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Productos de semiconductoros discretos (6133)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
PDTA115TK,115 NXP USA Inc. PDTA115TK, 115 -
RFQ
 ECAD 2246 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA115 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 1 mapa, 5v 100 kohms
BZX884-C8V2,315 NXP USA Inc. BZX884-C8V2,315 -
RFQ
 ECAD 1803 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BZX884 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000
PDTC144VM,315 NXP USA Inc. PDTC144VM, 315 0.0300
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PDTC14 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000
BZX79-B2V4,133 NXP USA Inc. BZX79-B2V4,133 0.0200
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 400 MW ALF2 descascar EAR99 8541.10.0050 1 900 MV @ 10 Ma 50 µA @ 1 V 2.4 V 100 ohmios
MRF6S21140HR3 NXP USA Inc. MRF6S21140HR3 -
RFQ
 ECAD 2630 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Monte del Chasis Sot-957a MRF6 2.12 GHz Ldmos NI-880H-2L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 1.2 A 30W 15.5dB - 28 V
BZV85-C24,113 NXP USA Inc. BZV85-C24,113 0.0300
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1.3 W Do-41 descascar EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 50 Ma 50 na @ 17 V 24 V 30 ohmios
BFR94A,215 NXP USA Inc. BFR94A, 215 -
RFQ
 ECAD 9348 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFR94 300MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 - 15V 25 Ma NPN 65 @ 15 Mapa, 10V 5GHz 2.1db ~ 3db @ 1ghz ~ 2ghz
BFS17,235 NXP USA Inc. BFS17,235 -
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 ECAD 3944 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFS17 300MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 933082771235 EAR99 8541.21.0075 10,000 - 15V 25 Ma NPN 25 @ 2mA, 1V 1 GHz 4.5dB @ 500MHz
MRF19085LSR3 NXP USA Inc. MRF19085LSR3 -
RFQ
 ECAD 1812 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Ni-780s MRF19 1.93GHz ~ 1.99GHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.31.0001 250 - 850 Ma 18W 13dB - 26 V
MRF6S24140HSR3 NXP USA Inc. MRF6S24140HSR3 -
RFQ
 ECAD 7495 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Montaje en superficie NI-880S MRF6 2.39 GHz Ldmos NI-880S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 935313758128 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.3 A 28W 15.2db - 28 V
BZX84-C4V7/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-C4V7/LF1VL -
RFQ
 ECAD 1266 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C4V7 250 MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934069495235 EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 2 V 4.7 V 80 ohmios
BC846BW/DG/B2115 NXP USA Inc. BC846BW/DG/B2115 0.0200
RFQ
 ECAD 337 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 200 MW Sot-323 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BFS505,115 NXP USA Inc. BFS505,115 -
RFQ
 ECAD 5155 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BFS50 150MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 15V 18 MA NPN 60 @ 5 MMA, 6V 9 GHz 1.2db ~ 2.1db @ 900MHz
MMRF1316NR1 NXP USA Inc. MMRF1316NR1 82.6800
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 133 V Montaje en superficie Un 270-4 MMRF1316 230MHz Ldmos Un 270 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 Dual - 100 mA 300W 27dB - 50 V
BFU520XRR NXP USA Inc. Bfu520xrr 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-143r Bfu520 450MW Sot-143r descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 20dB 12V 30mera NPN 60 @ 5mA, 8V 10.5 GHz 0.65dB A 900MHz
PDTA143XQA147 NXP USA Inc. PDTA143XQA147 0.0300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 5,000
MRF6P27160HR6 NXP USA Inc. MRF6P27160HR6 -
RFQ
 ECAD 5373 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Monte del Chasis NI-1230 MRF6 2.66GHz Ldmos NI-1230 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.29.0075 150 - 1.8 A 35W 14.6db - 28 V
PDTC144EK,115 NXP USA Inc. PDTC144EK, 115 -
RFQ
 ECAD 4095 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC144 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 9,000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5MA, 5V 47 kohms 47 kohms
PDTA124TK,115 NXP USA Inc. PDTA124TK, 115 -
RFQ
 ECAD 4615 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA124 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 100 @ 1 mapa, 5v 22 kohms
BYC5X-600P127 NXP USA Inc. BYC5X-600P127 -
RFQ
 ECAD 5252 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0080 1
PDTC114EK,135 NXP USA Inc. PDTC114EK, 135 -
RFQ
 ECAD 4217 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC114 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 10 kohms 10 kohms
PSMN8R0-30YL,115 NXP USA Inc. PSMN8R0-30YL, 115 -
RFQ
 ECAD 3295 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-100, SOT-669 PSMN8 Mosfet (Óxido de metal) LFPAK56, POWER-SO8 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 62a (TC) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 15a, 10v 2.15V @ 1MA 18.3 NC @ 10 V ± 20V 1005 pf @ 15 V - 56W (TC)
BC68-25PAS115 NXP USA Inc. BC68-25PAS115 -
RFQ
 ECAD 5817 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
BFG425W,115 NXP USA Inc. BFG425W, 115 -
RFQ
 ECAD 8364 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 Bfg42 135MW CMPAK-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 20dB 4.5V 30mera NPN 50 @ 25 MMA, 2V 25 GHz 0.8dB ~ 1.2db @ 900MHz ~ 2GHz
2PA1774Q,115 NXP USA Inc. 2PA1774Q, 115 -
RFQ
 ECAD 8531 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2PA17 150 MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 200 MV a 5 mm, 50 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 100MHz
PDTA123JE,115 NXP USA Inc. PDTA123JE, 115 -
RFQ
 ECAD 5595 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 PDTA123 150 MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 100mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 10mA, 5V 2.2 kohms 47 kohms
MD7P19130HSR5 NXP USA Inc. MD7P19130HSR5 -
RFQ
 ECAD 2574 0.00000000 NXP USA Inc. - Tubo Obsoleto 65 V Montaje en superficie Ni-780S-4L MD7P1 1.99 GHz Ldmos Ni-780S-4L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 Dual - 1.25 A 40W 20dB - 28 V
BC846,215 NXP USA Inc. BC846,215 0.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW Sot-23 descascar EAR99 8541.21.0075 1 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 100MHz
2PB710AR,115 NXP USA Inc. 2PB710AR, 115 -
RFQ
 ECAD 6269 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2PB71 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 12,000 50 V 500 mA 10NA (ICBO) PNP 600mv @ 30 mA, 300 mA 120 @ 150mA, 10V 120MHz
2N5064,112 NXP USA Inc. 2N5064,112 -
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 NXP USA Inc. - Bolsa Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2n50 Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 5 Ma 200 V 800 Ma 800 MV 10A @ 60Hz 200 µA 1.71 V 510 Ma 10 µA Puerta sensible
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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