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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Voltaje - PrueBa | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Buk6218-40c | - |  | 6178 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 40 V | 42a (TC) | 10V | 16mohm @ 10a, 10v | 2.8V @ 1MA | 22 NC @ 10 V | 1170 pf @ 25 V | 60W (TC) | |||||||||||||||||||
 | BLF7G20LS-90P, 112 | 64.1700 | | 100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Activo | 65 V | Montaje en superficie | SOT-1121B | 2.11GHz ~ 2.17GHz | Ldmos | Más | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 0000.00.0000 | 6 | Fuente Común Dual | 2 µA | 550 Ma | 90W | 19.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||
| Buk6e3r4-40c, 127 | 0.5500 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tubo | Activo | Buk6 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S18120HSR3,128 | - | | 2731 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | MRF8S18120 | - | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk9e1r9-40e | 1.0000 | | 1158 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF8G10LS-270V, 112 | 79.6700 | | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Activo | 65 V | Sot-1244b | BLF8 | 871.5MHz ~ 891.5MHz | Ldmos | CDFM6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 0000.00.0000 | 5 | - | 2 A | 67W | 19.5dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||
 | PSMN070-200P, 127-NXP | - | | 8242 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1,000 | N-canal | 200 V | 35A (TC) | 10V | 70mohm @ 17a, 10v | 4V @ 1MA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 4570 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||
| Buk7e5r2-100e, 127-nxp | 1.0000 | | 7907 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 V | 120a (TC) | 10V | 5.2mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 11810 pf @ 25 V | - | 349W (TC) | |||||||||||||||||
| BUK9520-100A, 127 | 0.6100 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tubo | Activo | Buk95 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7909-75aie, 127 | 0.9200 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tubo | Activo | Buk79 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV90-C39115 | - | | 4179 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SOT-223 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 27.3 V | 39 V | 130 ohmios | |||||||||||||||||||||||
 | BUK7575-100A, 127 | 0.3300 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 V | 23a (TA) | 75mohm @ 13a, 10v | 4V @ 1MA | ± 20V | 1210 pf @ 25 V | - | 99W (TA) | |||||||||||||||||||
| BUK9506-40B, 127 | 0.5200 | | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tubo | Activo | Buk95 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV90-C7V5115 | 1.0000 | | 5758 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SOT-223 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| BZX585-C4V3135 | 1.0000 | | 5859 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4032SP, 115 | - | | 7442 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBSS4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU13B1A115 | - | | 3061 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 10 V | 13 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
 | BUK9509-40B, 127 | 0.4400 | | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tubo | Activo | Buk95 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMZB370UNE, 315 | - | | 3565 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | Mosfet (Óxido de metal) | DFN1006B-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 10,000 | N-canal | 30 V | 900 mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 490mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.05V @ 250 µA | 1.16 NC @ 15 V | ± 8V | 78 pf @ 25 V | - | 360MW (TA), 2.7W (TC) | |||||||||||||||||
 | BLA6G1011L-200RG112 | 592.9400 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF6G10LS-135RN112 | 76.1800 | | 92 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN4R3-100ES, 127 | - | | 2460 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 9900 pf @ 50 V | - | 338W (TC) | |||||||||||||||||
| BTA420Y-800BT127 | - | | 4668 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PH2625L, 115 | 0.3000 | | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PH26 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHK12NQ03LT, 518 | - | | 3662 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PHK12 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk754r0-55b, 127 | 0.7700 | | 959 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 4mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 86 NC @ 10 V | ± 20V | 6776 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||
| Buk7230-55a | - | | 5164 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BUK7230 | - | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF184XR112 | 564.5800 | | 80 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF574XRS112 | 192.3000 | | 47 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN4R3-80ES, 127 | 1.1900 | | 540 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tubo | Activo | PSMN4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 |
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