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Productos de semiconductoros discretos (6133)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)
BZT52H-B16	-	RFQ	5171	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BZT52					descascar						0000.00.0000	1
BFR92AW, 135	-	RFQ	1304	NXP USA Inc.	-	Una granela	Obsoleto			150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BFR92			300MW	SC-70	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	10,000						-														15V	25 Ma					NPN		65 @ 15 Mapa, 10V	5GHz	2db ~ 3db @ 1ghz ~ 2ghz
A2T21S160-12SR3	113.6220	RFQ	2983	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo		65 V		Monte del Chasis	Ni-780-2S2L	A2T21	2.17GHz	Ldmos		Ni-780-2S2L	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	935323736128	EAR99	8541.29.0075	250			-	600 mA	38w	18.4db											-					28 V
MRF5P21240HR6	-	RFQ	5411	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		65 V			NI-1230	MRF5	2.11GHz ~ 2.17GHz	Ldmos		NI-1230	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		5A991G	8541.29.0075	150			-	2.2 A	52W	13dB											-					28 V
PHK28NQ03LT, 518	-	RFQ	7273	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	PHK28		Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					30 V	23.7a (TC)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 14a, 10v	2v @ 1 mapa	30.3 NC @ 4.5 V	± 20V	2800 pf @ 20 V	-	6.25W (TC)
PMFPB6545UP, 115	-	RFQ	4807	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-udfn almohadilla exposición	PMFPB		Mosfet (Óxido de metal)		6-Huson (2x2)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P					20 V	3.5a (TA)	1.8V, 4.5V	70mohm @ 1a, 4.5V	1V @ 250 µA	6 NC @ 4.5 V	± 8V	380 pf @ 10 V	Diodo Schottky (Aislado)	520MW (TA), 8.3W (TC)
BSH112,235	-	RFQ	4783	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BSH1		Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23 (TO-236AB)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000		N-canal					60 V	300 mA (TA)	4.5V, 10V	5ohm @ 500 mA, 10V	2v @ 1 mapa		± 15V	40 pf @ 10 V	-	830MW (TC)
PSMN8R5-100ESQ	0.6200	RFQ	975	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)		I2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal					100 V	100A (TJ)	10V	8.5mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	111 NC @ 10 V	± 20V	5512 pf @ 50 V	-	263W (TC)
MRF7S18125BHSR5	-	RFQ	6753	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		65 V		Monte del Chasis	Ni-780s	MRF7	1.93GHz	Ldmos		Ni-780s	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	50			-	1.1 A	125W	16.5dB											-					28 V
MRF21085LSR5	-	RFQ	3550	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		65 V			Ni-780s	MRF21	2.11GHz ~ 2.17GHz	Ldmos		Ni-780s	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.31.0001	50			-	1 A	19W	13.6db											-					28 V
PMEG3002AESFC315	0.0400	RFQ	63	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						PMEG3002					descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0070	9,000
BF556A, 235	-	RFQ	2998	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		30 V		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BF556	-	Jfet		SOT-23 (TO-236AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934021470235	EAR99	8541.21.0095	10,000	N-canal		7 MMA		-	-											-
BF904WR, 115	-	RFQ	3441	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		7 V		Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BF904	200MHz	Mosfet		CMPAK-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	Canal de Puerta de Doble		30mera	10 Ma	-	-											1dB					5 V
BZX284-B3V9,115	-	RFQ	7402	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD -10	BZX284			400 MW	SOD -10	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																		1.1 V @ 100 Ma	3 µA @ 1 V					3.9 V	90 ohmios
PMDPB56XN, 115	-	RFQ	4420	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-udfn almohadilla exposición	PMDPB56		Mosfet (Óxido de metal)	510MW	6-Huson (2x2)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal N (Dual)						30V	3.1A		73mohm @ 3.1a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	2.9nc @ 4.5V		170pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
