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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CLF1G0060S-10U | - |  | 3752 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 V | SOT-1227B | CLF1G0060 | 3GHz ~ 3.5GHz | Ganador de hemt | SOT-1227B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 50 Ma | 10W | 14.5dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC858W, 115 | 1.0000 | | 2509 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB208-02,115 | 0.6500 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BB208 | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 5.4pf @ 7.5V, 1MHz | Soltero | 10 V | 5.2 | C1/C7.5 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk9y59-60e, 115 | - | | 7203 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 60 V | 16.7a (TC) | 5V | 52mohm @ 5a, 10v | 2.1V @ 1MA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 715 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBT3946YPN, 115 | - | | 3914 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMBT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF820,235 | 1.0000 | | 3703 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 300 V | 50 Ma | 10NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 mm, 30 mA | 50 @ 25 mm, 20V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG6002ELD315 | 0.0400 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMEG6002 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 7,755 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV25G-600,127 | 0.3700 | | 7 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BYV25 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB156 | 0.0400 | | 33 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | Sod-323 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2832-BB156 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 5.4pf @ 7.5V, 1MHz | Soltero | 10 V | 3.9 | C1/C7.5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PIMD2,115 | - | | 4348 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pimd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM5.6NB2,115 | - | | 1765 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM5.6 | 300 MW | Smt3; Mpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,000 | 1.1 V @ 100 Ma | 2 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC115TS, 126 | - | | 6049 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PDTC115 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 100 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-B43,115 | 1.0000 | | 4293 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 30.1 V | 43 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC114M315 | - | | 4864 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | PDTC114 | 250 MW | DFN1006-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 100mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 5 MMA, 5V | 230 MHz | 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8P9210NR3 | - | | 1418 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 70 V | NI-780-4 | MRF8P9210 | 960MHz | Mosfet | NI-780-4 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935321673528 | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | - | 750 Ma | 63W | 16.8db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6S9130HR3 | - | | 7270 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 66 V | Monte del Chasis | Sot-957a | Mrfe6 | 880MHz | Ldmos | NI-780H-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 950 Ma | 27W | 19.2db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk7y15-100ex | - | | 5637 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 V | 68a (TC) | 10V | 15mohm @ 20a, 10v | 4V @ 1MA | 54.5 NC @ 10 V | ± 20V | 3958 pf @ 25 V | - | 195W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B10/LF1VL | - | | 3084 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-B10 | 250 MW | SOT-23 (TO-236AB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934069514235 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 10 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFT26H160-4S4R3 | - | | 2716 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | NI-880X-4L4S-8 | AFT26 | 2.5 GHz | Ldmos | NI-880X-4L4S-8 | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935317925128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 500 mA | 32W | 14.9dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7540-100A, 127 | - | | 9116 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Buk75 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 37a (TC) | 10V | 40mohm @ 40a, 10v | 4V @ 1MA | ± 20V | 2293 pf @ 25 V | - | 138W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHB20N06T, 118 | 0.3600 | | 2034 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N-canal | 55 V | 20.3a (TC) | 10V | 75mohm @ 10a, 10v | 4V @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 483 pf @ 25 V | - | 62W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK78150-55A115 | - | | 5434 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Php21n06lt, 127 | - | | 7273 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Php21 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 19a (TC) | 5V, 10V | 70mohm @ 10a, 10v | 2v @ 1 mapa | 9.4 NC @ 5 V | ± 15V | 650 pf @ 25 V | - | 56W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU7.5BA115 | - | | 6052 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8P23160WHR3 | - | | 3226 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | NI-780-4 | MRF8 | 2.32 GHz | Mosfet | NI-780-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935317531128 | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | - | 600 mA | 30W | 14.1db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHB23NQ10LT, 118 | - | | 1232 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | PHB23 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 23a (TC) | 5V, 10V | 72mohm @ 10a, 10v | 2v @ 1 mapa | 49 NC @ 10 V | ± 15V | 1704 pf @ 25 V | - | 98W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU8.2B3,115 | 0.0400 | | 8 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU8.2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK763R8-80E118 | 1.0000 | | 4080 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1019NR4 | 77.8600 | | 35 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 100 V | Montaje en superficie | PLD-1.5 | MMRF1019 | 1.09 GHz | Ldmos | PLD-1.5 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 100 | - | 10 Ma | 10W | 25db | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1211R, 215 | - | | 3848 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 6 V | Montaje en superficie | Sot-143r | BF121 | 400MHz | Mosfet | Sot-143r | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal de Puerta de Doble | 30mera | 15 Ma | - | 29dB | 0.9db | 5 V |
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