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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF21085LSR3 | - |  | 1500 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Ni-780s | MRF21 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | Ldmos | Ni-780s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.31.0001 | 250 | - | 1 A | 19W | 13.6db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MD7P19130HSR3 | - | | 3730 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | Ni-780S-4L | MD7P1 | 1.99 GHz | Ldmos | Ni-780S-4L | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - | 1.25 A | 40W | 20dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC124EMB, 315 | 0.0200 | | 289 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | PDTC124 | 250 MW | DFN1006B-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 100na | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5MA, 5V | 230 MHz | 22 kohms | 22 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S9101NR1 | - | | 1383 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Montaje en superficie | Un 270ab | MRF5 | 960MHz | Ldmos | Un 270 WB-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 700 Ma | 100W | 17.5dB | - | 26 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF556B, 215 | - | | 3603 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 30 V | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BF556 | - | Jfet | SOT-23 (TO-236AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 13mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6V4300NBR1 | - | | 2993 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 110 V | Monte del Chasis | Un 272bb | MRF6 | 450MHz | Ldmos | Un 272 WB-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935317035528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 900 mA | 300W | 22dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF1570FNT1 | - | | 8662 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 40 V | Monte del Chasis | Un 272-8 | MRF15 | 470MHz | Ldmos | Un 272-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | - | 800 Ma | 70W | 11.5dB | - | 12.5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B10,115 | 0.0300 | | 8770 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF1550NT1 | - | | 1464 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 40 V | Monte del Chasis | Un 272AA | MRF15 | 175MHz | Ldmos | Un 272-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | 12A | 500 mA | 50W | 14.5dB | - | 12.5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S18140HSR5 | - | | 4471 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Montaje en superficie | NI-880S | MRF6 | 1.88GHz | Ldmos | NI-880S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.2 A | 29w | 16dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MMRF2011NT1 | - | | 9893 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 28 V | Montaje en superficie | 24-PowerQFN | Mmrf2 | 728MHz ~ 960MHz | Ldmos | 24-PQFN-EP (8x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935336897528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 1.6w | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk9c2r2-60ej | - | | 5339 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | Buk9c2 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak-7 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934067485118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PMT760EN, 115 | - | | 7193 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | PMT7 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-73 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 900 mA (TA) | 4.5V, 10V | 950mohm @ 800 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 3 NC @ 10 V | ± 20V | 160 pf @ 80 V | - | 800MW (TA), 6.2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| BF545A, 215 | - | | 5567 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 30 V | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BF545 | - | Jfet | SOT-23 (TO-236AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 6.5mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8P18265HSR6 | - | | 3103 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | SOT-1110B | MRF8 | 1.88GHz | Ldmos | NI1230S-8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 935323031128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | - | 800 Ma | 72W | 16dB | - | 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BT234-600D, 127 | 0.2300 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.30.0080 | 1.110 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF423,112 | - | | 3245 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BF423 | 830 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 250 V | 50 Ma | 10NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5 mm, 30 mA | 50 @ 25 mm, 20V | 60MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8P29300HR6 | 484.7599 | | 7742 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 65 V | Monte del Chasis | NI-1230 | MRF8P29300 | 2.9 GHz | Ldmos | NI-1230 | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935319706128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | - | 100 mA | 320W | 13.3db | - | 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK78150-55A, 115 | - | | 3170 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Buk78 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-73 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 5.5a (TC) | 10V | 150mohm @ 5a, 10v | 4V @ 1MA | ± 20V | 230 pf @ 25 V | - | 8W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| PDTD123TT, 215 | - | | 7705 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PDTD12 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MD7P19130HR5 | - | | 2224 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | NI-780-4 | MD7P1 | 1.99 GHz | Ldmos | NI-780-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - | 1.25 A | 40W | 20dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||
| BC550C, 112 | - | | 6829 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BC55 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU12B3,115 | - | | 7315 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU12 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1201WR, 135 | - | | 1275 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 10 V | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | BF120 | 400MHz | Mosfet | CMPAK-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | Canal de Puerta de Doble | 30mera | 15 Ma | - | 29dB | 1dB | 5 V | |||||||||||||||||||||||||||||
| BUK952R8-30B, 127 | - | | 6530 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tubo | Activo | Buk95 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | A2I20H060NR1 | 25.9164 | | 4916 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 65 V | Montaje en superficie | Variante A 270-15, Plat lidera | A2I20 | 1.84GHz | Ldmos | Un 270WB-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935318716528 | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | Dual | - | 24 Ma | 12W | 28.9db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9618-55A, 118 | - | | 6336 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Buk96 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 61a (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 25A, 10V | 2v @ 1 mapa | 34 NC @ 5 V | ± 15V | 2210 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7528-55,127 | - | | 9638 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Buk75 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 40A (TC) | 10V | 28mohm @ 20a, 10v | 4V @ 1MA | ± 16V | 1300 pf @ 25 V | - | 96W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | BLC8G24LS-240AVJ | - | | 7701 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 65 V | Monte del Chasis | SOT-1252-1 | BLC8 | 2.3GHz ~ 2.4GHz | Ldmos | SOT1252-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 934067995118 | EAR99 | 8541.29.0075 | 100 | Dual | - | 800 Ma | 63W | 15dB | - | 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S18125BHSR3 | - | | 8787 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Ni-780s | MRF7 | 1.93GHz | Ldmos | Ni-780s | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.1 A | 125W | 16.5dB | - | 28 V |
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