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Productos de semiconductoros discretos (6133)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Current - Max	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Relación de la capacidad	Condición de Relación de Capacitancia	Q @ VR, F
BB184,135	-	RFQ	5230	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	BB18			Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000																						2.13pf @ 10V, 1MHz			Soltero	13 V									7	C1/C10	-
NZX5V6E133	-	RFQ	9014	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo									descascar					EAR99	8541.10.0050	1
BZX79-C43,133	-	RFQ	3362	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BZX79				-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000
BB208-03,115	-	RFQ	1537	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BB20			Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000																						5.4pf @ 7.5V, 1MHz			Soltero	10 V									5.2	C1/C7.5	-
BB179B, 135	-	RFQ	4045	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	BB17			Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934053250135	EAR99	8541.10.0070	10,000																						2.25pf @ 28V, 1MHz			Soltero	32 V									10	C1/C28	-
BAT18235	-	RFQ	5874	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo		125 ° C (TJ)		TO36-3, SC-59, SOT-23-3				SOT-23 (TO-236AB)	descascar				2156-bat18235		0000.00.0000	1			100 mA																			1PF @ 20V, 1MHz			Estándar - Single	35V				700MOHM @ 5MA, 200MHz
BB202LX, 315	-	RFQ	8350	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 85 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sod-882	BB20			Sod2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000																						11.2pf @ 2.3V, 1MHz			Soltero	6 V									2.5	C0.2/C2.3	-
1N4732A, 133	0.0400	RFQ	33	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar					EAR99	8541.10.0050	7,969																	1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 1 V									4.7 V	8 ohmios
NZH4V3B, 115	-	RFQ	6103	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					Nzh4				descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000
BB153,115	-	RFQ	3058	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BB15			Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000																						2.754pf @ 28V, 1MHz			Soltero	32 V									15	C1/C28	-
BAT754,215	0.0500	RFQ	1887	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Schottky		Sot-23	descascar					EAR99	8541.10.0070	5,645	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad														30 V		600 MV @ 100 Ma		2 µA @ 25 V	125 ° C (Máximo)	200 MMA	10pf @ 1v, 1 MHz
PDTA115TM, 315	0.0300	RFQ	150	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					Pdta11				descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000
PMBT4403YSX	0.0300	RFQ	179	NXP USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	Sot-23	descascar					EAR99	8541.21.0075	10,414																							40 V	600 mA			50NA (ICBO)				PNP	750mv @ 50 mm, 500 mA	100 @ 10mA, 1V	200MHz
BCW61D, 215	0.0300	RFQ	538	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BCW61				-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000
PBSS4160QA147	0.0600	RFQ	290	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo									descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	5,000
BC847T, 115	-	RFQ	1144	NXP USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	BC84		150 MW	SC-75	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																							45 V	100 mA			15NA (ICBO)				NPN	400mv @ 5 Ma, 100 Ma	110 @ 2mA, 5V	100MHz
Pumd4,115	-	RFQ	9732	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					Pumd4				descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000
PBSS4041PT, 215	-	RFQ	6284	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					PBSS4				descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000
2PC4081R, 115	0.0200	RFQ	990	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					2PC40				descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000
BZX84-C3V3/LF1R	-	RFQ	4827	NXP USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84-C3V3		250 MW	SOT-23 (TO-236AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934069473215	EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V									3.3 V	95 ohmios
PBSS4350D, 135	-	RFQ	6800	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457			750 MW	6-TSOP	descascar					EAR99	8541.21.0075	1																							50 V	3 A			100NA (ICBO)				NPN	290mv @ 200Ma, 2a	100 @ 2a, 2v	100MHz
PMBT2222,235	0.0200	RFQ	60	NXP USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT2222		250 MW	Sot-23	-					EAR99	8541.21.0075	1																							30 V	600 mA			10NA (ICBO)				NPN	1.6v @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150mA, 10V	250MHz
PZM6.8NB, 115	-	RFQ	4390	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PZM6.8		300 MW	Smt3; Mpak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																	1.1 V @ 100 Ma		2 µA @ 3.5 V									6.8 V	15 ohmios
Pdta114yt, 215	-	RFQ	9352	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					Pdta11				descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000
2PB1424,115	0.0800	RFQ	20	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					2PB14				descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000
Baw56,215	1.0000	RFQ	3215	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Baw56	Estándar		Sot-23	descascar						0000.00.0000	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													1 par Ánodo Común	90 V	215MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	500 na @ 80 V	150 ° C (Máximo)
PDZ12B, 115	-	RFQ	7050	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					PDZ12				descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000
BB181,335	-	RFQ	5673	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	BB181			Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	20,000																						1.055pf @ 28V, 1MHz			Soltero	30 V									16	C0.5/C28	-
Buk794r1-40bt, 127	-	RFQ	5785	NXP USA Inc.	Trenchplus	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-5	Buk79	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-5	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		40 V	75A (TC)	10V	4.1mohm @ 50A, 10V	4V @ 1MA	83 NC @ 10 V	± 20V	6808 pf @ 25 V	Diodo de Deteca de Temperatura	272W (TC)
Buk764r0-75c, 118	-	RFQ	3523	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		75 V	100A (TC)	10V	4mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	142 NC @ 10 V	± 20V	11659 pf @ 25 V	-	333W (TC)