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Productos de semiconductoros discretos (6133)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
BC327,412 NXP USA Inc. BC327,412 -
RFQ
 ECAD 6867 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC32 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 80MHz
PDTA123TK,115 NXP USA Inc. PDTA123TK, 115 -
RFQ
 ECAD 7315 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA123 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 20MA, 5V 2.2 kohms
PMSTA3904/LF1X NXP USA Inc. PMSTA3904/LF1X -
RFQ
 ECAD 3156 0.00000000 NXP USA Inc. * Tape & Reel (TR) Obsoleto Pmsta - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934069432115 Obsoleto 0000.00.0000 3.000
BSP61,115 NXP USA Inc. BSP61,115 0.1800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1.25 W SOT-223 descascar EAR99 8541.29.0075 1.632 60 V 1 A 50NA PNP - Darlington 1.3V @ 500 µA, 500 mA 2000 @ 500mA, 10V 200MHz
PDTC114YT235 NXP USA Inc. PDTC114YT235 1.0000
RFQ
 ECAD 3353 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.21.0075 1
MRF6S9125MR1 NXP USA Inc. MRF6S9125MR1 -
RFQ
 ECAD 6367 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Un 270-4 MRF6 880MHz Ldmos Un 270 WB-4 descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 - 950 Ma 27W 20.2db - 28 V
BFR92A,215 NXP USA Inc. BFR92A, 215 -
RFQ
 ECAD 3100 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFR92 300MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 15V 25 Ma NPN 65 @ 15 Mapa, 10V 5GHz 2.1db ~ 3db @ 1ghz ~ 2ghz
PBLS2002S,115 NXP USA Inc. PBLS2002S, 115 -
RFQ
 ECAD 5178 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) PBLS20 1.5w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 50V, 20V 100 Ma, 3a 1 µA, 100NA 1 NPN Pre-Sesgado, 1 PNP 150mv @ 500 µA, 10 mm / 355mv @ 300mA, 3A 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2a, 2v 100MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
MPSA06,126 NXP USA Inc. MPSA06,126 -
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPSA06 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 80 V 500 mA 50NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
A2T23H300-24SR6 NXP USA Inc. A2T23H300-24SR6 -
RFQ
 ECAD 4888 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis NI-1230-4LS2L A2T23 2.3GHz Ldmos NI-1230-4LS2L descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 150 Dual - 750 Ma 66W 14.9dB - 28 V
MPSA92,116 NXP USA Inc. MPSA92,116 -
RFQ
 ECAD 8420 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPSA92 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 300 V 100 mA 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2 mm, 20 mm 25 @ 30mA, 10V 50MHz
MRFE6VP5300NR1 NXP USA Inc. MRFE6VP5300NR1 66.1000
RFQ
 ECAD 4218 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 133 V Montaje en superficie Un 270ab Mrfe6 1.8MHz ~ 600MHz Ldmos Un 270 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.29.0040 500 Dual - 100 mA 300W 27dB - 50 V
BFG590,215 NXP USA Inc. BFG590,215 -
RFQ
 ECAD 6423 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA BFG59 400MW Sot-143b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 15V 200 MMA NPN 60 @ 70mA, 8V 5GHz -
BZV90-C3V9,115 NXP USA Inc. BZV90-C3V9,115 0.1700
RFQ
 ECAD 83 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1.5 W SOT-223 descascar EAR99 8541.10.0050 1.745 1 V @ 50 Ma 3 µA @ 1 V 3.9 V 90 ohmios
PDTA124XE,115 NXP USA Inc. PDTA124XE, 115 -
RFQ
 ECAD 5212 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 PDTA124 150 MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5MA, 5V 22 kohms 47 kohms
BFG541,115 NXP USA Inc. BFG541,115 -
RFQ
 ECAD 2350 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Bfg54 650MW SC-73 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 - 15V 120 Ma NPN 60 @ 40mA, 8V 9 GHz 1.3db ~ 2.4db @ 900MHz
MPSA64,116 NXP USA Inc. MPSA64,116 -
RFQ
 ECAD 9407 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPSA64 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
BFU530W,115 NXP USA Inc. BFU530W, 115 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1
MRF5S19060NBR1 NXP USA Inc. MRF5S19060NBR1 -
RFQ
 ECAD 5540 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Un 272bb MRF5 1.99 GHz Ldmos Un 272 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 - 750 Ma 12W 14dB - 28 V
PDTD123YS,126 NXP USA Inc. PDTD123ys, 126 -
RFQ
 ECAD 6845 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PDTD123 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 500 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 70 @ 50 mm, 5V 2.2 kohms 10 kohms
PDTC123YS,126 NXP USA Inc. PDTC123ys, 126 -
RFQ
 ECAD 4129 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PDTC123 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 35 @ 5MA, 5V 2.2 kohms 10 kohms
J5C145MU0/T0BC7DUP NXP USA Inc. J5C145MU0/T0BC7DUP -
RFQ
 ECAD 7483 0.00000000 NXP USA Inc. * Tape & Reel (TR) Obsoleto J5C145 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 2.500
PDTA123YE,115 NXP USA Inc. Pdta123ye, 115 -
RFQ
 ECAD 1950 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 PDTA123 150 MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 35 @ 5MA, 5V 2.2 kohms 10 kohms
IRF540,127 NXP USA Inc. IRF540,127 -
RFQ
 ECAD 8622 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF54 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 23a (TC) 10V 77mohm @ 17a, 10v 4V @ 1MA 65 NC @ 10 V ± 20V 1187 pf @ 25 V - 100W (TC)
1PS181,135 NXP USA Inc. 1PS181,135 -
RFQ
 ECAD 6188 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1PS18 Estándar Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 80 V 215MA (DC) 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 150 ° C (Máximo)
PDZ5.6B/ZL115 NXP USA Inc. PDZ5.6B/ZL115 -
RFQ
 ECAD 8482 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 3.000
BFT25,215 NXP USA Inc. BFT25,215 -
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFT25 30mW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 5V 6.5mA NPN 20 @ 1mA, 1V 2.3GHz 5.5dB @ 500MHz
BAS40-05,235 NXP USA Inc. BAS40-05,235 1.0000
RFQ
 ECAD 3612 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky Sot-23 descascar EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 40 V 120 mA (DC) 1 V @ 40 Ma 10 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo)
MRF1511NT1 NXP USA Inc. MRF1511NT1 -
RFQ
 ECAD 8197 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 40 V Montaje en superficie PLD-1.5 MRF15 175MHz Ldmos PLD-1.5 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 4A 150 Ma 8W 13dB - 7.5 V
MRF9210R5 NXP USA Inc. MRF9210R5 -
RFQ
 ECAD 1437 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis NI-860C3 MRF92 880MHz Ldmos NI-860C3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 5A991G 8542.31.0001 50 - 1.9 A 40W 16.5dB - 26 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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