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Productos de semiconductoros discretos (6133)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Hold (IH) (Max)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TUPO TRIAC	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Figura de ruido	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
Buk655r0-75c, 127	-	RFQ	9580	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tubo	Obsoleto			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Buk65		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						75 V	120a (TC)	4.5V, 10V	5.3mohm @ 25A, 10V	2.8V @ 1MA	177 NC @ 10 V	± 16V	11400 pf @ 25 V	-	263W (TC)
A2T21H360-23NR6	-	RFQ	7885	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		65 V			OM-1230-4L2L	A2T21	2.11GHz ~ 2.2GHz	Ldmos		OM-1230-4L2L	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	150	Dual			10 µA		500 mA	373W	16.8db																	-										28 V
BLF8G27LS-100V, 112	52.4000	RFQ	50	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo		65 V		Monte del Chasis	Sot-1244b		2.5Ghz ~ 2.7GHz	Ldmos		CDFM6	descascar					EAR99	8541.29.0075	6				-		900 mA	25W	17dB																	-										28 V
AFT27S006NT1	11.5400	RFQ	12	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo		65 V		Montaje en superficie	PLD-1.5W	AFT27	2.17GHz	Ldmos		PLD-1.5W	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		5A991G	8541.29.0095	1,000				-		70 Ma	28.8dbm	22dB																	-										28 V
BC337-40,412	-	RFQ	4887	NXP USA Inc.	-	Una granela	Obsoleto			150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	BC33			625 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	1,000																																	45 V	500 mA		100NA (ICBO)			NPN	700mv @ 50 mm, 500 mA	250 @ 100mA, 1V	100MHz
AFV121KGSR5	621.2116	RFQ	8369	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo		112 V		Montaje en superficie	NI-1230-4S GW	AFV121	960MHz ~ 1.22GHz	Ldmos		Gaviota de Ni-1230-4s	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	935313048178	EAR99	8541.29.0075	50	Dual			-		100 mA	1000W	19.6db																	-										50 V
PBRN123EK, 115	-	RFQ	2731	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto				Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PBRN123			250 MW	Smt3; Mpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																																	40 V	600 mA		500NA			NPN - Pre -Sesgado	1.15V @ 8 Ma, 800 Ma	280 @ 300mA, 5V		2.2 kohms	2.2 kohms
MRF6V12500HSR5	580.3800	RFQ	2047	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo		110 V		Monte del Chasis	Ni-780s	MRF6V12500	1.03GHz	Ldmos		Ni-780s	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	935314145178	EAR99	8541.29.0075	50				-		200 MA	500W	19.7dB																	-										50 V
PDTC123ys, 126	-	RFQ	4129	NXP USA Inc.	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto				A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	PDTC123			500 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	2,000																																	50 V	100 mA		1 µA			NPN - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	35 @ 5MA, 5V		2.2 kohms	10 kohms
BT136-600E/02,127	-	RFQ	7512	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto			125 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	BT136				Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934019080127	EAR99	8541.30.0080	5,000	Soltero				15 Ma														Lógica - Puerta sensible	600 V	4 A	1.5 V	25a, 27a	10 Ma
BFG97,135	-	RFQ	6089	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BFG97			1W	SC-73	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	933919920135	EAR99	8541.21.0075	4.000								-																									15V	100mA					NPN		25 @ 70 mm, 10v	5.5 GHz			-
MRF6P27160HR5	-	RFQ	5452	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		68 V		Monte del Chasis	NI-1230	MRF6	2.66GHz	Ldmos		NI-1230	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		5A991G	8541.29.0075	50				-		1.8 A	35W	14.6db																	-										28 V
MPSA06,126	-	RFQ	7188	NXP USA Inc.	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	MPSA06			625 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	2,000																																	80 V	500 mA		50NA (ICBO)			NPN	250 MV @ 10 Ma, 100 Ma	100 @ 100 maja, 1v	100MHz
PMGD8000LN, 115	-	RFQ	1879	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	PMGD8		Mosfet (Óxido de metal)	200MW	6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal N (Dual)								30V	125 Ma		8ohm @ 10mA, 4V	1.5V @ 100 µA	0.35nc @ 4.5V		18.5pf @ 5V	Puerta de Nivel Lógico
