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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PZU5.6BL315 | - |  | 3584 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYC20X-600P127 | 0.7600 | | 35 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN035-150P, 127 | - | | 8619 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tubo | Activo | PSMN0 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk6209-30c | - | | 3906 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Buk6209 | - | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMZB370UNE, 315 | - | | 3565 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | Mosfet (Óxido de metal) | DFN1006B-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 10,000 | N-canal | 30 V | 900 mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 490mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.05V @ 250 µA | 1.16 NC @ 15 V | ± 8V | 78 pf @ 25 V | - | 360MW (TA), 2.7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BLA6G1011L-200RG112 | 592.9400 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF6G10LS-135RN112 | 76.1800 | | 92 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN4R3-100ES, 127 | - | | 2460 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 9900 pf @ 50 V | - | 338W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| BLF574XRS112 | 192.3000 | | 47 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN4R3-80ES, 127 | 1.1900 | | 540 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tubo | Activo | PSMN4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA420Y-800BT127 | - | | 4668 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG540,215 | - | | 5084 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | Bfg54 | 400MW | Sot-143b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - | 15V | 120 Ma | NPN | 60 @ 40mA, 8V | 9 GHz | 1.3db ~ 1.8db @ 900MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2pc1815gr, 412 | - | | 5581 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 2pc18 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 6V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PVR100AD-B12V, 115 | - | | 7991 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | PVR10 | 300 MW | SC-74 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | Npn + zener | - | 160 @ 100mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143ZK, 115 | - | | 8618 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC143 | 250 MW | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 9,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 100mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 10mA, 5V | 4.7 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF888D112 | 250.9600 | | 122 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PhD55N03LTA, 118 | - | | 2500 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Phd55 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 55A (TC) | 5V, 10V | 14mohm @ 25A, 10V | 2v @ 1 mapa | 20 NC @ 5 V | ± 20V | 950 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| BUK752R3-40C, 127 | - | | 1858 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Buk75 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 10V | 2.3mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 175 NC @ 10 V | ± 20V | 11323 pf @ 25 V | - | 333W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| Php63nq03lt, 127 | - | | 6309 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Php63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 68.9a (TC) | 5V, 10V | 13mohm @ 25A, 10V | 2.5V @ 1MA | 9.6 NC @ 5 V | ± 20V | 920 pf @ 25 V | - | 111W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| BZT52H-C33,115 | - | | 2920 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZT52 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMF77XN, 115 | - | | 8937 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | PMF77 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 1.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 97mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 2.9 NC @ 4.5 V | ± 12V | 170 pf @ 15 V | - | 270MW (TA), 1.92W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | BLF7G22L-130112 | 80.9000 | | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 5A991G | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN9R0-30YL, 115 | - | | 3614 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | PSMN9 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | 61a (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 15a, 10v | 2.15V @ 1MA | 17.8 NC @ 10 V | ± 20V | 1006 pf @ 12 V | - | 46W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | AFIC31025NR1 | 45.0303 | | 8614 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 32 V | Montaje en superficie | Variante A 270-17, Plana Plana | AFIC31025 | 2.7GHz ~ 3.1GHz | Ldmos | Un 270WB-17 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935343962528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 25W | 30dB | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF24300NR3 | - | | 4591 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | OM-780-2 | MRF24 | 2.45 GHz | Ldmos | OM-780-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 100 mA | 330W | 13.1db | - | 32 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk7y25-60e/gfx | - | | 8189 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Buk7 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMDPB95XNE, 115 | - | | 6669 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | PMDPB95 | Mosfet (Óxido de metal) | 475MW | 6-Huson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 2.4a | 120mohm @ 2a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 2.5nc @ 4.5V | 143pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8P20165WHR3 | - | | 7118 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | NI-780-4 | MRF8P20165 | 1.98GHz ~ 2.01GHz | Ldmos | NI-780-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935314476128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - | 550 Ma | 37w | 14.8db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN012-25YLC, 115 | - | | 1882 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | PSMN0 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 25 V | 33A (TC) | 4.5V, 10V | 12.6mohm @ 10a, 10v | 1.95V @ 1MA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 528 pf @ 12 V | - | 26W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S9125MBR1 | - | | 7183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Un 272-4 | MRF6 | 880MHz | Ldmos | Un 272 WB-4 | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950 Ma | 27W | 20.2db | - | 28 V |
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