2PA1774R, 135	-	RFQ	7710	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	2PA17			150 MW	SC-75	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	10,000																				50 V	150 Ma		100NA (ICBO)			PNP	200 MV a 5 mm, 50 Ma	180 @ 1 MMA, 6V	100MHz
AFT21S220W02GSR3	-	RFQ	2152	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		65 V		Montaje en superficie	NI-780GS-2L	AFT21	2.14 GHz	Ldmos		NI-780GS-2L	-	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	935324807128	5A991G	8541.29.0075	250			-	1.2 A	50W	19.1db											-					28 V
MRF6V10250HSR3	-	RFQ	3161	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		100 V		Monte del Chasis	Ni-780s	MRF6	1.09 GHz	Ldmos		Ni-780s	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	250			-	250 Ma	250W	21db											-					50 V
MMRF1008HR5	402.9538	RFQ	4501	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		100 V		Monte del Chasis	Sot-957a	MMRF1008	1.03GHz	Ldmos		NI-780H-2L	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	50			-	100 mA	275W	20.3db											-					50 V
BUK951R9-40E, 127	-	RFQ	2005	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tubo	Obsoleto			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Buk95		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					40 V	120a (TC)	5V, 10V	1.7mohm @ 25A, 10V	2.1V @ 1MA	120 NC @ 5 V	± 10V	16400 pf @ 25 V	-	349W (TC)
BZX284-C62,115	-	RFQ	2680	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD -10	BZX284			400 MW	SOD -10	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																		1.1 V @ 100 Ma	50 na @ 43.4 V					62 V	140 ohmios
Buk652r1-30c, 127	-	RFQ	8008	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tubo	Obsoleto			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Buk65		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					30 V	120a (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 25A, 10V	2.8V @ 1MA	168 NC @ 10 V	± 16V	10918 pf @ 25 V	-	263W (TC)
BF909A, 215	-	RFQ	3283	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		7 V		Montaje en superficie	Un 253-4, un 253AA	BF909	800MHz	Mosfet		Sot-143b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	Canal de Puerta de Doble		40mera		-	-											2db
A3T21H455W23SR6	89.5761	RFQ	8014	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo		65 V		Monte del Chasis	ACP-1230S-4L2S	A3T21	2.11GHz ~ 2.2GHz	Ldmos		ACP-1230S-4L2S	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	935368316128	EAR99	8541.29.0075	150	Dual		10 µA	400 mA	87W	15dB											-					30 V
MRF5S4125NR1	-	RFQ	8925	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		65 V		Montaje en superficie	Un 270ab	MRF5	465MHz	Ldmos		Un 270 WB-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	500			-	1.1 A	25W	23dB											-					28 V
MRFE6S9200HSR5	-	RFQ	6302	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		66 V		Montaje en superficie	NI-880S	Mrfe6	880MHz	Ldmos		NI-880S	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	50			-	1.4 A	58W	21db											-					28 V
BLF8G22LS-310AVJ	-	RFQ	8340	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo					-	BLF8	-	-		-	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934067838118	EAR99	8542.39.0001	100	-		-		-	-											-
MRF6S24140HR3	-	RFQ	9535	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		68 V		Monte del Chasis	Sot-957a	MRF6	2.39 GHz	Ldmos		NI-880H-2L	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	250			-	1.3 A	28W	15.2db											-					28 V
MRF9180R6	-	RFQ	7582	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		65 V		Monte del Chasis	NI-1230	MRF91	880MHz	Ldmos		NI-1230	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	150			-	1.4 A	170W	17.5dB											-					26 V
PMR280UN, 115	-	RFQ	4679	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	PMR2		Mosfet (Óxido de metal)		SC-75	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal					20 V	980MA (TC)	1.8V, 4.5V	340mohm @ 200Ma, 4.5V	1V @ 250 µA	0.89 NC @ 4.5 V	± 8V	45 pf @ 20 V	-	530MW (TC)