BFG21W, 115	-	RFQ	5608	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BFG21			600MW	CMPAK-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000								-																									4.5V	500mA					NPN		40 @ 200Ma, 2V	18 GHz			-
BFT92,215	-	RFQ	5042	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BFT92			300MW	SOT-23 (TO-236AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000								-																									15V	25 Ma					PNP		20 @ 14MA, 10V	5GHz			2.5dB @ 500MHz
MRFE6VP61K25HSR6	-	RFQ	3547	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		133 V		Monte del Chasis	NI-1230S	Mrfe6	230MHz	Ldmos		NI-1230S	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	150	Dual			-		100 mA	1250W	24db																	-										50 V
1PS181,135	-	RFQ	6188	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto				Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	1PS18		Estándar		Smt3; Mpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																								1 par Ánodo Común	80 V	215MA (DC)	1.2 V @ 100 Ma	4 ns	500 na @ 80 V	150 ° C (Máximo)
ON5448,518	-	RFQ	3568	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo					-	ON5448	-	-		-	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	935288029518	EAR99	8541.29.0095	600	-			-			-	-																	-
BC369,112	-	RFQ	4027	NXP USA Inc.	-	Una granela	Obsoleto			150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	BC36			830 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	1,000																																	20 V	1 A		100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 100 mm, 1a	85 @ 500mA, 1V	140MHz
PMST2369/ZLX	-	RFQ	3252	NXP USA Inc.	*	Tape & Reel (TR)	Activo						PMST2369					descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934069181115	EAR99	8541.29.0095	3.000
PDTC143ZS, 126	-	RFQ	1982	NXP USA Inc.	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto				A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	PDTC143			500 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	2,000																																	50 V	100 mA		1 µA			NPN - Pre -Sesgado	100mv @ 250 µA, 5 mA	100 @ 10mA, 5V		4.7 kohms	47 kohms
PDTA124TS, 126	-	RFQ	6291	NXP USA Inc.	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto				A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	PDTA124			500 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	2,000																																	50 V	100 mA		1 µA			PNP - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	100 @ 1 mapa, 5v		22 kohms
BZV90-C3V9,115	0.1700	RFQ	83	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA				1.5 W	SOT-223	descascar					EAR99	8541.10.0050	1.745																													1 V @ 50 Ma		3 µA @ 1 V						3.9 V	90 ohmios
BC517,112	-	RFQ	7387	NXP USA Inc.	-	Una granela	Obsoleto			150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	BC51			625 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	1,000																																	30 V	500 mA		100NA (ICBO)			NPN - Darlington	1V @ 100 µA, 100 mA	30000 @ 20MA, 2V	220MHz
2PC4617R, 135	-	RFQ	6811	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	2PC46			150 MW	SC-75	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	10,000																																	50 V	150 Ma		100NA (ICBO)			NPN	200 MV a 5 mm, 50 Ma	180 @ 1 MMA, 6V	100MHz
Buk7e4r3-75c, 127	-	RFQ	7802	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tubo	Obsoleto			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Buk7		Mosfet (Óxido de metal)		I2pak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						75 V	100A (TC)	10V	4.3mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	142 NC @ 10 V	± 20V	11659 pf @ 25 V	-	333W (TC)
BF998R, 235	-	RFQ	5842	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		12 V		Montaje en superficie	Sot-143r	BF998	200MHz	Mosfet		Sot-143r	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934002660235	EAR99	8541.21.0095	10,000	Canal de Puerta de Doble			30mera		10 Ma	-	-																	0.6db										8 V
MRF21045LSR5	-	RFQ	1666	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		65 V		Monte del Chasis	NI-400S	MRF21	2.16GHz ~ 2.17GHz	Ldmos		NI-400S	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		5A991G	8542.31.0001	50				-		500 mA	10W	15dB																	-										28 V
BUK761R8-30C, 118	-	RFQ	1442	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Buk76		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal						30 V	100A (TC)	10V	1.8mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	150 NC @ 10 V	± 20V	10349 pf @ 25 V	-	333W (TC)