SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
BUT11APX-1200,127 NXP USA Inc. Pero11APX-1200,127 -
RFQ
ECAD 9400 0.00000000 NXP USA Inc. - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Pero11 32 W Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 550 V 6 A 1mera NPN 1V @ 400MA, 2A 20 @ 500mA, 5V -
MW6S010GNR1 NXP USA Inc. MW6S010GNR1 23.4700
RFQ
ECAD 124 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 68 V Montaje en superficie A-270BA MW6S010 960MHz Ldmos To70-2 gaviota descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 - 125 Ma 10W 18dB - 28 V
BAV170/ZLVL NXP USA Inc. BAV170/ZLVL -
RFQ
ECAD 9769 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAV17 Estándar SOT-23 (TO-236AB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 75 V 215MA (DC) 1.25 V @ 150 Ma 3 µs 5 na @ 75 V 150 ° C (Máximo)
PZU12DB2,115 NXP USA Inc. PZU12DB2,115 0.0300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 250 MW 5-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 2 Independientes 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 9 V 12 V 10 ohmios
BT131-800E,412 NXP USA Inc. BT131-800E, 412 0.1200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales Un 92-3 descascar EAR99 8541.30.0080 1 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 800 V 1 A 1.5 V 12.5a, 13.7a 10 Ma
BT234-800D,127 NXP USA Inc. BT234-800D, 127 1.0000
RFQ
ECAD 5862 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar 0000.00.0000 1
BC846B/DG/B4215 NXP USA Inc. BC846B/DG/B4215 0.0300
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ECAD 9078 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
BAS321/ZLX NXP USA Inc. BAS321/ZLX -
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ECAD 6818 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BAS32 Estándar Sod-323 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 200 V 150 ° C (Máximo) 250 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
BAT721C/ZLR NXP USA Inc. BAT721C/ZLR -
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ECAD 4993 0.00000000 NXP USA Inc. * Tape & Reel (TR) Obsoleto BAT72 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934068476215 Obsoleto 0000.00.0000 3.000
PH2525L,115 NXP USA Inc. PH2525L, 115 -
RFQ
ECAD 3949 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PH25 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500
BTA204-600D,127 NXP USA Inc. BTA204-600D, 127 0.2300
RFQ
ECAD 13 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BTA20 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000
BUK964R2-55B/C NXP USA Inc. Buk964r2-55b/c 0.7200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar 0000.00.0000 1
AFT27S010NT1 NXP USA Inc. Aft27S010NT1 15.6000
RFQ
ECAD 33 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 65 V Montaje en superficie PLD-1.5W AFT27 2.17GHz Ldmos PLD-1.5W - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 - 90 Ma 1.26W 21.7db - 28 V
MRFG35003ANT1 NXP USA Inc. MRFG35003ant1 -
RFQ
ECAD 3304 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 15 V Montaje en superficie PLD-1.5 MRFG35 3.55 GHz fet fet PLD-1.5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 - 55 Ma 3W 10.8db - 12 V
BF1201R,215 NXP USA Inc. BF1201R, 215 -
RFQ
ECAD 5254 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 10 V Montaje en superficie Sot-143r BF120 400MHz Mosfet Sot-143r descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal de Puerta de Doble 30mera 15 Ma - 29dB 1dB 5 V
MRF6S19060GNR1 NXP USA Inc. MRF6S19060GNR1 -
RFQ
ECAD 8032 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Montaje en superficie A-270BA MRF6 1.93GHz Ldmos To70-2 gaviota descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 - 610 Ma 12W 16dB - 28 V
BUK9609-55A,118 NXP USA Inc. BUK9609-55A, 118 -
RFQ
ECAD 9906 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Buk96 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 75A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 25A, 10V 2v @ 1 mapa 60 NC @ 5 V ± 15V 4633 pf @ 25 V - 211W (TC)
PBRN113EK,115 NXP USA Inc. PBRN113EK, 115 -
RFQ
ECAD 8611 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PBRN113 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 40 V 600 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 1.15V @ 8 Ma, 800 Ma 180 @ 300mA, 5V 1 kohms 1 kohms
MRF7S21080HR5 NXP USA Inc. MRF7S21080HR5 -
RFQ
ECAD 6933 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-957a MRF7 2.17GHz Ldmos NI-780H-2L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 800 Ma 22W 18dB - 28 V
AFT26H050W26SR3 NXP USA Inc. AFT26H050W26SR3 -
RFQ
ECAD 5840 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis NI-780S-4L4L-8 AFT26 2.69 GHz Ldmos NI-780S-4L4L-8 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935311268128 EAR99 8541.29.0075 250 - 100 mA 9W 14.2db - 28 V
BF1216,115 NXP USA Inc. BF1216,115 -
RFQ
ECAD 1224 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 6 V Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BF121 400MHz Mosfet 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal de Puerta de Doble 30mera 19 MA - 30dB 1dB 5 V
BZX284-C6V8,115 NXP USA Inc. BZX284-C6V8,115 -
RFQ
ECAD 3934 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD -10 BZX284 400 MW SOD -10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 2 µA @ 4 V 6.8 V 15 ohmios
MRF6V3090NR5 NXP USA Inc. MRF6V3090NR5 -
RFQ
ECAD 7743 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 110 V Montaje en superficie Un 270ab MRF6 860MHz Ldmos Un 270 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 935321513578 EAR99 8541.29.0075 50 - 350 Ma 18W 22dB - 50 V
PMEG050V150EPD139 NXP USA Inc. PMEG050V150EPD139 0.3300
RFQ
ECAD 129 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0080 5,000
AFT09MP055NR1 NXP USA Inc. Aft09mp055nr1 21.9432
RFQ
ECAD 8536 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 40 V Montaje en superficie Un 270ab AFT09 870MHz Ldmos Un 270 WB-4 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935315139528 EAR99 8541.29.0075 500 - 550 Ma 1W 15.7dB - 12.5 V
MRF9045LSR5 NXP USA Inc. MRF9045LSR5 -
RFQ
ECAD 4467 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Ni-360S MRF90 945MHz Ldmos Ni-360S - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.21.0075 50 - 350 Ma 45W 18.8db - 28 V
BF909WR,135 NXP USA Inc. BF909WR, 135 -
RFQ
ECAD 6031 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 7 V Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BF909 800MHz Mosfet CMPAK-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934028870135 EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal de Puerta de Doble 40mera 15 Ma - - 2db 5 V
AFT21S220W02SR3 NXP USA Inc. AFT21S220W02SR3 -
RFQ
ECAD 6828 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Ni-780s AFT21 2.14 GHz Ldmos Ni-780s - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 935311938128 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.2 A 50W 19.1db - 28 V
PSMN010-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN010-25LC, 115 -
RFQ
ECAD 4953 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-100, SOT-669 PSMN0 Mosfet (Óxido de metal) LFPAK56, POWER-SO8 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 25 V 39A (TC) 4.5V, 10V 10.6mohm @ 10a, 10v 1.95V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 20V 678 pf @ 12 V - 30W (TC)
BUK652R7-30C,127 NXP USA Inc. Buk652r7-30c, 127 -
RFQ
ECAD 2639 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Buk65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 100A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 25A, 10V 2.8V @ 1MA 114 NC @ 10 V ± 16V 6960 pf @ 25 V - 204W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock