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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BYC10X-600P127 | - |  | 9032 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9213-30A, 118 | - | | 8552 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | BUK92 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934057315118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 55A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 25A, 10V | 2v @ 1 mapa | 37 NC @ 5 V | ± 15V | 2852 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV49-C3V9115 | 0.1600 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | To-243AA | 1 W | Sot-89 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1 V @ 50 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144EE, 135 | - | | 8225 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | PDTC144 | 150 MW | SC-75 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5MA, 5V | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Aft09S200W02SR3 | - | | 8810 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | AFT09 | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935318364128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU6.2B3115 | 0.0300 | | 52 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1006HR5 | - | | 9707 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 120 V | Monte del Chasis | Sot-979a | MMRF1006 | 450MHz | Ldmos | NI-1230-4H | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 150 Ma | 1000W | 20dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM24NB1,115 | - | | 9393 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM24 | 300 MW | Smt3; Mpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 70 na @ 19 V | 24 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF372R3 | - | | 7726 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Monte del Chasis | NI-860C3 | MRF37 | 857MHz ~ 863MHz | Ldmos | NI-860C3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 250 | 17A | 800 Ma | 180W | 17dB | - | 32 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S21150HSR5 | - | | 6668 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Ni-780s | MRF7 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | Ldmos | Ni-780s | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.35 A | 44W | 17.5dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN4R3-80PS | - | | 5756 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG520,215 | - | | 2668 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | Bfg52 | 300MW | Sot-143b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - | 15V | 70 Ma | NPN | 60 @ 20MA, 6V | 9 GHz | 1.1db ~ 2.1db @ 900MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9635-55,118 | - | | 8948 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Buk96 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 34a (TC) | 5V | 35mohm @ 17a, 5V | 2v @ 1 mapa | ± 10V | 1400 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MPSA43,116 | - | | 2082 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | MPSA43 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 200 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 2 mm, 20 mm | 40 @ 30mA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA144VT, 215 | - | | 4808 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PDTA14 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC557,112 | - | | 4278 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BC55 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA124XS, 126 | - | | 2982 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PDTA124 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5MA, 5V | 22 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Aft31150nr5 | 193.8900 | | 48 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 65 V | Montaje en superficie | OM-780-2 | AFT31150 | 2.7GHz ~ 3.1GHz | Ldmos | OM-780-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 10 µA | 100 mA | 150W | 17.2db | - | 32 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC114EK, 115 | - | | 9720 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC114 | 250 MW | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 15,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF421,112 | - | | 7067 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BF421 | 830 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 300 V | 50 Ma | 10NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5 mm, 30 mA | 50 @ 25 mm, 20V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMF780SN, 115 | - | | 7985 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | PMF78 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 570MA (TA) | 10V | 920MOHM @ 300MA, 10V | 2V @ 250 µA | 1.05 NC @ 10 V | ± 20V | 23 pf @ 30 V | - | 560MW (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC635,112 | - | | 4195 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BC63 | 830 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PLVA2668A, 215 | 0.0300 | | 4757 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | - | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.650 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 6.8 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-C3V3,115 | - | | 6938 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD -10 | BZX284 | 400 MW | SOD -10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF2425M8LS140112 | - | | 8265 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 65 V | 2.45 GHz | Ldmos | - | 0000.00.0000 | 1 | - | 1.3 A | 140W | 19dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7P20040HSR5 | - | | 8023 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | Ni-780S-4L | MRF7 | 2.03GHz | Ldmos | Ni-780S-4L | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - | 150 Ma | 10W | 18.2db | - | 32 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BY29X-600,127 | - | | 7874 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | BY22 | Estándar | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.85 V @ 20 A | 135 ns | 400 µA @ 500 V | 150 ° C (Máximo) | 8A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2PB709AQ, 115 | - | | 2353 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2PB70 | 250 MW | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 Ma, 100 Ma | 160 @ 2mA, 10V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG4005ESF315 | 0.0400 | | 270 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC640,112 | - | | 6821 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BC64 | 830 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz |
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