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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Calificación real (amplificador) | Current - Hold (IH) (Max) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Figura de ruido | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX585-C47,115 | - |  | 7188 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX585 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B10,113 | - | | 6791 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV32E-100,127 | 0.5400 | | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BYV32 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU5.6B3A115 | - | | 7245 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B30,133 | 0.0200 | | 48 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-B75,215 | 0.0300 | | 77 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,823 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 52.5 V | 75 V | 255 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | BUJ403A/DG, 127 | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 100 W | Un 220b | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 760 | 550 V | 6 A | 100 µA | NPN | 1V @ 400MA, 2A | 20 @ 500mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS70SB86,115 | 0.1000 | | 234 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1PS70 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCM856DS, 115 | 0.0700 | | 9281 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BCM85 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTA204-600E, 127 | 0.2700 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Un 220b | descascar | EAR99 | 8541.30.0080 | 1.110 | Soltero | 12 MA | Lógica - Puerta sensible | 600 V | 4 A | 1.5 V | 25a, 27a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
 | BZB784-C10,115 | 0.0300 | | 2051 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 180 MW | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,453 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384-B62,115 | 0.0200 | | 27 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX384 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B47,113 | 0.0200 | | 50 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 32.9 V | 47 V | 170 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C13,115 | - | | 7686 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846BW, 115 | - | | 1435 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BC84 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C22,215 | - | | 3508 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 15.4 V | 22 V | 55 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | CLF1G0035-100PU | 263.3300 | | 25 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 V | Monte del Chasis | Sot-1228a | 3GHz | Ganador de hemt | Más | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 100 mA | 100W | 14dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C3V9215 | 0.0200 | | 39 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA316X-800E, 127 | - | | 1731 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Un 220F | descascar | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | Soltero | 15 Ma | Lógica - Puerta sensible | 800 V | 16 A | 1.5 V | 140a, 150a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C22,115 | 0.0300 | | 19 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,823 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 15.4 V | 22 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV49-C4V7,115 | - | | 7647 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | To-243AA | 1 W | Sot-89 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-C15,315 | - | | 2528 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX884 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PH5830DL, 115 | 0.2200 | | 106 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C36143 | 0.0200 | | 55 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk762r6-40e118 | - | | 3400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMST6429,115 | 0.0200 | | 941 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 500 @ 100 µA, 5V | 700MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C6V2,215 | 0.0200 | | 363 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B36,133 | 0.0200 | | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 16,000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 25.2 V | 36 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B3V3,133 | 0.0200 | | 70 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BC53-16PA, 115 | - | | 8453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Powerudfn | BC53 | 420 MW | 3-Huson (2x2) | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz |
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