @ 50 V | - | 3.2W (TA), 96W (TC) | |||||||||||||||||
| CSD16410Q5A | 0.9600 | | 8 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD16410 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 16a (TA), 59A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 17a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 5 NC @ 4.5 V | +16V, -12V | 740 pf @ 12.5 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||
| CSD18514Q5A | 0.9600 | | 3 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD18514 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 89A (TC) | 4.5V, 10V | 7.9mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 2680 pf @ 20 V | - | 74W (TC) | |||||||||||||||||
| CSD17559Q5T | 3.1800 | | 396 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17559 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 30 V | 100A (TA) | 4.5V, 10V | 1.15mohm @ 40a, 10V | 1.7V @ 250 µA | 51 NC @ 4.5 V | ± 20V | 9200 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 96W (TC) | |||||||||||||||||
 | LP395Z/NOPB | 1.8000 | | 4 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | LP395 | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | 36 V | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
| CSD16414Q5 | 2.0900 | | 2 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD16414 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 34A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 21 NC @ 4.5 V | +16V, -12V | 3650 pf @ 12.5 V | - | 3.2W (TA) | |||||||||||||||||
| LMG3526R030RQSR | 27.6800 | | 9577 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte de superficie, Flanco Humectable | Almohadilla exposición de 52 vqfn | Mosfet | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Inversor de Medio Puente | 55 A | 650 V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| CSD17556Q5BT | 3.0000 | | 442 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17556 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 30 V | 100A (TA) | 4.5V, 10V | 1.4mohm @ 40a, 10v | 1.65V @ 250 µA | 39 NC @ 4.5 V | ± 20V | 7020 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 191W (TC) | |||||||||||||||||
| CSD16570Q5B | 2.2200 | | 4 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD16570 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 100A (TA) | 4.5V, 10V | 0.59mohm @ 50A, 10V | 1.9V @ 250 µA | 250 nc @ 10 V | ± 20V | 14000 pf @ 12 V | - | 3.2W (TA), 195W (TC) | |||||||||||||||||
| CSD13202Q2T | - | | 7046 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | CSD13202 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-wson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 296-CSD13202Q2T | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 12 V | 14.4a (TA) | 2.5V, 4.5V | 9.3mohm @ 5a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 6.6 NC @ 4.5 V | ± 8V | 997 pf @ 6 V | - | 2.7W (TA) | |||||||||||||||||
 | LM3046MX/NOPB | - | | 6651 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 14-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | LM3046 | 750MW | 14-soico | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | - | 15V | 50mera | 5 NPN | 40 @ 1 MMA, 3V | - | 3.25db @ 1kHz | |||||||||||||||||||||
 | CSD25481F4 | 0.4500 | | 80 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD25481 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 88mohm @ 500 mA, 8V | 1.2V @ 250 µA | 0.913 NC @ 4.5 V | -12V | 189 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) |
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