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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRFE6VP61K25HSR5 | 227.0300 |  | 84 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 133 V | Monte del Chasis | NI-1230-4S | Mrfe6 | 230MHz | Ldmos | NI-1230-4S | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - | 100 mA | 1250W | 24db | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B2V4,215 | 0.0200 | | 1546 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBT2907A, 235 | 0.0200 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMBT2907 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF1550NT1,528 | - | | 1983 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA113ES, 126 | - | | 9428 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PDTA113 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 1.5ma, 30 mA | 30 @ 40mA, 5V | 1 kohms | 1 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PMK50XP518 | 1.0000 | | 9556 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 7.9a (TC) | 4.5V | 50mohm @ 2.8a, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 10 NC @ 4.5 V | ± 12V | 1020 pf @ 20 V | - | 5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7y25-80e/cx | - | | 9726 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Buk7 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 80 V | 39A (TC) | 10V | 25mohm @ 10a, 10v | 4V @ 1MA | 25.9 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 25 V | - | 95W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | BUK761R8-30C, 118 | - | | 1442 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Buk76 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 10V | 1.8mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 10349 pf @ 25 V | - | 333W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | ON5200,118 | - | | 3033 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-5, d²pak (4 cables + pestaña), un 263bb | ON52 | - | - | D2pak | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934057580118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pumh10/ZL115 | 0.0300 | | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bfu520xar | 0.4700 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | Bfu520 | 450MW | Sot-143b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20dB | 12V | 30mera | NPN | 60 @ 5mA, 8V | 10.5 GHz | 0.7dB A 900MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Bfu550xar | 0.6400 | | 36 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | BFU550 | 450MW | Sot-143b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 21.5db | 12V | 50mera | NPN | 60 @ 15 mm, 8v | 11 GHz | 0.75dB A 900MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU550XR235 | - | | 9783 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA124TU, 115 | 0.0200 | | 195 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PDTA124 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NX3008NBKT, 115 | - | | 2280 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | NX30 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 350MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 1.4ohm @ 350mA, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 0.68 NC @ 4.5 V | ± 8V | 50 pf @ 15 V | - | 250MW (TA), 770MW (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | PhD16N03T, 118 | - | | 8498 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Phd16 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 13.1a (TC) | 10V | 100mohm @ 13a, 10v | 4V @ 1MA | 5.2 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 30 V | - | 32.6W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | PBLS4001V, 115 | - | | 5690 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | PBLS4001 | 300MW | Sot-666 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V, 40V | 100 Ma, 500 Ma | 1 µA | 1 NPN Pre-Sesgado, 1 PNP | 150mv @ 500 µA, 10 mm / 350mv @ 50 mm, 500 mA | 30 @ 20MA, 5V / 150 @ 100 mm, 2V | 300MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7P20040HR5 | - | | 5714 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | NI-780-4 | MRF7 | 2.03GHz | Ldmos | NI-780-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - | 150 Ma | 10W | 18.2db | - | 32 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PhD14NQ20T, 118 | - | | 4157 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Phd14 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 V | 14a (TC) | 5V, 10V | 230mohm @ 7a, 10v | 4V @ 1MA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| PBSS5350S, 126 | - | | 4268 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PBSS5 | 830 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 50 V | 3 A | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 200MA, 2a | 100 @ 2a, 2v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK753R4-30B, 127 | - | | 4637 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Buk75 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 75A (TC) | 10V | 3.4mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 4951 pf @ 25 V | - | 255W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| BUK9608-55A, 118 | - | | 2117 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Buk96 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHM21NQ15T, 518 | - | | 8989 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | PHM21 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HVSON (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 150 V | 22.2a (TC) | 5V, 10V | 55mohm @ 15a, 10v | 4V @ 1MA | 36.2 NC @ 10 V | ± 20V | 2080 pf @ 25 V | - | 62.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| Ph2030al, 115 | - | | 7299 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | PH20 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934062275115 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| A3G20S350-01SR3 | 89.0908 | | 1303 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 V | Montaje en superficie | NI-400S-2SA | 2.11GHz ~ 2.17GHz | N-canal | NI-400S-2SA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 568-A3G20S350-01SR3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | - | 500 mA | 59W | 18.1db | - | 48 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| A3I25X050NR1 | 40.8710 | | 3862 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 65 V | Montaje en superficie | OM-400-8 | 2.3GHz ~ 2.7GHz | LDMOS (dual) | OM-400-8 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 568-A3I25X050NR1TR | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | 2 Canal | 10 µA | 130 Ma | 5.6w | 28.8dB @ 2.59 GHz | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Ph3430al, 115 | - | | 7445 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Ph34 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934063086115 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 3.5mohm @ 15a, 10v | 2.15V @ 1MA | 41 NC @ 10 V | 2458 pf @ 12 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7y72-80ex | - | | 3237 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 80 V | 16a (TC) | 10V | 72mohm @ 5a, 10v | 4V @ 1MA | 9.8 NC @ 10 V | ± 20V | 633 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PH9025L, 115 | - | | 7204 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | PH90 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 25 V | 66a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 10a, 10v | 2.15V @ 1MA | 12.8 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1414 pf @ 30 V | - | 62.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | PZM16NB2,115 | - | | 4089 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM16 | 300 MW | Smt3; Mpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 70 na @ 12 V | 16 V | 20 ohmios |
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