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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Hold (IH) (Max) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Figura de ruido | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BAS21AVD, 165 | - |  | 7489 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | BAS21 | Estándar | 6-TSOP | - | 0000.00.0000 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 3 Independientes | 200 V | 200MA (DC) | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN3R4-30PL, 127 | - | | 5432 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PSMN3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pdtc114tu, 115 | - | | 5592 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pdtc11 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC859CW, 115 | 0.0200 | | 4687 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA312-800CT, 127 | - | | 8327 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Un 220b | descascar | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | Soltero | 35 Ma | Estándar | 800 V | 12 A | 1 V | 100a, 110a | 35 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8S19260HSR6 | - | | 5639 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | SOT-1110B | MRF8 | 1.99 GHz | Ldmos | NI1230S-8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 935310356128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | - | 1.6 A | 74W | 18.2db | - | 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFE6P3300HR3 | - | | 9840 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 66 V | Monte del Chasis | NI-860C3 | Mrfe6 | 857MHz ~ 863MHz | Ldmos | NI-860C3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.6 A | 270W | 20.4db | - | 32 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AFT26H250-24SR6 | - | | 7111 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | NI-1230-4LS2L | AFT26 | 2.5 GHz | Ldmos | NI-1230-4LS2L | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935323547128 | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | - | 700 Ma | 50W | 14.1db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF18060AlR3 | - | | 5791 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Sot-957a | MRF18 | 1.81GHz ~ 1.88GHz | Ldmos | NI-780H-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 250 | - | 500 mA | 60W | 13dB | - | 26 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBRP123ys, 126 | - | | 2509 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PBRP123 | 500 MW | Un 92-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 800 Ma | - | PNP - Pre -Sesgado | - | - | 2.2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLP8G10S-45PGJ | - | | 2612 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 28 V | Montaje en superficie | SOT-1223-1 | BLP8 | 700MHz ~ 1 GHz | Ldmos | 4-HSOPF | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 934067372118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | - | 45W | 21db | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU550R | 0.5900 | | 45 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | BFU550 | 450MW | Sot-143b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 21db | 12V | 50mera | NPN | 60 @ 15 mm, 8v | 11 GHz | 0.7dB A 900MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF9045NBR1 | - | | 1111 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Un 272-2 | MRF90 | 945MHz | Ldmos | Un 272-2 | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | - | 350 Ma | 45W | 19dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6P18190HR5 | - | | 4872 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Monte del Chasis | NI-1230 | MRF6 | 1.88GHz | Ldmos | NI-1230 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 2 A | 44W | 15.9dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHK4NQ20T, 518 | - | | 9699 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | PHK4N | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | N-canal | 200 V | 4A (TC) | 5V, 10V | 130mohm @ 4a, 10v | 4V @ 1MA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 1230 pf @ 25 V | - | 6.25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PH3075L, 115 | - | | 6024 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | PH30 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 75 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 1MA | 19 NC @ 5 V | ± 15V | 2070 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS316,135 | - | | 4226 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAS31 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF1108,215 | - | | 1418 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 3 V | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | BF110 | - | Mosfet | Sot-143b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | N-canal | 10 Ma | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S9125NR1 | - | | 3126 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Montaje en superficie | Un 270ab | MRF6 | 880MHz | Ldmos | Un 270 WB-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950 Ma | 27W | 20.2db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S21120HR3 | - | | 8601 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Sot-957a | MRF8 | 2.17GHz | Ldmos | NI-780H-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 935314244128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 850 Ma | 28W | 17.6db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2T08VD020NT1 | 7.8000 | | 5552 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 105 V | Montaje en superficie | 24-PowerQFN | A2T08 | 728MHz ~ 960MHz | Ldmos | 24-PQFN-EP (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935322283528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 10 µA | 40 Ma | 18W | 19.1db | - | 48 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMRF1314H-1200 | 1.0000 | | 2907 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 105 V | Monte del Chasis | Sot-979a | 1.2GHz ~ 1.4GHz | LDMOS (dual) | NI-1230-4H | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 568-MMRF1314H-1200 | 1 | 2 Canal | 10 µA | 100 mA | 1000W | 17.7db | - | 52 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Aft27s006n-1000m | 617.8500 | | 7961 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 568-ATAGANTE27S006N-1000M | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFV121KH-960MHz | 1.0000 | | 3060 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 112 V | Monte del Chasis | NI-1230-4S | 960MHz ~ 1.215GHz | LDMOS (dual) | NI-1230-4S | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 568-AFV121KH-960MHZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal | 10 µA | 100 mA | 1000W | 19.6db | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3i25x050gnr1 | 40.8710 | | 7763 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 65 V | Montaje en superficie | OM-400G-8 | 2.3GHz ~ 2.7GHz | LDMOS (dual) | OM-400G-8 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 568-A3I25X050GNR1TR | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | 2 Canal | 10 µA | 130 Ma | 5.6w | 28.8db @ 3.84Ghz | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MHTG1200HSR3 | 99.3479 | | 2583 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 50 V | Montaje en superficie | Ni-780S-4L | 2.4GHz ~ 2.5GHz | Ganancia | Ni-780S-4L | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 568-MHTG1200HSR3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canal | - | 300W | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLA6H0912-500112 | 568.7800 | | 74 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 100 V | Sot634a | 960MHz ~ 1.22GHz | Ldmos | CDFM2 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 54A | 100 mA | 450W | 17dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A5G23H065NT4 | 22.0869 | | 5859 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 V | Montaje en superficie | 6-LDFN Pad Expunesta | 2.3GHz ~ 2.4GHz | - | 6-PDFN (7x6.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | - | - | 30 Ma | 8.8w | 15.5dB | - | 48 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV85-C47,133 | 0.0400 | | 104 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV85 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV29FD-600,118 | 1.0000 | | 2023 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Estándar | Dpak | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 v @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 9A | - |
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