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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Buk7y12-100ex | - |  | 1251 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 85A (TC) | 10V | 12mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 5067 pf @ 25 V | - | 238W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N3904,412 | - | | 9623 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 2n39 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 40 V | 200 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 200 MV a 5 mm, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF21045LR3 | - | | 9671 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Ni-400 | MRF21 | 2.17GHz | Ldmos | NI-400-240 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8542.31.0001 | 250 | - | 500 mA | 10W | 15dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAW62,143 | - | | 5667 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Baw62 | Estándar | ALF2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 200 ° C (Max) | 250 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144WK, 115 | - | | 2057 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC144 | 250 MW | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5MA, 5V | 47 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF2004NBR1 | - | | 2402 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Variante A 272-16, Plano de Cables | MMRF2004 | 2.7GHz | Ldmos | Un 272 WB-16 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935320315528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 77 Ma | 4W | 28.5db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C75143 | 0.0200 | | 4739 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9535-55,127 | - | | 8418 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Buk95 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934050420127 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 34a (TC) | 5V | 35mohm @ 17a, 5V | 2v @ 1 mapa | ± 10V | 1400 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHB222NQ04LT, 118 | - | | 4382 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | PHB22 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 25A, 10V | 2v @ 1 mapa | 93.6 NC @ 5 V | ± 15V | 7880 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6V2300NBR1 | - | | 1329 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 110 V | Monte del Chasis | Un 272bb | MRF6 | 220MHz | Ldmos | Un 272 WB-4 | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | - | 900 mA | 300W | 25.5db | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2G26H280-04SR3 | - | | 7593 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A2G26 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 935318614128 | 0000.00.0000 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC115TE, 115 | - | | 4771 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | PDTC115 | 150 MW | SC-75 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMST5550,135 | - | | 5130 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 140 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 250 MV a 5 mm, 50 Ma | 60 @ 10mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4742A, 133 | 0.0400 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,969 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 9 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ON5089,115 | 0.3200 | | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Sot-343f | En 50 | 4-DFP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM4.7NB2A, 115 | - | | 7809 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM4.7 | 220 MW | Smt3; Mpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.7 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTB113ES, 126 | - | | 3482 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PDTB113 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 500 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 33 @ 50mA, 5V | 1 kohms | 1 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S21100HSR3,128 | - | | 6770 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | MRF8S21100 | - | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS300/ZL115 | 0.0300 | | 167 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1PS300 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS4140S, 126 | - | | 5429 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PBSS4 | 830 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 40 V | 1 A | 100na | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 300 @ 500 mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C27,135 | 0.0200 | | 57 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B13,133 | 0.0200 | | 82 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG3002AELD, 315 | 0.0400 | | 640 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMEG3002 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYD17D, 115 | - | | 5802 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Sod-87 | BYD17 | Avalancha | Asignar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 1 a | 3 µs | 1 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 21pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ACT102H-600D, 118 | 0.1400 | | 649 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | ACT10 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | A2T07H310-24SR6 | - | | 7187 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 70 V | Monte del Chasis | NI-1230-4LS2L | A2T07 | 880MHz | Ldmos | NI-1230-4LS2L | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935312272128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | - | 700 Ma | 47W | 18.6db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-B47,115 | - | | 9422 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD -10 | BZX284 | 400 MW | SOD -10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 32.9 V | 47 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BBY40,215 | 0.4600 | | 9 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BBY40 | SOT-23 (TO-236AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 6pf @ 25V, 1 MHz | Soltero | 30 V | 6.5 | C3/C25 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF5S9101MBR1 | - | | 8320 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Monte del Chasis | Un 272bb | MRF5 | 960MHz | Ldmos | Un 272 WB-4 | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 700 Ma | 100W | 17.5dB | - | 26 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6S9060GNR1 | 35.5106 | | 7979 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 66 V | Montaje en superficie | Un 270bb | Mrfe6 | 880MHz | Ldmos | TO70 WB-4 GUALL | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935310336528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 450 Ma | 14W | 21.1db | - | 28 V |
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