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Productos de semiconductoros discretos (6133)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Hold (IH) (Max)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TUPO TRIAC	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Figura de ruido	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - PrueBa	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
BZX884-C4V7,315	-	RFQ	5954	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882				250 MW	DFN1006-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	1.416																															900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 2 V					4.7 V	80 ohmios
BZT52H-C13,115	0.0200	RFQ	65	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BZT52					-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000
NZX15C, 133	0.0200	RFQ	55	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						NZX1					-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	10,000
NZX2V7A, 133	0.0200	RFQ	70	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						NZX2					-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	10,000
PEMH24,115	0.0400	RFQ	20	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						PEMH2					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0095	4.000
PSMN014-80LX	1.0000	RFQ	6224	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-100, SOT-669			Mosfet (Óxido de metal)		LFPAK56, POWER-SO8	descascar				EAR99	8541.29.0095	1			N-canal						80 V	62a (TC)	5V, 10V	14mohm @ 15a, 10v	2.1V @ 1MA	28.9 NC @ 5 V	± 20V	4640 pf @ 25 V	-	147W (TC)
PSMN2R9-25YLC	1.0000	RFQ	9589	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar					0000.00.0000	1
PDZ12B/S911115	0.0200	RFQ	9811	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar				EAR99	8541.10.0050	4.600
PDTA144TM, 315	0.0300	RFQ	158	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						PDTA14					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0095	10,000
PMP4501Y, 115	-	RFQ	9797	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						PMP4					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	3.000
PMBS3904,235	0.0200	RFQ	820	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						PMBS3904					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0075	10,000
PDTD113ZT, 215	0.0300	RFQ	9940	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						Pdtd11					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0095	3.000
BLF6G27LS-40P, 112	75.6200	RFQ	40	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo		65 V		Montaje en superficie	SOT-1121B		2.5Ghz ~ 2.7GHz	Ldmos		Más	descascar				EAR99	8541.29.0075	4	Fuente Común Dual			-		450 Ma	12W	17.5dB																					-								28 V
Pmeg3002esfyl	0.0400	RFQ	18	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo				Montaje en superficie	0201 (0603 Métrica)	PMEG3002		Schottky		DSN0603-2	descascar				EAR99	8541.10.0070	1		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																												30 V	535 MV @ 200 Ma	1.42 ns	9 µA @ 30 V	150 ° C (Máximo)	200 MMA	21pf @ 1v, 1 MHz
NZH6V2B, 115	-	RFQ	8204	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						NZH6					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000
BZX79-C13,143	0.0200	RFQ	375	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				400 MW	ALF2	descascar				EAR99	8541.10.0050	1																															900 MV @ 10 Ma		100 na @ 8 V					13 V	30 ohmios
BT169D-L, 112	-	RFQ	1241	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo			-	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA)					Un 92-3	descascar				EAR99	8541.30.0080	1					5 Ma															400 V	800 Ma	800 MV	8a, 9a	50 µA	1.7 V	500 mA	100 µA	Puerta sensible
BT136X-600,127	0.2500	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo			125 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA					Un 220F	descascar				EAR99	8541.30.0080	1.184	Soltero				15 Ma														Estándar	600 V	4 A	1.5 V	25a, 27a	35 Ma
BZX79-B22,143	0.0200	RFQ	45	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 2%		-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				400 MW	ALF2	descascar				EAR99	8541.10.0050	1																															900 MV @ 10 Ma		50 na @ 15.4 V					22 V	55 ohmios
BZX79-B2V4143	-	RFQ	4217	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar				EAR99	8541.10.0050	1
1N4728A, 133	0.0400	RFQ	52	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial				1 W	Do-41	descascar				EAR99	8541.10.0050	1																															1.2 v @ 200 ma		100 µA @ 1 V					3.3 V	10 ohmios
BZX84-A39,215	0.1100	RFQ	3	NXP USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 1%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				250 MW	Sot-23	descascar				EAR99	8541.10.0050	3.390																															900 MV @ 10 Ma		50 na @ 27.3 V					39 V	130 ohmios
BZV85-C10,113	0.0400	RFQ	34	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BZV85					-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	5,000
BAT54CM315	1.0000	RFQ	4472	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BAT54					descascar				EAR99	8541.10.0070	1
BUK7631-100E, 118	0.6100	RFQ	1	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar				EAR99	8541.29.0095	532			N-canal						100 V	34a (TC)	10V	31mohm @ 10a, 10v	4V @ 1MA	29.4 NC @ 10 V	± 20V	1738 pf @ 25 V	-	96W (TC)
BZX79-B24143	0.0200	RFQ	124	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar				EAR99	8541.10.0050	1
BZX79-B2V4,113	0.0200	RFQ	57	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BZX79					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	10,000
BZX585-B6V8,135	-	RFQ	7620	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BZX585					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	10,000
BZX79-C39,133	0.0200	RFQ	264	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				400 MW	ALF2	descascar				EAR99	8541.10.0050	1																															900 MV @ 10 Ma		50 na @ 27.3 V					39 V	130 ohmios
1N4739A, 113	0.0400	RFQ	351	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						1N47					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	5,000